半导体晶圆加工用粘合带制造技术

本发明专利技术提供特别是在硅晶圆等的背面磨削工序中，在背面研磨后从晶圆表面将半导体加工用粘合带剥离时不会产生残胶的半导体加工用粘合带。本发明专利技术的半导体晶圆加工用粘合带1，其特征在于，其具有基材膜2和设置于上述基材膜2的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层3，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶圆加工用粘合带
本专利技术涉及在半导体设备的加工中使用的粘合带，更详细而言，涉及适宜在半导体晶圆的背面磨削时使用的半导体加工用表面保护粘合带。
技术介绍
在半导体晶圆(以下，记载为晶圆)的加工工序中，在晶圆表面形成图案后，进行将晶圆背面磨削·研磨至规定厚度的所谓的背面磨削·研磨。此时，出于保护晶圆表面的目的，在晶圆表面贴合表面保护粘合带，晶圆背面以该状态被磨削。作为表面保护粘合带，提出了在聚烯烃等塑料膜上设置有以丙烯酸聚合物作为主要成分的粘合剂层的表面保护粘合带(例如，参照专利文献1)。由于加工后的晶圆薄且容易破损，所以在处理中需要注意。因此，作为构成粘合剂层的粘合剂，使用通过能量射线的照射使粘合力降低而使从晶圆的带剥离变得容易的能量射线固化型粘合剂。能量射线固化型粘合剂作为其成分具有能量射线固化性的双键。该双键有时存在于丙烯酸聚合物的分子中，也有作为不同于聚合物的其他分子、例如具有双键的低聚物存在的情况。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-240842
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在上述半导体加工用表面保护粘合带中，有时即使表观上粘合剂的粘性(以下，称为粘力)消失也没有完成利用能量射线照射的固化。此时，因固化不良而在晶圆表面产生粘合剂残渣(以下，称为残胶)。被指出若残胶产生于例如半导体中形成的电极上，则会在之后的工序中引起电连接不良、树脂密封时的粘接不良等各种问题。因此，本专利技术的目的是解决上述的问题，提供在半导体晶圆的加工、特别是硅晶圆等的背面磨削工序中，在背面研磨后从晶圆表面将半导体加工用粘合带剥离时不会产生残胶的半导体加工用粘合带。用于解决课题的方案本专利技术人对上述课题进行了深入研究，结果发现，粘合剂层的因能量射线照射引起的物性的变化在一定范围时对残胶的降低是有效的。本专利技术是基于该见解而进行的。为了解决上述课题，利用本申请专利技术的半导体晶圆加工用粘合带，其特征在于，其具有基材膜和设置于上述基材膜的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。上述基材膜，其特征在于，其包含含有选自聚乙烯及乙烯共聚物中的至少一种树脂的多个树脂层，与上述粘合剂层相接的上述树脂层包含醋酸乙烯酯含量为5～20质量％的乙烯醋酸乙烯酯共聚物，与上述粘合剂层相反一侧的最外侧的树脂层包含聚乙烯或醋酸乙烯酯含量为10质量％以下的乙烯醋酸乙烯酯共聚物。上述粘合剂层优选厚度为20～40μm，且包含能量射线反应性的脱模剂。利用本申请专利技术的半导体晶圆加工用粘合带优选为在表面形成有电路的半导体晶圆的背面磨削用。专利技术效果根据本专利技术，能够提供如下所述的半导体加工用粘合带，其在半导体晶圆的加工、特别是硅晶圆等的背面磨削工序中，在背面研磨后从晶圆表面将半导体加工用粘合带剥离时不会产生残胶。附图说明图1是示意性表示本专利技术的实施方式所述的半导体晶圆加工用粘合带的结构的截面图。图2是用于示意性说明本专利技术的实施方式所述的半导体晶圆加工用粘合带的使用例的说明图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术的实施方式所述的半导体晶圆加工用粘合带在基材膜的单面侧具有包含至少1种能量射线固化型粘合剂的粘合剂层。图1是表示本专利技术的半导体表面保护用粘合带1的优选的实施方式的概略截面图。如图1中所示的那样，半导体表面保护用粘合带1具有基材膜2，并在基材膜2上形成有粘合剂层3。