一种大葱栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种大葱栽培方法，其特征是适当地深挖纵横排涝沟和适度地浅栽定植，这样来解决现有技术大葱深挖定植沟深栽频受渍涝为害问题；以用玉米秸秆、红薯藤蔓叶等覆盖软化大葱假茎，不培土可达合理密植，迎刃而解了现有技术大葱为要培土管理只能用大行距栽培的低产弊端。据此，使大葱生产有了稳产高产的良法，具有很好的推广应用前景。

Cultivation method of scallion

The invention discloses an onion cultivation method, which is appropriate to dig horizontal drainage ditches and properly shallow planting planting, so to solve the existing technology of digging ditch deep planting frequency of Welsh Onion planting Waterlogging Damage; with corn stalk, sweet potato vine and leaf covering softening Welsh Onion pseudostems, not earth reasonable density reachable. Prior to smoothly done or easily solved by management only with onion yield large row spacing cultivation defects. Accordingly, the onion production with high and stable yield of law, has a good promotion prospects.

【技术实现步骤摘要】
一种大葱栽培方法
本专利技术属于一种蔬菜栽培方法，具体说是一种大葱栽培方法。
技术介绍
现有的大葱栽培技术的具体作法是：在育出假茎长20厘米以上，单株重30克以上的可定植苗后，就在定植田上按行距70～80厘米挖深宽各20厘米的沟畦，在沟畦里撒上肥料并创松下部的约20×20厘米的犁底死土后，按株距4～6厘米或干排葱苗或湿插葱苗于沟畦底部土中，栽植深度一般为15厘米左右。以上现有技术的定植大葱于平地挖的沟畦中，可以形象的说成是“凹下”；定植畦面低于地面20厘米，这畦可以说是“低畦”；一般大葱的最大株幅才16厘米，而用70～80厘米的行距真可以说是“大行距”了，大行距造成光热和土地资源的大浪费。因此现有技术的大葱栽培特点可以总结为“凹下低畦大行距”。这“凹下低畦大行距”既然已形成传统栽培法，自然也有其一定的优点和长处，这里对此不多作评说，而需要特别指出的是：在新的生产力条件下，其缺点也是十分严重的：轻者导致大葱栽培不能稳产高产，重者造成严重歉收甚至绝收！1、“凹下”在雨涝季节会使土壤含水量饱和。遍布全田的平地沟畦“凹下”，使在雨涝季节的降雨几乎无地表径流，而全部流入沟畦后又灌渗于耕作层土壤中，很容易使土壤水分饱和，严重缺氧，造成大葱的渍害。2、“低畦”在雨涝季节更会使土壤高湿，根茎窒息，沤根、僵根和死亡。现在土地的熟土层一般不超过20厘米，刨松的“低畦”恰好处在犁底不透水层中，如果把“低畦”部横剖，其剖面就呈一个“凵”字形槽，槽中是松土和大葱的根茎，槽两侧和底部是透水性很差的死土，雨多季节，这里成为水槽，渍害会更重，轻者减产半收，重者造成绝产。3、“大行距”使大葱产量不高。大葱叶管状，且上冲生长，而且一生就保持5-8片叶，最适宜等距密植。一般大葱的最大株幅才16厘米，按理说定植行距只要略大于16厘米就合理，但现有技术为便于培土管理采用70～80厘米的大行距栽培，只是合理行距的1/4，所以造成大量的光热和土地资源的浪费，大葱的产量自然也不会高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，而提出一种大葱栽培方法，本专利技术能使大葱栽培即使在雨涝灾害年份也能稳产高产，进而获得高效益。本专利技术的目的是通过如下技术方案实现的：针对现有技术的“凹下低畦大行距培土栽培”而提出“凸上高畦免培土栽培”，具体方案分3个方面-1、“凸上”。在平地上按(4～16米)×(16～20米)挖纵横排涝沟，沟深30厘米以上，这样，金田就形成一个个30-300平方米的“凸”台，在“凸上”浅栽大葱。