一种TiB2-TiC陶瓷复合材料及其制备方法技术

技术编号:16094117 阅读:43 留言:0更新日期:2017-08-29 19:14
本发明专利技术公开一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料及其制备方法,按以下步骤进行:第一步,将TiO2粉为66.6%~68.1%,B4C粉为14%~16.5%,C粉为17%~17.9%按质量百分比混合;第二步,将所述混合粉进行研磨,得到研磨后粉体;第三步,将所述研磨后粉体装入坩埚中,进行还原处理,得到TiB2‑TiC复合粉体;第四步,将所述复合粉体进行烧结,得到烧结体;第五步,将所述烧结体脱模,得到的一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料。TiB2‑TiC陶瓷复合材料制备过程合成的温度低,能耗小,工序得到极大简化且制备得到的陶瓷复合材料致密度高,TiB2和TiC两相分布均匀,结构紧凑,晶粒尺寸细小。

【技术实现步骤摘要】
一种TiB2-TiC陶瓷复合材料及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷复合材料
,具体涉及一种TiB2-TiC陶瓷复合材料及其制备方法。
技术介绍
在金属的切削过程中,提高切削速率可极大地提高加工效率,高速切削加工已成为机械制造业的重要发展方向。在高切削速度和断续切削条件下,刀具对高温和氧化的耐受能力不足,限制了切削速率的进一步提高。现有用于刀具材料的TiC基和Ti(C,N)基金属陶瓷通常通过添加WC、NbC、Mo2C、TaC等第二类碳化物改善润湿性,其断裂韧性有所提高,中国专利CN101500963A报道了一种(Ti,W)C-WC-Ni金属陶瓷,其断裂韧性为12.2MPa·m1/2,但是由于金属粘接相的存在,其硬度较低,仅为14.3GPa。而且金属粘接相会降低其热稳定性和红硬性。在非氧化物复合材料的传统制备工艺中,都是先分别通过硼热反应和碳热反应单独制备TiB2和TiC粉末,然后通过机械混合的方式将两者混合后烧结。单独的硼热还原和碳热还原所需温度高,时间长,能耗大。例如中国专利CN105533A报道了在1400~1700℃下,以活性炭、五硼酸铵以及TiO2还原制备TiB2的方法,产品粒度10μm左右,较为粗大,并且合成温度高,周期长。以传统的碳热还原制备TiC,需以碳和TiO2为原料,在碳管炉中以2200℃以上的高温进行碳化。而且在后续的混合过程中,存在TiB2和TiC粉末均匀性欠佳,最终影响复合材料性能欠佳的情况。鉴于上述缺陷,本专利技术创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本专利技术。
技术实现思路
为解决上述技术缺陷,本专利技术采用的技术方案在于,提供一种TiB2-TiC陶瓷复合材料制备方法,其特征在于,按以下步骤进行:第一步,将TiO2粉为66.6%~68.1%,B4C粉为14%~16.5%,C粉为17%~17.9%按质量百分比混合;第二步,将所述混合粉进行研磨,得到研磨后粉体;第三步,将所述研磨后粉体装入坩埚中,进行还原处理,得到TiB2-TiC复合粉体;第四步,将所述复合粉体进行烧结,得到烧结体;第五步,将所述烧结体脱模,得到一种TiB2-TiC复合材料。较佳的,所述研磨机为行星式球磨机,介质为碳化钨的球磨罐和直径为5mm的研磨球。较佳的,所述还原处理是在真空碳管炉中进行碳热\硼热处理,温度1100~1300℃,保温时间1~2h,真空度<10Pa。较佳的,所述真空碳管炉保温结束后,直接将炉温升至1300~2000℃进行烧结,烧结保温时间为30~120min,真空度<10Pa。较佳的,用热压烧结、无压烧结、热等静压烧结替代所述真空碳管炉直接烧结。较佳的,所述烧结为热压烧结,其烧结温度为1600~2000℃,用单向/双向加压的方式加压,施加的压力为10~50MPa,烧结保温时间为30~120min,真空度<10Pa。较佳的,所述烧结为无压烧结,经过50~200MPa冷等静压成型后,进行烧结,烧结温度为1600~2000℃,烧结保温时间为30~120min,真空度<10Pa。较佳的,所述烧结为热等静压烧结,烧结温度为1300~1700℃,施加的压力为50~200MPa,烧结保温时间为30~120min,真空度<10Pa。与现有技术比较本专利技术的有益效果在于:1,合成温度低,能耗小,粉体成分可控性好,粉体粒度小,其平均粒径不大于500nm,相比单独制备后再次机械混合,TiB2和TiC两相分布均匀,杂质少,并且工序得到极大简化。2,采用该复合粉体烧结出的TiB2-TiC复合材料,致密度高,TiB2和TiC两相分布均匀,结构紧凑,晶粒尺寸细小。3,观察复合材料的微观组织,TiB2和TiC晶粒发育完全,TiC晶粒则均为等轴状,TiB2晶粒呈现明显的长棒状特征,长径比约为(4~6):1,位错密度适中,有利于韧性的提高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术各实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是本专利技术的TiB2-TiC复合粉体的RD图谱;图2是本专利技术的TiB2-TiC复合材料的抛光表面扫描电镜照片;图3是本专利技术的TiB2-TiC复合材料裂纹扩展路径的扫描照片;图4是本专利技术的TiB2-TiC复合材料相态图。具体实施方式以下结合附图,对本专利技术上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。实施例1预先设定TiB2-TiC复合粉体中TiC所占的质量百分比为36.4%。将TiO2粉,B4C粉,C粉混合,其中TiO2粉纯度为99%,平均粒径20μm,B4C粉纯度为99%,平均粒径20μm,C粉为无定型碳,纯度为99%;各原料组分质量百分比(wt.%)如表1所示:表1将混合粉体放入行星式球磨机,利用碳化钨球磨罐和直径为5mm研磨球进行球磨。将球磨后粉体装入石墨坩埚中,在真空碳管炉中进行碳热\硼热还原处理,温度为1100℃,保温1h,得到TiB2-TiC复合粉体,其中TiC所占的质量百分比为36.4%。将制备的复合粉体取出,在真空热压烧结炉中以1800℃热压烧结,真空度<10Pa,单向加压10MPa,保温时间30min,将烧结体脱模后,得到TiB2-TiC复合材料。复合材料的致密度为95.7%,室温下的三点弯曲强度为510~515MPa,弹性模量为520~530MPa,维氏硬度为18.0~18.7GPa,断裂韧性为9.1~9.5MPa·m1/2。实施例2预先设定TiB2-TiC复合粉体中TiC所占的质量百分比为36.4%。按照表1所示质量百分比,将TiO2粉,B4C粉,C粉混合,其中TiO2粉纯度为99%,平均粒径20μm,B4C粉纯度为99%,平均粒径20μm,C粉为无定型碳,纯度为99%。将混合粉体放入行星式球磨机,利用碳化钨球磨罐和直径为5mm研磨球进行球磨。将球磨后粉体装入石墨坩埚中,在真空碳管炉中进行碳热\硼热还原处理,温度为1100℃,保温1h,得到TiB2-TiC复合粉体,其中TiC所占的质量百分比为36.4%。将制备的复合粉体取出,在真空热压烧结炉中以2000℃热压烧结,真空度<10Pa,单向加压50MPa,保温时间60min,将烧结体脱模后,得到TiB2-TiC复合材料。复合材料的致密度为98.3%,室温下的三点弯曲强度为569~573MPa,弹性模量为536~544MPa,维氏硬度为19.0~19.5GPa,断裂韧性为9.6~10.1MPa·m1/2。实施例3预先设定TiB2-TiC复合粉体中TiC所占的质量百分比为40.0%。将TiO2粉,B4C粉,C粉混合,其中TiO2粉纯度为99%,平均粒径20μm,B4C粉纯度为99%,平均粒径20μm,C粉为无定型碳,纯度为99%;各原料组分质量百分比(wt.%)如表2所示:表2将混合粉体放入行星式球磨机,利用碳化钨球磨罐和直径为5mm研磨球进行球磨。将球磨后粉体装入石墨坩埚中,在真空碳管炉中进行碳热\硼热还原处理,温度为1200℃,保温1h,得到TiB2-TiC复合粉体,其中TiC所占的质量百分比为40.0%。将制备的复合粉体取出,在真空热压烧结炉中以2000℃热压烧结,真空度<10Pa,单向加压50MPa,保温时间60min,将烧结体脱模后,得到TiB2-TiC复合材料。复合材料的致密本文档来自技高网...
一种TiB2-TiC陶瓷复合材料及其制备方法

