产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件制造技术

一种电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号来向非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个通过具有约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。

A voltage supply device that generates a voltage applied to a non-volatile memory cell

A voltage supply device includes a bias generator, a control signal generator, and a cell switching circuit. A bias generator divides the first supply voltage to output a plurality of sub supply voltages. A control signal generator receives a plurality of sub supply voltages to generate a plurality of control signals. The unit switching circuit receives a plurality of control signals to provide one or more of the ground voltage, the first supply voltage, or the second power supply voltage different from the first supply voltage to the nonvolatile memory cell. Each of the bias generator, the control signal generator, and the unit switching circuit is implemented by a medium voltage MOS transistor having a breakdown voltage of about 7 volts to about 15 volts.

【技术实现步骤摘要】
产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月12日提交的第10-2016-0016571号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用其整体合并于此。
本公开各实施例总体而言涉及产生用于半导体器件的存储单元的电压的电压供应器件，更具体地，涉及产生用于非易失性存储单元的电压的电压供应器件。
技术介绍
半导体器件可以从外部设备接收电源电压来操作。由该外部设备提供的电源电压通常具有恒定的电平。一般地，在半导体器件的操作中会使用具有不同电平的各种电压。例如，在非易失性存储(NVM)器件的非易失性存储(NVM)单元的操作中会用到具有不同电压水平的至少读取电压、擦除电压和编程电压(也称作写入电压)。因此，一般需要使用电压供应器件给NVM单元供应各种不同的电压来操作这些NVM单元。
技术实现思路
各实施例涉及一种产生用于操作非易失性存储单元的多个电压的改善的电压供应器件。根据一实施例，电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号以为非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个使用具有从约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。附图说明根据附图和所附详细描述，本专利技术的各实施例将变得更加明显，其中：图1是示出产生施加给非易失性存储单元的电压的常规电压供应器件的框图。图2是在图1中的电压供应器件中所包括的电平移位器的电路图。图3是在图1中的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。图4是示出根据本专利技术一实施例的电压供应器件的框图。图5是示出根据本专利技术一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的偏压发生器的电路图。图6是示出根据本专利技术一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的控制信号发生器的框图。图7是示出根据本专利技术一实施例的图6中的控制信号发生器中所包括的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的逻辑电路图。图8和图9是示出根据本专利技术一实施例的在图7中示出的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的操作的电路图。图10是示出根据本专利技术的一实施例的图6的第二控制信号发生器的示例配置的逻辑电路图。图11和图12是示出根据本专利技术一实施例的图10中示出的第二控制信号发生器的操作的电路图。图13是示出根据本专利技术的一实施例的图6的控制信号发生器中所包括的第三控制信号发生器的逻辑电路图。图14和图15是示出根据本专利技术一实施例的图13示出中的第三控制信号发生器的操作的电路图。图16是示出根据本专利技术一实施例的图4的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。图17是示出根据本专利技术的一实施例的图16的单元切换电路的操作的电路图。图18是示出根据本专利技术一实施例的图16的单元切换电路的操作的电路图。图19是根据本专利技术一实施例的图16的单元切换电路的操作的电路图。具体实施方式以下将通过各个实施例参考附图来描述本专利技术。然而，本专利技术也可以以各种不同形式来实施，并且不应理解为受限于本文所述实施例。更确切地说，提供这些实施例作为示例使得本公开将彻底且完整，并能将本专利技术的各个方面和特征充分地传达给本领域技术人员。将理解，尽管在本文中可能使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各个元件，这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。因此，在不偏离本专利技术的精神和范围的前提下，下文描述的第一元件也可以称为第二元件或第三元件。附图未必一定按比例，并且，在一些例子中，可能为了清楚地图示实施例的特征而夸大比例。本文中所用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，而非意图限制本专利技术。如在本文中使用，单数形式也意图包括复数形式，除非上下文中另有清晰指示。还将理解，在本文中使用术语“包括”、“包含”时指明所述元件的存在，且不排除一个或多个其他元件的存在或添加。如在本文中使用，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或更多个的任何组合和所有组合。除非另有定义，否则本文中使用的包含技术和科学术语的所有术语具有与本专利技术所属领域的一般技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中所定义的术语的术语应理解为具有与其在相关领域背景中的含义相一致的含义，而不应以过于理想化或过于形式感的含义来理解，除非本文中如此明确地定义。在以下描述中，阐述若干具体细节以提供关于本专利技术的彻底理解。可以在不存在这些具体细节中的一些或全部的前提下实践本专利技术。在其他例子中，没有详细描述熟知的工艺结构和/或工艺以免不必要地使本专利技术模糊。此外，当将一元件被称作位于另一元件“上”、“之上”、“上方”、“下”或“下方”时，其意图表示相对位置关系，而非用于限制该元件直接接触该另一元件或两者间存在至少一个中间元件的特定情况。因此，诸如在本文中使用的“上”、“之上”、“上方”、“下”、“之下”和“下方”等的术语仅是出于描述特定实施例的目的，而非意图限制本公开的范围。另外，当将一元件被称作“连接”或“耦接”至另一元件时，该元件可以直接电连接或电耦接或机械连接或机械耦接至该另一元件，或者可以通过替换相互间的其他元件来形成连接关系或耦接关系。还注意，在一些例子中，如相关领域的技术人员所明显的，结合一实施例描述的特征或元件可以单独使用或与另一实施例的其他特征或元件组合使用，除非另有特别指示。图1是示出产生施加给非易失性存储单元的电压的常规电压供应器件100的框图。参见图1，常规电压供应器件100可以包括电平移位器110和单元切换电路120。电平移位器110可以接收电源电压以产生并输出具有与该电源电压不同电平的电压。一般来说，电平移位器110可以产生高于电源电压的电压。单元切换电路120可以充当将由电平移位器110产生的高电压选择性地供应给半导体器件的存储单元的开关。即，除电源电压和接地电压以外，可以将高电压供应给存储单元。因此，可以使用各种不同的电压(诸如由电平移位器110产生的高电压、被输入到电平移位器110的电源电压和接地电压)来对存储单元执行编程操作、擦除操作或读取操作。图2是在电压供应器件100中所包括的电平移位器110的电路图。参见图2，电平移位器110可以包括形成交叉耦合锁存结构的NMOS晶体管NM1和NM2对和PMOS晶体管PM1和PM2对。第一NMOS晶体管NM1的源极和第二NMOS晶体管NM2的源极共用耦接至接地电压GND。第一NMOS晶体管NM1的漏极和第二NMOS晶体管NM2的漏极分别耦接至第一节点N1和第二节点N2。第一节点N1耦接至第二输出节点OUT2。第二节点N2耦接至第一输出节点OUT1。第一NMOS晶体管NM1的栅极耦接至反相器IN的输出节点。第二NMOS晶体管NM2的栅极耦接至反相器IN的输入节点。因此，施加给第二NMOS晶体管NM2的栅极的输入信号可以被反相并被施加给第一NMOS晶体管NM1的栅极。电源电压VDD或接地电压GND可以被施加给反相器IN的输入节点。第一PMOS晶体管PM1的源极和第二PMOS晶体管PM2的源极两者均耦接至具有比电源电压VDD的电压高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压供应器件，其包括：偏压发生器，所述偏压发生器适用于将第一电源电压分压以输出多个分电源电压；控制信号发生器，所述控制信号发生器适用于接收所述多个分电源电压以产生多个控制信号；以及单元切换电路，所述单元切换电路适用于接收所述多个控制信号来为非易失性存储单元提供接地电压、所述第一电源电压以及与所述第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个，其中，所述偏压发生器、所述控制信号发生器和所述单元切换电路中的每一个通过中压MOS晶体管来实施，所述中压MOS晶体管具有约7伏特至约15伏特的击穿电压。

【技术特征摘要】
2016.02.12 KR 10-2016-00165711.一种电压供应器件，其包括：偏压发生器，所述偏压发生器适用于将第一电源电压分压以输出多个分电源电压；控制信号发生器，所述控制信号发生器适用于接收所述多个分电源电压以产生多个控制信号；以及单元切换电路，所述单元切换电路适用于接收所述多个控制信号来为非易失性存储单元提供接地电压、所述第一电源电压以及与所述第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个，其中，所述偏压发生器、所述控制信号发生器和所述单元切换电路中的每一个通过中压MOS晶体管来实施，所述中压MOS晶体管具有约7伏特至约15伏特的击穿电压。2.根据权利要求1所述的电压供应器件，其中，所述偏压发生器包括：第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管耦接至接地电压；以及多个电阻器，所述多个电阻器串联耦接在所述第一NMOS晶体管与所述第一电源电压之间。3.根据权利要求2所述的电压供应器件，其中，所述多个电阻器具有基本上相同的电阻值，以及其中，所述多个分电源电压分别通过在所述多个电阻器之间耦接的输出节点来输出。4.根据权利要求2所述的电压供应器件，其中，所述第一NMOS晶体管的源极和块体彼此耦接。5.根据权利要求1所述的电压供应器件，其中，所述多个电阻器的数目是六，其中，所述多个电阻器具有基本上相同的电阻值，以及其中，所述多个分电源电压包括为所述第一电源电压的六分之五的第一分电源电压、为所述第一电源电压的三分之二的第二分电源电压、为所述第一电源电压的一半的第三分电源电压、为所述第一电源电压的三分之一的第四分电源电压、以及为所述第一电源电压的六分之一的第五分电源电压。6.根据权利要求5所述的电压供应器件，其中，所述控制信号发生器包括：第一和第六控制信号发生器，所述第一和第六控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第一使能信号、所述第一电源电压以及所述第一分电源电压至第五分电源电压，以输出在所述多个控制信号中的第一控制信号和第六控制信号；第二控制信号发生器，所述第二控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第二使能信号、所述第三分电源电压以及所述第五分电源电压，以输出在所述多个控制信号中的第二控制信号；以及第三控制信号发生器，所述第三控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第三使能信号、所述第三分电源电压以及所述第五分电源电压，以输出在所述多个控制信号中的第三控制信号。7.根据权利要求6所述的电压供应器件，其中，所述控制信号发生器输出所述第三分电源电压作为在所述多个控制信号中的第五控制信号，以及输出所述第三使能信号作为在所述多个控制信号中的第四控制信号。8.根据权利要求6所述的电压供应器件，其中，所述第一使能信号和所述第三使能信号具有与所述第四分电源电压相同的电压水平。9.根据权利要求8所述的电压供应器件，其中，所述第一和第六控制信号发生器包括：第一反相器，所述第一反相器适用于接收所述第一使能信号或所述接地电压；第二反相器，所述第二反相器具有与所述第一反相器的输出节点耦接的输入节点；第三反相器，所述第三反相器具有与所述第二反相器的输出节点耦接的输入节点；第四反相器，所述第四反相器具有与所述第三反相器的输出节点耦接的输入节点；以及第五反相器，所述第五反相器具有与所述第四反相器的输出节点耦接的输入节点；其中，所述第一控制信号和第六控制信号分别通过所述第五反相器的输出节点和所述第三反相器的输出节点来输出。10.根据权利要求9所述的电压供应器件，其中，所述第一反相器包括具有被施加所述第三分电源电压的源极的第一PMOS晶体管以及具有被施加所述第五分电源电压的源极的第二NMOS晶体管，其中，所述第二反相器包括具有被施加所述第二分电源电压的源极的第二PMOS晶体管以及具有被施加所述第四分电源电压的源极的第三NMOS晶体管，其中，所述第三反相器包括具有被施加所述第一分电源电压的源极的第三PMOS晶体管以及具有被施加所述第三分电源电压的源极的第四NMOS晶体管，其中，所述第四反相器包括具有被施加所述第一电源电压的源极的第四PMOS晶体管以及具有被施加所述第二分电源电压的源极的第五NMOS晶体管，以及其中，所述第五反相器包括具...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑会三，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR