一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法技术

本公开的晶片封装包含至少一集成电路晶粒。该至少一集成电路晶粒包含：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；位于该前侧上的一电互连部；位于该电互连部的上表面上的至少一第一连接终端；位于该基板部的该背侧上的至少一第二连接终端；电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端的至少一连接线；位于该基板部的该内面与该电互连部的上表面之间的一晶片选择终端；以及一晶片选择线。该晶片选择线连接至该晶片选择终端及该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端其中之一。该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包含一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。

Chip package with inclined through silicon channel and preparation method thereof

Disclosed herein is a chip package comprising at least one integrated circuit grain. The at least one integrated circuit die comprises a base portion, having an inner surface located between a front side and a back side; in the front of the electrical interconnection portions; the electrical interconnection portions on the upper surface of the at least one first connecting terminal; at the back side of the substrate on the at least a second connecting terminal; electrically connected to the at least one first connecting terminal and the at least one second connecting terminal at least one connection line; a chip selection terminal is located between the inner surface of the base plate part and the electrical interconnection portions of the upper surface; and a chip select line. The wafer selection line is connected to the chip select terminal and the at least one first connection terminal and one of the at least second connection terminals. The wafer selection line includes at least one of the at least one of the at least one connecting line, and the tilt portion is tilted relative to the rear side of the substrate portion.

【技术实现步骤摘要】
一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法
本专利技术涉及一种晶片封装及其制备方法，包含具有倾斜贯穿硅通道的至少一集成电路晶粒。
技术介绍
晶片堆叠技术可使两个晶片紧密在一起，因而使得该两晶片之间的数据传输更快速并且消耗较少电力。将存储器晶片堆叠在一起，可以得到具有大储存容量的存储器模块。除了堆叠两个相同晶片之外，亦可将具有不同功能的两个晶片堆叠在一起而实现不同的功能。在存储器晶片堆叠中，各个存储器晶片具有晶片选择(chipselection，CS)终端，其用于启动该存储器晶片。例如，DRAM晶片可具有列位址选通(rowaddressstrobe，RAS)作为晶片选择终端。当在存储器晶片堆叠中的晶片的晶片选择终端施加信号时，可存取该晶片，而无法存取其他晶片。在现有技术中，施加在存储器晶片堆叠的晶片选择终端的信号经由导线传递，而形成此等导线需要额外的制程；当产品朝向精细间距(fine-pitch)发展时，此等额外导线会增加信号导线短路的风险。再者，长线路亦会占据较多空间而造成信号传递延迟，并且造成大的晶片封装。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种晶片封装，包括至少一集成电路晶粒。在一些实施例中，该至少一集成电路晶粒包括：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；位于该前侧上的一电互连部；位于该电互连部的上表面上的至少一第一连接终端；位于该基板部的该背侧上的至少一第二连接终端；至少一连接线，电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端；位于该基板部的该内面与该电互连部的该上表面之间的一晶片选择终端；以及一晶片选择线，连接至该晶片选择终端与该第二连接终端与该至少一第一连接终端其中之一；其中该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包括一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。在一些实施例中，该倾斜部是设置在该基板部中，以及该晶片选择线另包括一垂直部，该垂直部位于该电互连部中。在一些实施例中，该晶片选择线包括该倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜，以及该至少一连接线包括一垂直部，该垂直部垂直于该基板部的该背侧。在一些实施例中，该至少一连接线包括该倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜，以及该晶片选择线包括一垂直部及一横部，该垂直部位该基板部中，该横部连接至该垂直部。在一些实施例中，该至少一连接线包括具有第一倾斜角度的一第一倾斜部，该第一倾斜角度是相对于该基板部的该背侧，以及该晶片选择线包括具有第二倾斜角度的一第二倾斜部，该第二倾斜角度是相对于该基板部的该背侧，并且该第一倾斜角度是不同于该第二倾斜角度。在一些实施例中，该至少一连接线包括具有第一倾斜角度的一第一倾斜部，该第一倾斜角度是相对于该基板部的该背侧，以及该晶片选择线包括具有第二倾斜角度的一第二倾斜部，该第二倾斜角是相对于该基板部的该背侧，并且该第一倾斜角度是与该第二倾斜角度实质相同。在一些实施例中，该至少一连接线包含一垂直部，其位于该电互连部中。在一些实施例中，该至少一连接线电连接的该第一连接终端并非位于电连接的该第二连接终端的正上方。在一些实施例中，该晶片选择终端是位于该电互连部中。在一些实施例中，该晶片选择终端是位于该基板部中。在一些实施例中，该至少一集成电路晶粒包括包含多个第一连接终端及多个第二连接终端，该多个第一连接终端的数量是比该多个第二连接终端的数量短少至少一终端。在一些实施例中，该至少一集成电路晶粒是晶圆上多个集成电路晶粒其中之一。在一些实施例中，该至少一集成电路晶粒是从晶圆分离的集成电路晶粒。在一些实施例中，该至少一集成电路晶粒是存储器晶片。在一些实施例中，该第二连接终端与该第一连接终端是以错位方式沿着垂直方向设置。在一些实施例中，该第二连接终端与该第一连接终端是以不对齐方式(misalignedmanner)沿着垂直方向设置。在一些实施例中，该晶片封装包括一下集成电路晶粒以及一上集成电路晶粒，该上集成电路晶粒是堆叠在该下集成电路晶粒的上方，该上集成电路晶粒包含多个第二连接终端，该下集成电路晶粒包含多个第一连接终端，其中该上集成电路晶粒的该多个第二连接终端其中之一是未电连接至该下集成电路晶粒的该多个第一连接终端。在一些实施例中，该晶片封装包括夹置在该下集成电路晶粒与该上集成电路晶粒之间的一粘着层。在一些实施例中，该晶片封装包括一物件，并且该至少一集成电路晶粒是附接至该物件，其中该物件是选自于由封装电路基板、硅中介物、玻璃中介物、以及另一集成电路晶粒所组成的群组。本专利技术的另一实施例是提供一种晶片封装的制备方法。在一些实施例中，该方法的步骤包括：提供一基板部，具有在一前侧与一背侧之间的一内面；在该基板部的该内面与该电互连部的一上表面之间，形成一晶片选择终端；在该前侧上，形成一电互连部；在该电互连部的该上表面上，形成至少一第一连接终端；形成连接至该晶片选择终端的一晶片选择插塞；形成电连接至该至少一第一连接终端的至少一连接插塞；以及在该基板部的该背侧上，形成电连接至该至少一连接插塞的至少一第二连接终端；其中该晶片选择插塞与该至少一连接插塞至少其中之一是一倾斜插塞，其是相对于该基板部的该背侧倾斜。在一些实施例中，该方法的步骤另包括：在该基板部的该背侧上，形成具有至少一开口的一遮罩层；相对于一水平面，倾斜该基板部；经由该至少一开口，进行蚀刻制程，移除部分的该基板部，以形成相对于该基板部的该背侧的至少一开孔；以及使用导体填充该至少一开孔。在一些实施例中，该方法的步骤另包括：相对于一水平面，倾斜该基板部；进行一激光钻孔制程，自该基板部的该背侧移除部分的该基板部，以形成相对于该基板部的该背侧的至少一开孔；以及用导体填充该至少一开孔。在一些实施例中，形成晶片选择线是包括当该基板部定位于第一角度时，进行第一蚀刻制程，以形成至少一第一开孔，形成至少一连接线是包括当该基板部定位于第二角度时，进行第二蚀刻制程，形成至少一第二开孔，以及该至少一第一开孔与该至少一第二开孔是与该基板部的该背侧具有不同的夹角。在一些实施例中，形成晶片选择线包括当该基板部是定位于第一角度时，进行一第一激光钻孔制程，以形成至少一第一开孔，形成至少一连接线是包括当该基板部是定位于第二角度时，进行一第二激光钻孔制程，以形成至少一第二开孔，并且该至少一第一开孔与该至少一第二开孔是与该基板部的该背侧具有不同的夹角。在一些实施例中，该方法的步骤另包括：将该至少一集成电路晶粒堆叠至一物件，该物件是选自于由封装电路基板、硅中介物、玻璃中介物、以及另一集成电路晶粒所组成的群组。在本公开的一些实施例中，在该集成电路晶粒中，该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包含一倾斜部，该倾斜部相对于该基板的该背侧倾斜(形成倾斜贯穿硅通道)，因而缩短该集成电路晶粒中的该晶片选择信号的信号传输路径。前述内容已相当广泛地概述本公开的特征与技术优点，因而可更理解以下本公开的详细说明。以下叙述本公开的其他特征与优点，其是形成本公开的权利要求的标的。该本领域技术人员应理解所公开的概念与特定实施例可作为基础而修饰或设计其他结构或制程以完成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装，包括至少一集成电路晶粒，其特征在于，该至少一集成电路晶粒包括：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；一电互连部，位于该前侧上；至少一第一连接终端，位于该电互连部的一上表面上；至少一第二连接终端，位于该基板部的该背侧上；至少一连接线，电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端；一晶片选择终端，位于该基板部的该内面与该电互连部的该上表面之间；以及一晶片选择线，连接至该晶片选择终端以及该至少一第二连接终端与该至少一第一连接终端其中之一；其中该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包括一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。

【技术特征摘要】
2016.03.11 US 15/068,2061.一种晶片封装，包括至少一集成电路晶粒，其特征在于，该至少一集成电路晶粒包括：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；一电互连部，位于该前侧上；至少一第一连接终端，位于该电互连部的一上表面上；至少一第二连接终端，位于该基板部的该背侧上；至少一连接线，电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端；一晶片选择终端，位于该基板部的该内面与该电互连部的该上表面之间；以及一晶片选择线，连接至该晶片选择终端以及该至少一第二连接终端与该至少一第一连接终端其中之一；其中该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包括一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。2.如权利要求1所述的晶片封装，其中该倾斜部是位于该基板部中，以及该晶片选择线另包括一垂直部，该垂直部位于该电互连部中。3.如权利要求1所述的晶片封装，其中该晶片选择线包括该倾斜部，以及该至少一连接线包括一垂直部，该垂直部垂直于该基板部的该背侧。4.如权利要求1所述的晶片封装，其中该至少一连接线包括该倾斜部，以及该晶片选择线包括一垂直部及一横部，该垂直部位该基板部中，该横部连接至该垂直部。5.如权利要求1所述的晶片封装，其中该至少一连接线包括第一倾斜角度的一第一倾斜部，以及该晶片选择线包括第二倾斜角度的一第二倾斜部，并且该第一倾斜角度不同于该第二倾斜角度，该第一倾斜角度及该第二倾斜角度是相对于该基板部的该背侧。6.如权利要求1所述的晶片封装，其中该至少一连接线包括第一倾斜角度的一第一倾斜部，以及该晶片选择线包括第二倾斜角度的一第二倾斜部，该第一倾斜角度及该第二倾斜角度是相对于该基板部的该背侧，并且该第一倾斜角度是与该第二倾斜角度实质相同。7.如权利要求1所述的晶片封装，其中该至少一连接线包含一垂直部，该垂直部位于该电互连部中。8.如权利要求1所述的晶片封装，其中该至少一连接线电连接的该第一连接终端并非位于电连接的该第二连接终端的正上方。9.如权利要求1所述的晶片封装，其中该晶片选择终端是位于该电互连部中。10.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71