【技术保护点】
一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料制备方法,其特征在于,按以下步骤进行:第一步,将TiO2粉为66.6%~68.1%,B4C粉为14%~16.5%,C粉为17%~17.9%按质量百分比混合;第二步,将所述混合粉进行研磨,得到研磨后粉体;第三步,将所述研磨后粉体装入坩埚中,进行还原处理,得到TiB2‑TiC复合粉体;第四步,将所述复合粉体进行烧结,得到烧结体;第五步,将所述烧结体脱模,得到的一种TiB2‑TiC陶瓷复合材料。

【技术特征摘要】
1.一种TiB2-TiC陶瓷复合材料制备方法,其特征在于,按以下步骤进行:第一步,将TiO2粉为66.6%~68.1%,B4C粉为14%~16.5%,C粉为17%~17.9%按质量百分比混合;第二步,将所述混合粉进行研磨,得到研磨后粉体;第三步,将所述研磨后粉体装入坩埚中,进行还原处理,得到TiB2-TiC复合粉体;第四步,将所述复合粉体进行烧结,得到烧结体;第五步,将所述烧结体脱模,得到的一种TiB2-TiC陶瓷复合材料。2.如权利要求1所述的一种TiB2-TiC陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述研磨机为行星式球磨机,介质为碳化钨的球磨罐和直径为5mm的研磨球。3.如权利要求2所述的一种TiB2-TiC陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述还原处理是在真空碳管炉中进行碳热\硼热处理,温度1100~1300℃,保温时间1~2h,真空度<10Pa。4.如权利要求3所述的一种TiB2-TiC陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述真空碳管炉保温结束后,直接将炉温升至1300~2000℃进行烧结,烧结保温时间为30~120min,真空度<...

【专利技术属性】
技术研发人员:王玉金赵彦伟张翰超陈磊姚绵懿周玉
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:黑龙江,23

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