在这人为造就高燥地方，旱能浇涝能排，能造就稳产丰收。2、“高畦”。在“凸上”起埂作平畦浅栽大葱(一般栽深13～16厘米)，说是“高畦”是针对现有技术的“低畦”而言，其畦面高于现有技术畦面20厘米以上。在雨涝时，地表径流可流入排涝沟中排走，过多的土壤含水量也可通过渗流到排涝沟中，连雨涝年份也可稳产丰收。3、“免培土栽培”可使大葱栽培的密度成3倍的增加。现有技术的“大行距栽培”需要培土来防止倒伏和软化假茎。培土是软化假茎和防止倒伏的有效措施，但不是唯一的措施。本专利技术提出的免培土而软化假茎的方案，非培土而支撑大葱不倒伏的方法，从而使大葱定植的株数是现有技术定植数的3倍以上，可取得现有技术3倍以上产量的积极效果。本专利技术与现有技术相比有如下优点和积极效果：现有技术“凹下低畦大行距培土栽培”大葱产量低而不稳，有时半收或绝收，本专利技术“凸上高畦免培土栽培”不但使大葱栽培在雨涝年份稳产，而且产量可以是现有技术的3倍以上。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步详细描述：实施例一，一种大葱栽培方法按以下步骤进行1、育苗时按常规方法培育出假茎20厘米以上的定植葱苗。2、“凸上高畦”的制做法，本专利技术一种大葱栽培方法的“凸上高畦”由畦头横向排涝沟单元畦纵向排涝沟分畦埂分畦面畦尾埂和畦尾横向排涝沟组成。畦头横向排涝沟和畦尾横向排涝沟及纵向排涝沟一般深度在30厘米以上；单元畦一般由3个以上的分畦面组成，其宽度在4米以上。可见一个个单元畦形成了“凸上高畦”。3两条纵向排涝沟中间含1个单元畦；单元畦的分畦埂一般宽22厘米，高18厘米以上。4、大葱定植。分畦面一般宽1米左右，在1米宽的畦面上定植大葱，其特征是畦不挖沟，平栽，横向一排单株定植或成行撮栽，但无论单株排葱或撮栽，一般每行株数在35株以上，行距18厘米，定植深度16厘米左右。5、免培土支撑和假茎软化。在定植大葱畦面以上的假茎生长长度在20厘米以上时，用已收获后的玉米秸杆横放在两个分畦埂上，放的宽度以挤满两行间的空间为度，其玉米秸杆可以是平放一层，也可以是多层，以起到支撑葱株不倒伏和假茎部的黑暗作用。实施例二一种大葱栽培方法，在葱行的两侧距畦面20厘米以上处，用一根绳状或尼龙草状，或带状或条片状物固定并撑紧在小竹木棒上，这两根竹木棒系插在单元畦两边的分畦埂上，支撑行间葱株不倒伏，其它同实施例一。实施例三一种大葱栽培方法，两条纵向排涝沟中间含2个以上单元畦，其宽度在8米以上，其它同实施例一、二。实施例四一种大葱栽培方法，大葱定植的同时，在分畦埂上定植红薯苗，每行每埂1株，以后红薯藤叶蔓生长并充满葱行间，代替玉米秸秆起遮阴软化假茎作用，其它同实施例二、三。实施例五一种大葱的栽培方法，大葱定植同时，在行间种植莴苣，或菠菜或香菜或茼蒿等叶菜，随着绿叶生长并充分挤满大葱行间，代替玉米秸杆起遮阴软化假茎作用，其它同实施例二、三。实施例六一种大葱栽培方法，在分畦表面18厘米以上处，用不透明物如黑色薄膜、麦草、稻草、废旧编织物废旧织物、泡沫塑料等覆盖葱行间，以遮阴造黑暗软化葱假茎，其它同实施例二、三。实施例七一种大葱栽培方法，定植葱的行距缩小到13厘米以下，在葱行两侧距畦面20厘米以上处，各用1条绳状，尼龙草状、带状或条片状物固定在单元畦两边并撑紧，支撑行间葱株不倒倾；不靠行间覆盖物，而只靠大葱自身管叶遮阴即可软化假茎，其它同实施例一。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大葱栽培方法，其特征是畦头横向排涝沟和畦尾横向排涝沟及纵向排涝沟的深度为30厘米以上，深于犁底层10 厘米以上，可接收和排走耕作层中的雨涝渗流。

【技术特征摘要】
1.一种大葱栽培方法，其特征是畦头横向排涝沟和畦尾横向排涝沟及纵向排涝沟的深度为30厘米以上，深于犁底层10厘米以上，可接收和排走耕作层中的雨涝渗流。2.如权利要求1所述的一种大葱栽培方法，其特征是单元畦的畦尾埂在雨涝天可以打开，雨水可以通过地表径流由打开的畦尾埂处流入畦尾排涝沟排走。3.如权利要求1所述的一种大葱栽培方法，其特征是两纵向排涝沟之间的单元畦可以是1个，也可以是多个。4.如权利要求1所述的一种大葱栽培方法，其特征是每个单元畦一般有4个分畦埂，其宽度一般22厘米以上，其高度一般18厘米以上，其上可承担玉米秸杆覆盖物等，或栽植红薯等藤蔓作物，并能深插承受支撑力的小竹棒小木棒。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈留成，
申请(专利权)人：陈留成，
类型：发明
国别省市：江苏,32