Including the pad surface treatment method of the invention: the pad placed in a plasma reaction chamber; regulating the plasma reaction chamber of the vacuum degree in the first value; to the plasma reaction chamber oxygen and argon in the first glow discharge; regulating the plasma reaction chamber of the vacuum degree in second value, the second value is less than the first value; and to the plasma reaction chamber oxygen and argon for glow discharge second times. The invention can efficiently remove organic filth on the surface of the pad and ensure the surface to be clean, thus facilitating the formation of the subsequent cobalt based metal layer and improving the work stability of the product.
【技术实现步骤摘要】
焊盘表面处理方法
本专利技术涉及半导体领域,尤其涉及一种PCB焊盘表面处理方法。
技术介绍
在半导体领域中,PCB的焊盘、端子部分、插入元件用的孔和印刷接触片部分等除了用作焊接之外,还需要元件之间的连接和连接器的电性导通。因此为了确保PCB上这些部分的铜与无铅焊料焊点之间的焊接性,往往在PCB焊盘的表面进行处理以确保连接可靠性和电性导通可靠性。现如今,人们通常通过改进焊盘表面的金属层的结构以达到以上目的,而在改变金属层结构之前的表面处理显得十分重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种焊盘表面处理方法,其能高效去除焊盘表面的有机污物,保证表面洁净,从而便于后续的钴基金属层的形成并提高产品的工作稳定性。为实现上述目的,本专利技术的焊盘表面处理方法,包括:将焊盘置于等离子体反应腔;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第一值;向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第一次辉光放电;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第二值,所述第二值小于第一值;及向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第二次辉光放电。与现有技术相比,本专利技术的焊盘表面处理方法,通过给等离子体反应腔内的阴阳电极施加高频高压,并发生二次辉光放电,而且在二次辉光放电处理中等离子体反应腔的真空度进行调整,生成的氩等离子体、氧等离子体轰击焊盘的表面,从而使焊盘表面的有机污物脱落、氧化、分解,进而保证表面洁净,从而便于后续的钴基金属层的形成并提高产品的工作稳定性。较佳地,所述第一值为1~2pa,所述第二值为0.5~1pa。较佳地,在第一次辉光放电中,氧气的流量为5~20sccm,氩气的流量为500~ ...
【技术保护点】
一种焊盘表面处理方法,包括:将焊盘置于等离子体反应腔;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第一值;向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第一次辉光放电;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第二值,所述第二值小于第一值;及向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第二次辉光放电。
【技术特征摘要】
1.一种焊盘表面处理方法,包括:将焊盘置于等离子体反应腔;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第一值;向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第一次辉光放电;调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第二值,所述第二值小于第一值;及向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第二次辉光放电。2.如权利要求1所述的焊盘表面处理方法,其特征在于:所述第一值为1~2pa,所述第二值为0.5~1pa。.3.如权利要求1所述的焊盘表面处理方法,其特征在于:在第一次辉光放电中,氧气的流量为5~20sccm,氩气的流量为...
【专利技术属性】
技术研发人员:王桂福,
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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