此外，半导体表面保护用粘合带1在粘合剂层3上进一步具备用于保护粘合剂层3的剥离膜4。半导体表面保护用粘合带1也可以将基材膜2、粘合剂层3及剥离膜4的层叠体卷成卷状。以下，对本实施方式的半导体晶圆加工用粘合带1的各构成要素进行详细说明。(基材膜2)本实施方式的半导体晶圆表面保护粘合带1的基材膜2中使用的树脂没有特别限制，可以使用以往公知的树脂，但可以特别优选使用高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的金属交联体(离聚物)。由于这些树脂是柔软的，所以晶圆磨削时的缓冲性良好。各个树脂可以单独作为单层基材使用，也可以将树脂组合而共混，或者包含含有不同树脂的多个树脂层。此外，也可以将除上述以外的树脂、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯乙烯(PS)等高刚性树脂并用，但为了确保柔软性或追随性，优选使HDPE、LDPE、PP、EVA为基材厚度的50％以上。从磨削后的晶圆翘曲或柔软性的观点出发，优选使用EVA作为主要成分的膜。EVA根据醋酸乙烯酯的含量(以下，VA含量)而树脂的物性发生较大变化。本专利技术中适用的EVA优选VA含量为30质量％以下、特别优选为20质量％以下。特别是构成形成于与粘合剂层相接的面上的树脂层的EVA从对于被粘物的追随性及与粘合剂层的密合性的观点出发，VA含量优选为5质量％～20质量％。此外，着色料或抗静电剂等可以根据需要在不对物性造成影响的范围内加入添加物。另一方面，在由EVA构成形成于与粘合剂层相反一侧的最外侧的树脂层的情况下，从耐热性的观点出发，VA含量优选为10质量％以下。VA含量为10质量％以上时，有时例如在磨削加工中的热或切割芯片焊接膜的加热贴合时发生熔融。此外，通过将背面侧的最外层制成包含LDPE或HDPE的树脂层，可以得到更良好的耐热性。此外，由于仅为EVA时刚性小，所以也可以与HDPE或LDPE之类的刚性高的树脂制成多层构成。本实施方式的基材膜2的厚度没有特别限定，但优选为50～200μm、特别优选为80～180μm。为了提高与粘合剂层3的密合性，也可以对基材膜2的设置粘合剂层3的一侧的表面适当实施电晕处理或设置底漆层等处理。上述基材膜2的制造方法没有特别限定。可以使用挤出·吹胀·流延等以往的方法。此外，也可以将独立制膜的膜与其他的膜以粘接剂等贴合而制成基材膜。(粘合剂层3)构成粘合剂层3的粘合剂组合物没有特别限制，可以使用丙烯酸、橡胶、硅酮之类的材料，但特别是从耐候性或价格等方面出发适宜使用丙烯酸。作为丙烯酸粘合剂，可列举出具有(甲基)丙烯酸酯作为构成成分的共聚物。此外，在本专利技术中，(甲基)丙烯酸系单体设定为包含丙烯酸系单体和甲基丙烯酸系单体这两者的单体。作为构成包含丙烯酸酯作为构成成分的聚合物的单体成分，可列举出例如具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、及十二烷基等碳原子数为30以下、优选碳原子数为4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用，也可以将2种以上并用。作为除上述以外的丙烯酸树脂中的构成成分，可以包含以下的单体。可列举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆加工用粘合带，其特征在于，其具有基材膜和设置于所述基材膜的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.16 JP 2015-0518321.一种半导体晶圆加工用粘合带，其特征在于，其具有基材膜和设置于所述基材膜的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆加工用粘合带，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：内山具朗，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP