银微粒子制造技术

银微粒子的粒径为65nm以上且80nm以下，在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜。银微粒子的差热分析的放热峰温度为140℃以上且155℃以下。银微粒子优选为将于温度100℃烧成1小时后的粒径设为d，且将烧成前的粒径设为D时，以(d‑D)/D(％)表示的粒成长率为50％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】银微粒子
本专利技术涉及一种可用于太阳电池及发光元件等各种装置、导电糊、积层陶瓷电容器等电子零件的电极、印刷配线基板的配线、触控面板的配线、以及可挠性电子纸张等的银微粒子，尤其涉及一种可进行低温下的烧成，且具有小粒径的银微粒子。
技术介绍
目前，各种的微粒子使用于各式各样的用途中。举例来说，金属微粒子、氧化物微粒子、氮化物微粒子、碳化物微粒子等微粒子在半导体基板、印刷基板、各种电绝缘零件等电绝缘材料、切削工具、铸模、轴承等高硬度高精度的机械工作材料、晶界电容器、湿度感测器等机能性材料、精密烧结成形材料等烧结体的制造、引擎阀等要求高温耐摩耗性的材料等的熔射零件制造、甚或燃料电池的电极、电解质材料及各种触媒等领域中使用。微粒子当中，公知银的微粒子用于太阳电池及发光元件等各种装置、导电糊、积层陶瓷电容器等电子零件的电极、印刷配线基板的配线、触控面板的配线、以及可挠性电子纸张等。通过对银的微粒子进行烧成，可获得银的电极、及银的配线。银的微粒子及其制造方法例如公开于专利文献1、2。专利文献1中记载一种超微粒子的制造方法，其在减压下，将超微粒子制造用材料，使用惰性气体作为载送气体导入到热电浆焰中使其分散，形成气相状态的混合物，再以急速冷却该气相状态的混合物所需的充分的供给量，将烃类气体与该烃类气体以外的冷却用气体的混合气体，在与平行于热电浆焰的垂直方向的角度超过90°且未达240°，而且在与热电浆焰的垂直方向垂直的面内，以与热电浆焰的中心部所夹的角度满足超过-90°且末达90°的方式，朝向热电浆焰的终端部(尾部)予以导入，生成超微粒子，再使该生成的超微粒子与烃类气体接触，来制造表面被覆有由碳氢化合物构成的薄膜的超微粒子。在专利文献1中，记载利用上述的制造方法来制造银的超微粒子。专利文献2中记载一种银粉，其通过扫描型电子显微镜(SEM)像的影像解析所得的D50为60nm-150nm，依据JISZ2615(金属材料的碳定量方法通则)所测得的碳(C)量未达0.40wt％，且含有呈真球状或略呈真球状的银粉粒子。专利文献2的银粉据称可进行175℃以下的烧结。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4963586号公报专利文献2：日本特开2014-098186号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如以上所述，专利文献1中记载一种使用电浆的银的超微粒子的制造方法。专利文献2中记载一种D50与碳量被规定的银粉，据称可进行175℃以下的烧结。此后，为了可使用耐热性较低的基板，而要求可进行更低温下的烧成的银微粒子；而且为了可获取微细配线，而要求小粒径的银微粒子。本专利技术目的在于解决前述已知技术所衍生的问题，而提供一种可在比以往更低的温度下进行烧成，而且为小粒径的银微粒子。用于解决问题的手段为达成上述目的，本专利技术提供一种银微粒子，其特征为粒径为65nm以上且80nm以下，在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜，差热分析的放热峰温度为140℃以上且155℃以下。优选地，将于温度100℃烧成1小时后的粒径设为d，且将烧成前的粒径设为D时，以(d-D)/D(％)表示的粒成长率为50％以上。专利技术的效果根据本专利技术的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子，可以在比以往更低的温度下进行烧成。附图说明图1为表示本专利技术的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的热重量测定曲线及差热曲线的一例的图。图2为表示本专利技术的实施方式涉及的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的制造方法所采用的微粒子制造装置的示意图。图3中(a)为表示显示实施例4的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的SEM像的示意图；(b)为表示显示烧成后的实施例4的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的SEM像的示意图。