The invention relates to a method for inducing the growth of a red earth oxide film by the chemical activity of graphene quantum dots, and uses the high chemical activity of the graphene quantum dot surface effect to induce the growth of the red crystal of the crystal. Graphene oxide quantum dots (1) are induced on the SiO2 substrate (3) and the red ene molecules (2) are grown at the edge of the graphene quantum dots (1) under the Shi Moxi quantum dots (1). The gqds (1) by solvothermal method modified graphene oxide prepared by Hummers method in 220 s. C autoclave for cutting, then the graphene quantum point (1) dissolved in ethanol spin coated on SiO2 substrates by drying, graphene quantum dots (1) is punctate distribution, then rubrene molecules (2) along the graphene quantum dots (1) edge of the lateral growth, gradually covered the entire substrate, the formation of rubrene thin films ordered and uniform. The method is beneficial to realize the crystalline growth of the red alkene and form a highly ordered film.
【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法
本专利技术涉及一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法,属于有机半导体材料成膜
技术介绍
有机薄膜晶体管是以有机半导体材料作为有源层,与无机半导体器件比其具有价格低廉、柔性特征、工艺简单等优点,广泛应用到平板显示、柔性显示、薄膜太阳能电池、头盔设备等电子领域。其中有机小分子材料红荧烯倍受关注,单晶红荧烯的场效应迁移率可达40cm2/V•s,但是红荧烯在固态下倾向于无规则排列,难以通过溶液加工和真空蒸镀方法制备出高有序的红荧烯薄膜,而制备出高有序的有机薄膜是决定器件性能的关键。红荧烯生长是一个复杂的平衡过程,受衬底结构、温度、晶格匹配、沉积速度等因素的影响,目前多采用在红荧烯与衬底之间引入诱导层、缓冲层或通过退火等手段来提高红荧烯生长质量。本专利技术是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法,引入石墨烯量子点作为化学活性的横向诱导层来提高红荧烯分子的有序生长。石墨烯是碳原子以sp2杂化排列成蜂窝状六角平面晶体结构,厚度仅有一个原子层大小,在电学、力学、和热学具有优异的性能。当材料尺寸达到量子级别时引起表面效应,即纳米粒子的表面原子数与粒子总原子数之比随粒径变小而急剧增大后引起性质上的变化。由于纳米粒子表面原子急剧增多,从而引起表面原子配位数不足和高的表面能,这些原子容易与其他原子结合稳定下来。石墨烯在形成二维平面结构相对容易在二维方向上达到量子级别的石墨烯量子点后,石墨烯量子点的表面具有高化学活性可以横向诱导红荧烯分子生长。
技术实现思路
本专利技术是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧 ...
【技术保护点】
一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法包括:石墨烯量子点(1)横向诱导层和红荧烯分子(2)沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长在二氧化硅衬底(3)上。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法包括:石墨烯量子点(1)横向诱导层和红荧烯分子(2)沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长在二氧化硅衬底(3)上。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法,其特征在于,石墨烯量子点(1)横向诱导层,采用旋涂方法将溶于乙醇溶液中的石墨烯量子点涂布在二氧化硅衬底(3)上,前转速为800rpm下旋涂6s,接着在后转速2600rpm下旋涂45s,置于60℃烘箱中1.0h,形成点状分布的石墨烯量子点(1)横向诱...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丽娟,范思大,张梁,张沛沛,朱阳阳,尹丽,孙丽晶,李占国,
申请(专利权)人:长春工业大学,
类型:发明
国别省市:吉林,22
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