显示面板的制造方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种显示面板的制造方法和显示面板，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底层上形成有源层；在形成有有源层的衬底层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区；去除与光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案；去除第二光刻胶区的光刻胶；对第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触。本发明专利技术通过形成具有不同厚度区域的光刻胶图案，进而使得能够在源漏极形成前对有源层的接触区域进行预设处理。解决了相关技术中漏极与有源层图案之间的接触电阻仍然较大的问题。达到了源漏极与有源层图案之间的接触电阻较小的效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制造方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板的制造方法和显示面板。
技术介绍
显示面板通常包括有多个薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)，根据显示面板种类的不同，这些TFT可以对显示面板进行不同的控制。相关技术中有一种显示面板的制造方法，该方法依次在衬底层上形成有源层图案、源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。之后以栅导电图案作为掩膜，对有源层图案进行离子注入，以减少源漏导电图案中的源漏极(源漏极包括源极和漏极)与有源层图案之间的接触电阻。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：上述方法以栅导电图案作为掩膜来对有源层图案进行离子注入时，源漏极会阻挡大量离子进入到有源层图案中，进而导致源漏极与有源层图案之间的接触电阻仍然较大。
技术实现思路
为了解决现有技术中源漏极会阻挡大量离子进入到有源层图案中，进而导致源漏极与有源层图案之间的接触电阻仍然较大的问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板的制造方法和显示面板。所述技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：在衬底层上形成有源层；在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；去除与所述光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案；去除所述第二光刻胶区的光刻胶；对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使所述第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触，所述第二光刻胶区对应的有源层图案用于与源漏极接触；去除所述第一光刻胶区的光刻胶；在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。可选的，所述在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，包括：在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶层；采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，得到所述光刻胶图案。可选的，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，包括：对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。可选的，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入，包括：以低能量离子对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。可选的，所述在衬底层上形成有源层，包括：在所述衬底层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行晶化处理，使所述非晶硅层转变为作为所述有源层的多晶硅层。可选的，所述去除所述第二光刻胶区的光刻胶，包括：通过灰化工艺持续减小所述光刻胶图案的厚度，直至去除所述第二光刻胶区的光刻胶时停止。可选的，所述去除所述第一光刻胶区的光刻胶，包括：通过灰化工艺去除所述第一光刻胶区的光刻胶。可选的，所述在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案，包括：在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上形成所述源漏导电图案，所述源漏导电图案包括源极、漏极和存储电容的第一极；在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底层上形成所述栅导电图案，所述栅导电图案包括栅极和所述存储电容的第二极。可选的，所述在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层，包括：通过等离子增强化学气相沉积PECVD工艺在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层。可选的，所述栅绝缘层的材料包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。根据本专利技术的第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的方法制造的显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过形成具有不同厚度区域的光刻胶图案，进而使得能够在源漏极形成前对有源层的接触区域进行离子注入，避免了源漏极对于离子的阻挡。解决了相关技术中源漏极会阻挡大量离子进入到有源层图案中，进而导致源漏极与有源层图案之间的接触电阻仍然较大的问题。达到了源漏极与有源层图案之间的接触电阻较小的效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例示出的一种显示面板的制造方法的流程图；图2-1是本专利技术实施例示出的另一种显示面板的制造方法的流程图；图2-2是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-3是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-4是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-5是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-6是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-7是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图；图2-8是图2-1所示实施例中一种衬底层的结构示意图。上述各个附图中，附图标记的含义可以为：21-衬底层，22-有源层，23-光刻胶，231-第一光刻胶区，232-第二光刻胶区，233-光刻胶完全去除区，221-有源层图案，31-源漏导电图案，311-源极，312-漏极，313-第一极，41-栅绝缘层，42-栅导电图案，421-栅极，422-第二极。通过上述附图，已示出本专利技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例示出的一种显示面板的制造方法的流程图，本实施例以该显示面板的制造方法应用于制造显示面板来举例说明。该显示面板的制造方法可以包括如下几个步骤：步骤101、在衬底层上形成有源层。步骤102、在形成有有源层的衬底层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且第一光刻胶区的光刻胶厚度大于第二光刻胶区的光刻胶厚度。步骤103、去除与光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案。步骤104、去除第二光刻胶区的光刻胶。步骤105、对第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触。步骤106、去除第一光刻胶区的光刻胶。步骤107、在去除了第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。综上所述，本专利技术实施例提供的显示面板的制造方法，通过形成具有不同厚度区域的光刻胶图案，进而使得能够在源漏极形成前对有源层的接触区域进行离子注入，避免了源漏极对于离子的阻挡。解决了相关技术中源漏极会阻挡大量离子进入到有源层图案中，进而导致源漏极与有源层图案之间的接触电阻仍然较大的问题。达到了源漏极与有源层图案之间的接触电阻较小的效果。图2-1是本专利技术实施例示出的另一种显示面板的制造方法的流程图，本实施例以该显示面板的制造方法应用于制造显示面板来举例说明。该显示面板的制造方法可以包括如下几个步骤：步骤201、在衬底层上形成非晶硅层。在使用本专利技术实施例提供的显示面板的制造方法时，首先可以在衬底层上形成非晶硅(a-Si)层。其中，衬底层可以是缓冲层(buf本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底层上形成有源层；在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；去除与所述光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案；去除所述第二光刻胶区的光刻胶；对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使所述第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触；去除所述第一光刻胶区的光刻胶；在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底层上形成有源层；在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；去除与所述光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案；去除所述第二光刻胶区的光刻胶；对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使所述第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触；去除所述第一光刻胶区的光刻胶；在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，包括：在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶层；采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，得到所述光刻胶图案。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，包括：对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入，包括：以低能量离子对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹裕程，李栋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11