图4中(a)为表示显示比较例1的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的SEM像的示意图；(b)为表示显示烧成后的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的比较例1的银微粒子的SEM像的示意图。图5中(a)为表示显示比较例6的在表面上具有由烃化含物构成的薄膜的银微粒子的SEM像的示意图；(b)为表示显示烧成后的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的比较例6的银微粒子的SEM像的示意图。图6中(a)为表示显示比较例7的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的SEM像的示意图；(b)为表示显示烧成后的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的比较例7的银微粒子的SEM像的示意图。附图标记10微粒子制造装置12电浆炬14材料供给装置151次微粒子16腔室18微粒子(2次微粒子)19旋风器20回收部22电浆气体供给源24热电浆焰28气体供给装置30真空泵具体实施方式以下，基于附图所示的较佳实施方式，对本专利技术的银微粒子进行详细说明。本专利技术的银微粒子的粒径为65nm以上且80nm以下，在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜。银微粒子的差热分析的放热峰温度为140℃以上且155℃以下。并且，银微粒子优选为将于温度100℃烧成1小时后的粒径设为d，且将烧成前的粒径设为D时，以(d-D)/D(％)表示的粒成长率为50％以上。本专利技术中的“粒径”是指采用BET法所测得的值，即假设粒子为球形，由比表面积算出的平均粒径。差热分析的放热峰温度若为140℃以上且155℃以下，通过对银微粒子例如于温度100℃进行烧成1小时，可使银微粒子彼此结合而变大、或展现金属光泽。若在大气中对本专利技术的银微粒子进行加热，则被覆其表面的薄膜的碳氢化合物会与大气中的氧气反应，伴随放热燃烧而分解。差热分析的放热峰温度(℃)是利用TG-DTA(差热热重量同时测定装置)，测定该放热的程度，表示放热最多时的温度。即，表示该放热峰温度越低，被覆表面的薄膜的碳氢化合物越容易分解，薄膜消失后的银微粒子彼此越容易接触，因此可在更低的温度下进行银微粒子的烧成。其次，对根据TG-DTA(差热热重量同时测定装置)的本专利技术的银微粒子的测定结果进行说明。此处，图1为表示本专利技术的在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜的银微粒子的热重量测定曲线及差热曲线的一例的图。在图1中，符号G表示差热(DTA)曲线，符号H表示热重量测定(TG)曲线。此外，产生差热曲线G的放热峰Gp的温度对应上述的放热峰温度。热重量测定曲线H表示重量变化，从差热曲线G的放热峰Gp之前开始减少。这表示水分等碳氢化合物以外的物质发生蒸发/燃烧，且碳氢化合物也在差热曲线G的放热峰Gp之前开始分解，因此重量便减少。并且，在差热曲线G的放热峰Gp附近，由热重量测定曲线H的斜率变大可知，分解正在进行。可以看出，由分解产生热，产生差热曲线G的放热峰Gp。差热曲线G的放热峰Gp并非在分解的一开始产生，而是在分解进行得最剧烈的时候产生。并且，差热曲线G的放热峰温度，只要银微粒子的表面所生成的碳氢化合物的种类、比例不变则不会变化。此时，当银微粒子的表面所生成的碳氢化合物的种类、比例未变化，而量改变时，放热峰温度的差热(DTA)值会发生变化。银微粒子优选为在将于温度100℃在大气中烧成1小时后的粒径设为d，且将烧成前的粒径设为D时，以(d-D)/D(％)表示的粒成长率为50％以上。粒成长率的数值表示于温度100℃烧成1小时之际的银微粒子彼此熔合的进行程度。粒成长率的数值较大，表示可于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银微粒子，其特征为，粒径为65nm以上且80nm以下，在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜，差热分析的放热峰温度为140℃以上且155℃以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.21 JP 2014-2366081.一种银微粒子，其特征为，粒径为65nm以上且80nm以下，在表面上具有由碳氢化合物构成的薄膜，差热...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡邉周，中村圭太郎，末安志织，
申请(专利权)人：日清工程株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP