气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置。该气化原料供给装置包括：1个气化原料生成部件，其用于使固体或液体的原料气化而生成气化原料；多个分支配管，其连接于该气化原料生成部件，用于使生成的所述气化原料分支到多个系统；以及多个流量控制器，其独立地设置于各个该分支配管。

Gasification raw material supply device and substrate processing device using the same

The invention provides a gasification raw material supply device and a substrate processing device using the supply device. The gasification material supplying device comprises 1 gasification generating unit for gasifying solid or liquid gasification generated raw materials; a plurality of branch pipe, which is connected to the gasification generating unit for the gasification branch generated to multiple systems; and a plurality of flow controller, the independent set in each of the branch pipe.

【技术实现步骤摘要】
气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置
本专利技术涉及气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置。
技术介绍
以往公知有这样的气化器和成膜装置，即，在气化器中将液体原料的一部分气化而成的气液混合流体气化而得到气化原料气体，并且向成膜处理部供给将气化原料气体所含有的处理气体和雾沫分离而得到的处理气体，在此过程中，将气液混合流体经由具备多个喷出口的流体供给部向构成气化器的筒状部内供给，气液混合流体以扩散的状态完全遍布于筒状部内，成为易于热交换的状态，能够确保较高的气化效率。采用该结构，由于在气化器中将处理气体和雾沫分离，排出分离的雾沫，因此，能够向成膜装置仅供给不含有雾沫的处理气体。此外，在该采用气化器的成膜装置中，能够向成膜处理部供给大流量的处理气体，因此，能够提高处理效率。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，在成膜处理等基板处理中，从提升成膜的面内均匀性的方面考虑，与处理室内的区域相应地调整喷射器的气体喷出孔的孔径、位置。也就是说，例如在成膜装置中存在这样的情况：针对存在沉积速度降低的倾向的区域，进行增大气体喷出孔的孔径或者增加数量等的调整，相反针对存在沉积速度比周围高的倾向的区域，进行减小气体喷出孔的孔径或者降低密度等的调整。在上述的气化器和成膜装置中并未表示这样的喷射器的调整，但喷射器是能够进行这样的调整的。但是，在上述的气化器和成膜装置的结构中，即便对喷射器在规定的流量下进行了这样的调整，在除了调整的流量之外的流量下也会因流量的增减而使喷射器的内压发生变化，因此，每个区域的流量比与调整时会有所不同。因而，即便对喷射器进行调整，工艺也不同，若供给处理气体的流量成为与调整时不同的设定，则存在无法得到如调整那样的结果这样的问题。本专利技术提供能够针对多个区域逐个地调整处理气体的流量、能够高精度地进行期望的基板处理的气化原料供给装置和采用该气化原料供给装置的基板处理装置。用于解决问题的方案本专利技术的一个技术方案的气化原料供给装置包括：1个气化原料生成部件，其用于使固体或液体的原料气化而生成气化原料；多个分支配管，其连接于该气化原料生成部件，用于使生成的所述气化原料分支到多个系统；以及多个流量控制器，其独立地设置于各个该分支配管。本专利技术的另一个技术方案的基板处理装置包括：所述气化原料供给装置；处理容器，其能够收容基板；以及喷射器，其针对该处理容器内的多个区域的每个区域具备气体导入口和气体喷出孔，所述气化原料供给装置的所述多个分支配管分别一对一相对应地连接于针对所述多个区域的每个区域设置的所述气体导入口。附图说明附图作为本说明书的一部分编入而表示本申请的实施方式，与上述通常的说明和后述的实施方式的详细内容一同说明本申请的概念。图1是表示本专利技术的第1实施方式的气化原料供给装置和基板处理装置的一例子的图。图2是更详细地表示本专利技术的第1实施方式的气化原料供给装置的一例子的图。图3是表示本专利技术的第2实施方式的基板处理装置的一例子的图。图4是表示本专利技术的第3实施方式的基板处理装置的一例子的图。图5是表示从本专利技术的第3实施方式的基板处理装置的喷射器到反应气体喷嘴、处理容器的沿着旋转台的同心圆的截面的图。图6是沿着图4的I－I’线的剖视图，是表示设有顶面的区域的剖视图。图7是表示本专利技术的第4实施方式的基板处理装置的一例子的图。图8是本专利技术的第4实施方式的基板处理装置的喷射器的侧剖视图。图9是表示本专利技术的第5实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。图10是表示本专利技术的第6实施方式的基板处理装置的一例子的图。图11是表示本专利技术的第6实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的截面结构的图。图12是表示本专利技术的第7实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。图13是表示本专利技术的第8实施方式的基板处理装置的一例子的图。图14是表示本专利技术的第8实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的结构的剖视图。图15是表示本专利技术的第9实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。图16是表示本专利技术的第10实施方式的基板处理装置的喷射器的一例子的图。具体实施方式以下，参照附图说明用于实施本专利技术的方式。在下述的详细的说明中，为了能够充分地理解本申请，给出了很多具体的详细说明。但是，没有这样详细的说明，本领域技术人员也能够完成本申请是不言自明的事项。在其他的例子中，为了避免使各种各样的实施方式难以理解的状况，并未详细地表示公知的方法、过程、系统、构成要素。〔第1实施方式〕图1是表示本专利技术的第1实施方式的气化原料供给装置和基板处理装置的一例子的图。在图1中表示了气化原料供给装置250和包含该气化原料供给装置250的基板处理装置300。气化原料供给装置250是用于加热固体或液体的原料而生成气化原料、将生成的气化原料向基板处理装置300的喷射器131～133供给的装置。气化原料供给装置250包括加热罐160、流量控制器(质量流量控制器)171～173、源配管180、分支配管181～183以及外壳220。加热罐160是用于在储存着固体或液体的原料的状态下将其加热使其气化而生成气化原料的气化原料生成部件。加热罐160包括储存罐161和加热器162。储存罐161是用于储存固体或液体的原料210的部件。因而，储存罐161构成为能够储存固体或液体的状态的原料210的容器。储存罐161在利用加热使原料210气化而生成了气化原料的情况下，需要在气化空间163中预先储存气化原料，因此，该储存罐161构成为能够密闭的容器。此外，由于储存罐161被加热器162加热，因此由具有充分的耐热性的材料构成。另外，原料210能够使用在气化的状态下能成为成膜处理等基板处理的原料的各种固体或液体的材料，例如在应用于含硅膜的成膜处理的情况下，可以使用3DMAS(Tris(dimethylamino)silane、三(二甲胺基)硅烷)等。另外，固体也包含粉末。加热器162是用于从外侧加热储存罐161、使储存的原料210气化的加热部件。加热器162只要能够加热原料210使其气化而生成气化原料，就可以采用各种结构。例如，加热器162既可以由电热线构成，也可以由板状的加热板构成。流量控制器171～173是用于设定并调整供给的气化原料的流量的流量调整部件。流量控制器171～173设于多个系统，在图1中设于3个系统。通过这样设置多个流量控制器171～173，能够利用多个系统控制作为处理气体向基板处理装置300的处理容器1内供给的气化原料的流量，在多个区域设定不同的流量的情况下能够各自进行流量控制。流量控制器171～173通过各自对应的分支配管181～183连接于源配管180，源配管180连接于加热罐160的上表面。在加热罐160内气化的气化原料充满在加热罐160内的上部的气化空间163中，但由于源配管180连接于加热罐160的上表面，因此，气化原料从源配管180流出。由于在源配管180上连接有分支为多个系统的分支配管181～183，因此，气化原料分支地流到各分支配管181～183，利用各流量控制器171～173控制各系统的流量，经过设置在气化原料供给装置250的外侧的分支配管181～183向处理容器1内供给。在此，流量控制器171～173只要能够调整气体的流量，就可以使用各种流量控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气化原料供给装置，其中，该气化原料供给装置包括：1个气化原料生成部件，其用于使原料气化而生成气化原料；多个分支配管，其连接于该气化原料生成部件，用于使生成的所述气化原料分支到多个系统；以及多个流量控制器，其独立地设置于各个该分支配管。

