抛光布整理方法以及抛光方法技术

本发明专利技术提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光布整理方法以及抛光方法
本专利技术关于一种用于硅晶圆抛光的抛光布的整理方法，以及使用抛光布抛光硅晶圆的方法。
技术介绍
一般的晶圆抛光步骤，在抛光布贴附于抛光机后当下的抛光中，常有晶圆损伤的发生或微粒等级(particlelevel)显著恶化的情形。并且，抛光机越大越容易引起此损伤的发生或微粒等级的恶化。此种损伤的发生或微粒等级的恶化常被认为是贴附完成当下的抛光布的整理不充分所导致的。整理抛光布之时，一般进行的是使用专利文献1所记载的表面铺满钻石的修整器等来进行修整，以修整抛光布的表面粗度及厚度。然而，即便通过此种修整来进行抛光布的整理，根据在开始抛光的当下(以下称之为“抛光布寿命初期”)还是能发现微粒等级的恶化可以得知，仅凭修整来进行抛光布的整理仍旧是有所欠缺的。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开平11-000868号公报。
技术实现思路
本专利技术为解决前述问题，目的在于提供一种抛光布的整理方法，能够改善抛光布寿命初期的微粒等级。本专利技术另一目的在于提供一种抛光方法，能够改善抛光布寿命初期的微粒等级。为达成上述目的，本专利技术提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。通过此种抛光布的整理方法，由于在修整中加入透过假抛光来进行抛光布的整理，更能判定假抛光后的抛光布是否有充分整理，因此抛光布在充分整理为止能进行抛光布的整理，作为结果能改善抛光布寿命初期的微粒等级。另外，较佳地，该判定执行预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同的方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定，先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点的基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以在该假抛光及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上时，则判定经进行该假抛光的抛光布为经整理。通过此种方法，由于能更确实的判定假抛光后的抛光布是否有充分整理，因此能更确实的改善抛光布寿命初期的微粒等级。又于此时，较佳地，自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱所检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。通过此种方法，能简单的测定抛光残渣量。又于此时，较佳地，通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。通过此种方法，能简单地进行抛光残渣的去除处理。又于此时，例如能将该抛光机设为双面抛光机。如此一来，本专利技术的抛光布的整理方法也能应用于使用双面抛光机的状况。并且，本专利技术提供一种抛光方法，使用抛光布抛光硅晶圆，该抛光方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而选出使用于该硅晶圆的抛光中的抛光布，并使用该选出的抛光布进行该硅晶圆的抛光。通过此种抛光方法，由于在修整中加入透过假抛光来进行抛光布的整理，更能使用通过假抛光来选出充分整理的抛光布来进行抛光，因此能改善抛光布寿命初期的微粒等级。另外，较佳地，该选出执行：预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同的方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定；先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点时的基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以选出在该假抛光以及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上的抛光布作为于该硅晶圆的抛光中使用的抛光布。通过此种方法，由于能更确实的选出经充分整理的抛光布，因此能更确实的改善抛光布寿命初期的微粒等级。又于此时，较佳地，自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。通过此种方法，能简单地测定抛光残渣量。又于此时，较佳地，通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。通过此种方法，能简单地进行抛光残渣的去除处理。又于此时，例如能够将该抛光机设为双面抛光机。如此一来，本专利技术的抛光方法也能应用于使用双面抛光机的状况。如以上所述，通过本专利技术的抛光布整理方法，由于通过在已知的修整中加上假抛光来进行抛光布的整理，更进一步地以不会看到假抛光后的抛光布为有损伤的发生或为有微粒恶化的情形为止而判定抛光布是否为可充分地整理的抛光布，因此能进行抛光布的整理直至抛光布充分整理为止，以此作为结果而能改善抛光布寿命初期的微粒等级。另外，由于可在判定出抛光布为整理完成的时间点时即可结束假抛光，因此不须进行非必要的长时间的假抛光，因而能有效率地进行抛光布的整理。另外，通过本专利技术的抛光方法，由于在修整中加入透过假抛光来进行抛光布的整理，更进一步地通过假抛光而以不会看到假抛光后的抛光布为有损伤的发生或为有微粒恶化的程度为止以选出充分整理成的抛光布来用于抛光，因此能改善抛光布寿命初期的微粒等级。附图说明图1是显示本专利技术的抛光布的整理方法的一例的流程图。图2是显示本专利技术的抛光方法的一例的流程图。图3是显示实施例1中每假抛光15μm的抛光残渣量以及去除处理后的抛光残渣量的图表。图4是显示实施例1与比较例1的各抛光布使用时间中的抛光残渣量的图表。图5是显示实施例1的各抛光布使用时间中的微粒等级的图表。图6是显示比较例1(以已知方法整理后进行正式抛光的状况)的各抛光布使用时间中的微粒等级的图表。图7是显示晶圆的抛光与抛光残渣量的去除处理交替反复进行的状况下的抛光残渣量的变化的图表。图8是显示以习知方法整理后进行正式抛光的状况的各抛光布使用时间中的抛光残渣量的图表。具体实施方式如上所述，由于通过已知的修整的整理(以下也称之为“已知法”)对于抛光布的整理还是不充分，得知如使用以此种已知法进行整理的抛光布来进行正式抛光(产品晶圆的抛光)，在抛光布的寿命初期还是会使微粒等级恶化。在此，于图6显示以已知法整理后进行正式抛光的状况下的各抛光布使用时间中的微粒等级。如图6所示，能看出以已知法进行整理的状况下，于抛光布寿命初期，特别是在现在抛光布使用时间除以设定抛光布使用时间的值在0.05的时间点为止，微粒等级的恶化。本申请的专利技术人为了改善抛光布寿命初期的微粒等级进行了深入研究，并将重点放在抛光布中的抛光残渣量与抛光布的整理上。在本申请专利技术人的研究中，从在经充分整理成未能发现微粒等级恶化的抛光布中，抛光布中积蓄了比抛光布寿命初期还要多的抛光残渣，发现了能够根据抛光布中的抛光残渣量来判定抛光布的整理的状态。并且，其重复深入研究的结果，发现进行假抛光以在抛光布中蓄积抛光残渣来整理抛光布，通过假抛光后的抛光残渣量来判定整理，使用判定为经充分整理的抛光布来进行正式抛光，能改善抛光布寿命初期的微粒等级，从而完成本专利技术。即，本专利技术为一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.04 JP 2015-0206061.一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；接着，通过该假抛光进行去除蓄积于该抛光布中的抛光残渣的处理；接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。2.如权利要求1所述的抛光布整理方法，其中该判定执行：预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定；先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点时基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以在该假抛光及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上时，则判定经进行该假抛光的抛光布为经整理。3.如权利要求1或2所述的抛光布整理方法，其中自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱所检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。4.如权利要求1至3中任一项所述的抛光布整理方法，其中通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。5.如权利要求1至4中任一项所述的抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木拓也，田中佑宜，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP