低失真音频选择开关电路制造技术

本发明专利技术公开了低失真音频选择开关电路，包括反相器，第一PMOS管以及第一NMOS管，反相器的输入端连接所述第一NMOS管的栅极，反相器的输出端连接第一PMOS管的栅极，第一PMOS管与所述第一NMOS管分别连接在输入信号与输出信号之间；第一PMOS管的阱连接衬底信号控制电路，衬底信号发生电路能够使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。它能够大大减小信号在传输过程中的谐波失真。

【技术实现步骤摘要】
低失真音频选择开关电路
本专利技术涉及音频选择开关电路，尤其是涉及低失真音频选择开关电路。
技术介绍
音频芯片中需要用到很多的开关选择，通道选择。尤其是多通道混音的应用中尤其需要低阻抗，低失真的选择开关。传统的音频开关在大幅度轨对轨信号下的阻抗不断变化，导致失真增加。现有的开关采用PMOS、NMOS管并联导通，来相互抵消PMOS和NMOS两者的非线性，如图1。其中N管的衬底是接在地电平，PMOS管的阱接在电源，但是当输入范围较大的时候，比如轨对轨从电源到地之间电平的摆动。NMOS管只能传输比电源低一个阈值电压的信号。PMOS管能传输比零电平高一个阈值电压的信号。然后两者并联后，才能传输轨对轨的输入信号。然而，该方案在大幅度轨对轨信号下阻抗会不断变化，并非理想的线性，产生较大的谐波失真。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种低失真音频选择开关电路，它能够大大减小信号在传输过程中的谐波失真。为了实现上述目的，本专利技术采用的方案是：低失真音频选择开关电路，包括反相器，第一PMOS管以及第一NMOS管，所述反相器的输入端连接所述第一NMOS管的栅极，所述反相器的输出端连接第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管与所述第一NMOS管分别连接在输入信号与输出信号之间；所述第一PMOS管的阱连接衬底信号控制电路，所述衬底信号发生电路能够使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。所述衬底信号发生电路包括第二PMOS管与第二NMOS管，所述第二PMOS管与所述第二NMOS管连接在输入信号与第一PMOS管的阱之间。还包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极连接所述反相器的输入端，所述第三PMOS管的连接在电压源VDD与所述第一PMOS管的阱之间。本专利技术的有益效果为：采用P管浮动阱电位跟随输入信号，这样大大减小了输入电压影响PMOS管导通电阻波动的因素。使得输入阻抗更低，更加的恒定。仿真得到结论可以使得谐波失真下降10个dB以上。附图说明图1现有的音频选择开关电路；图2本专利技术的电路结构图。其中，P1为第一PMOS管；P2为第二PMOS管；P3为第三PMOS管；N1为第一NMOS管；N2为第二NMOS管；EN为使能信号；ENN为使能信号的反向；A为信号输入端；B为信号输出端。具体实施方式为了更好的了解本专利技术的技术方案，下面结合附图2对本专利技术作进一步说明。如图2所示，低失真音频选择开关电路，包括反相器，第一PMOS管以及第一NMOS管，反相器的输入端连接所述第一NMOS管的栅极，反相器的输出端连接第一PMOS管的栅极，第一PMOS管与所述第一NMOS管分别连接在输入信号与输出信号之间；第一PMOS管的阱连接衬底信号控制电路，衬底信号发生电路能够使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。衬底信号发生电路包括第二PMOS管与第二NMOS管，第二PMOS管与第二NMOS管连接在输入信号与第一PMOS管的阱之间。第一PMOS管和第一NMOS管并联构成开关来传输信号，第一NMOS管衬底接地，第一PMOS管阱接PSUB信号线。第一NMOS管的栅极接输入使能信号，第一PMOS管的栅极接输入使能信号的反向。输入输出为AB信号。而P2管和N2管连接方式相同，都是并联连接输入信号A。N2管栅极接输入使能信号，P2管连接使能信号的反向。这样产生的PSUB信号连接第一PMOS管的阱。所以在使能为高，导通的时候。PSUB电平和输入信号A相同，也使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。还包括第三PMOS管，第三PMOS管的栅极连接反相器的输入端，第三PMOS管的连接在电压源VDD与第一PMOS管的阱之间。P3管在使能信号关闭的时候导通，将PSUB信号拉高到电源，使得第一PMOS管的阱电位为电源电平。同时第一PMOS管第一NMOS管都关闭，使得整个开关取得关闭状态，也没有功耗的消耗。最后扫描PMOS管和NMOS管的沟道宽度比例，不同的比例会轻微影响总谐波失真的大小，理论上PMOS和NMOS管宽度比例是2：1的范围，实际操作中，扫面范围设在1：1到3：1之间的一个值，以寻找最合适的宽度比例。这个最合适的第一PMOS管和第一NMOS管尺寸，可以达到最低的谐波失真。图1-图2中MOS管的源极和漏极是可以连接任意电平的，即轨到轨电平。上述虽然结合附图对本专利技术的具体实施方式进行了描述，但并非对本专利技术保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本专利技术的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本专利技术的保护范围以内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
低失真音频选择开关电路，包括反相器，第一PMOS管以及第一NMOS管，所述反相器的输入端连接所述第一NMOS管的栅极，所述反相器的输出端连接第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管与所述第一NMOS管分别连接在输入信号与输出信号之间；其特征在于，所述第一PMOS管的阱连接衬底信号控制电路，所述衬底信号发生电路能够使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。

【技术特征摘要】
1.低失真音频选择开关电路，包括反相器，第一PMOS管以及第一NMOS管，所述反相器的输入端连接所述第一NMOS管的栅极，所述反相器的输出端连接第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管与所述第一NMOS管分别连接在输入信号与输出信号之间；其特征在于，所述第一PMOS管的阱连接衬底信号控制电路，所述衬底信号发生电路能够使得第一PMOS管的阱电平和输入信号一致。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，彭远疆，
申请(专利权)人：深圳市悠响声学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44