【技术特征摘要】
2016.03.03 JP 2016-0413171.一种气化原料供给装置，其中，该气化原料供给装置包括：1个气化原料生成部件，其用于使原料气化而生成气化原料；多个分支配管，其连接于该气化原料生成部件，用于使生成的所述气化原料分支到多个系统；以及多个流量控制器，其独立地设置于各个该分支配管。2.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其中，所述气化原料生成部件包括：储存罐，其用于储存所述原料；以及加热部件，其用于加热该储存罐而使所述原料气化。3.根据权利要求2所述的气化原料供给装置，其中，所述储存罐由密闭容器形成，能够将生成的所述气化原料保持在所述储存罐内。4.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其中，所述多个分支配管通过1根源配管连接于所述气化原料生成部件。5.根据权利要求4所述的气化原料供给装置，其中，在所述源配管上设有阀。6.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其中，所述多个分支配管分别直接连接于所述气化原料生成部件。7.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其中，在所述多个分支配管上分别设有阀。8.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其中，该气化原料供给装置还包括壳体，该壳体一体地覆盖所述气化原料生成部件、所述多个分支配管以及所述多个流量控制器。9.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：权利要求1所述的气化原料供给装置；处理容器，其能够收容基板；以及喷射器，其针对该处理容器内的多个区域的每个区域具备气体导入口和气体喷出孔，所述气化原料供给装置的所述多个分支配管分别一对一相对应地连接于...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶健治，小池悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP