公开了一种电磁屏蔽(100)。电磁屏蔽(100)包括:基部(10);和相对的凹部壁(20,30,40,50),其相对于基部(10)延伸所在的平面以一角度从基部延伸,以便与基部(10)一起限定出凹部。至少一个凹部壁(20,30,40,50)可以被布置成使得其具有相对于基部(10)的远侧边缘(60),其中远侧边缘包括圆柱部分(70)。替代地或另外地,至少一个凹部壁(20,30,40,50)可以被布置成使得其至少一部分相对于凹部向外或向内弯曲。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在电力系统中使用的电磁屏蔽
本专利技术大体涉及诸如电功率配电或传输系统的电力系统领域,例如高压直流(HVDC)电力传输系统。具体地,本专利技术涉及用于在电力系统中使用的电磁屏蔽,用于电磁屏蔽包含在电力系统中的至少一个导电元件。
技术介绍
电力系统(诸如电功率配电或传输系统等)用于供给、传输和使用电力。归因于对电力供给或交付、互连的电力传输与分配系统和从发电站到负载中心的长传输距离的逐渐增加的需要,高压直流(HVDC)电力传输变得越来越重要。HVDC转换器站是一种配置成将高压直流(DC)转换成交流(AC)(或反之)的站。HVDC转换器站可以包括多个元件,诸如转换器自身(或者串联或并联连接的多个转换器)、交流开关装置、变压器、电容器、滤波器、直流开关装置和/或其他辅助元件。电子转换器可以包括诸如半导体器件等的多个基于固态的器件,并且可以被分类为使用例如晶闸管作为开关的线路换向转换器,或使用诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)等的晶体管作为开关(或开关器件)的电压源转换器。诸如晶闸管或IGBT等的多个固态半导体器件可以被连接到一起(例如串联),以形成HVDC转换器的构建块或单元,其也可以称为HVDC转换器阀。根据一个示例,诸如晶闸管或IGBT等的多个固态半导体器件可以串联连接在HVDC转换器的单元中。在包括HVDC转换器的例如HVDC电力传输系统或HVDC电网的正常操作期间,HVDC转换器中的固态半导体器件可以有时处于其中它们导通电流的导通模式并且在其他时间处于阻断模式,以便获得期望的或要求的波形形式的电流,如本领域已知的。以相对高的DC电压操作的诸如HVDC电力系统等的电力系统中的部件可以被电磁屏蔽,以便降低或消除在部件和例如布置部件的建筑物内的墙壁、地板或天花板之间发生的局部放电、电弧或闪燃的风险。例如,HVDC转换器往往布置在专门建造的建筑物中,其可以称为阀厅或转换器厅,用于容纳HVDC转换器。部件和例如布置部件的建筑物内的墙壁、地板或天花板之间所要求的空气间隙可以至少部分取决于电磁屏蔽的电磁屏蔽容量或能力和/或电力系统的要求的或期望的操作电压。
技术实现思路
在设计转换器厅时,可能需要考虑几个考虑因素。例如,转换器与转换器厅的墙壁、地板和天花板之间的空气间隙应符合安全要求,并且一般应是几米或更大。转换器厅的尺寸可能至少部分取决于电功率配电或传输系统的要求的或期望的操作电压。一般地,操作电压或额定电压越高,要求的空气间隙越大。除此之外,转换器厅的尺寸可能还取决于与转换器厅相邻的任何建筑物的存在。然而同时还有转换器厅尽可能小的期望。这例如归因于可用空间往往缺乏和/或昂贵,并且转换器厅的大小可能直接影响用于构造和配置转换器厅的成本。对DC传输系统的额定电压要求最近有所增加并且预计将持续增加。在一些应用中,对DC传输系统的额定电压要求是大约1100kV或甚至更高。这样的增加的额定电压要求可能势必在用于对电力系统中的电磁屏蔽部件进行电磁屏蔽的电磁屏蔽中造成压力。根据当前设计或构造的电磁屏蔽一般接近对于这样的电压水平来说的饱和区,并且可能不能承受由大约1100kV或更高的DC电压引起的电场,至少不能同时使要求的空气间隙保持相对小。基于以上情况,本专利技术的关注是获得一种能够承受由大约1100kV或更高的DC电压引起的电场的电磁屏蔽。本专利技术的进一步的关注是获得一种电磁屏蔽,其有助于或使得能够减小电力系统中的通电部件与布置部件的建筑物内的部件周围环境中的物体(例如墙壁、地板或天花板等)之间的要求的空气间隙。本专利技术的进一步的关注是获得一种电磁屏蔽,其能够承受由大约1100kV或更高的DC电压引起的电场,而同时有助于或使得能够减小电力系统中的通电部件与布置部件的建筑物内的部件周围环境中的物体(例如墙壁、地板或天花板等)之间的要求的空气间隙。本专利技术的进一步的关注是有助于或使得能够减小布置电力系统所述包括的通电部件所在的建筑物的大小或尺寸。为了解决这些关注和其他关注中的至少一个,提供了依照独立权利要求的电磁屏蔽。优选实施例由从属权利要求限定。根据第一方面,提供有一种用于在电力系统中使用的电磁屏蔽,用于对包括在电力系统中的至少一个导电元件进行电磁屏蔽,该至少一个导电元件当通电时围绕至少一个导电元件产生电场。电磁屏蔽包括:基部;和相对的凹部壁,其相对于基部延伸所在的平面以一角度从基部延伸,以便与基部一起限定出凹部。至少一个凹部壁被布置成使得其具有相对于基部的远侧边缘,其中远侧边缘包括圆柱部分。在本申请的上下文中,关于(远侧边缘的)圆柱部分意味着柱状的部分或结构,即,具有至少部分类似于圆柱体的形状或形式的形状或形式,并且并不一定成形为完美或理想的圆柱体。圆柱部分可以是实心的或中空的,或者可以部分实心或部分中空。根据第二方面,提供有一种用于在电力系统中使用的电磁屏蔽,用于对包括在电力系统中的至少一个导电元件进行电磁屏蔽,该至少一个导电元件当通电时围绕至少一个导电元件产生电场。电磁屏蔽包括:基部;和相对的凹部壁,其相对于基部延伸所在的平面以一角度从基部延伸,以便与基部一起限定出凹部。至少一个凹部壁被布置成使得其至少一部分相对于凹部向外或向内弯曲。根据第三方面,提供有一种用于在电力系统中使用的电磁屏蔽,用于对包括在电力系统中的至少一个导电元件进行电磁屏蔽,该至少一个导电元件当通电时围绕至少一个导电元件产生电场。电磁屏蔽包括:基部;和相对的凹部壁,其相对于基部延伸所在的平面以一角度从基部延伸,以便与基部一起限定出凹部。凹部壁被布置成使得它们包括相对于凹部向外或向内弯曲的角部。第一、第二和第二方面及本专利技术的实施例是基于如下认识:当电磁屏蔽被布置成对至少一个导电元件(该至少一个导电元件当通电时围绕至少一个元件产生电场)进行电磁屏蔽时,组合或独立地形成或布置在电磁屏蔽中的某些几何特征可以帮助在电磁屏蔽的一部分上或者甚至整个电磁屏蔽上减小电场。几何特征包括:至少一个凹部壁被布置成使得其具有相对于基部的远侧边缘,其中远侧边缘包括圆柱部分;至少一个凹部壁被布置成使得其至少一部分相对于凹部向外或向内弯曲;和/或凹部壁被布置成使得它们包括相对于凹部向外或向内弯曲的角部。换言之,例如依照第一、第二和第三方面中的任何一个的电磁屏蔽或者包括或展现上面提到的几何特征中的一个或多个的电磁屏蔽可以有助于或使得电磁屏蔽能够在电磁屏蔽的一部分上或基本在整个电磁屏蔽上承受相对高的电场。例如依照第一、第二和第三方面中的任何一个的电磁屏蔽或者包括或展现上面提到的几何特征中的一个或多个的电磁屏蔽的构造已发现允许电磁屏蔽应对非常高的电压要求,高达1100kV或更高的DC电压。然而例如依照第一、第二和第三方面中的任何一个的电磁屏蔽或者包括或展现上面提到的几何特征中的一个或多个的电磁屏蔽可以用在具有较低电压要求的应用中,例如大约500kV与900kV之间的DC电压、诸如大约600kV与800kV之间的DC电压。电磁屏蔽展现的上面提到的几何特征越多,当电磁屏蔽被布置成对至少一个导电元件(该至少一个导电元件当通电时围绕至少一个元件产生电场)进行电磁屏蔽时,在电磁屏蔽的一部分上或者甚至在整个电磁屏蔽上的电场的减少的限度或程度可以越高。例如,电磁屏蔽可以根据本专利技术的实施例展现全部三个上面提到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在电力系统中使用的电磁屏蔽(100),用于对包括在所述电力系统中的至少一个导电元件进行电磁屏蔽,所述至少一个导电元件当通电时围绕所述至少一个导电元件产生电场,所述电磁屏蔽包括:基部(10);和相对的凹部壁(20,30,40,50),其相对于所述基部延伸所在的平面以一角度从所述基部延伸,以便与所述基部一起限定出凹部;其中至少一个凹部壁被布置成使得其具有相对于所述基部的远侧边缘(60),其中所述远侧边缘包括圆柱部分(70)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在电力系统中使用的电磁屏蔽(100),用于对包括在所述电力系统中的至少一个导电元件进行电磁屏蔽,所述至少一个导电元件当通电时围绕所述至少一个导电元件产生电场,所述电磁屏蔽包括:基部(10);和相对的凹部壁(20,30,40,50),其相对于所述基部延伸所在的平面以一角度从所述基部延伸,以便与所述基部一起限定出凹部;其中至少一个凹部壁被布置成使得其具有相对于所述基部的远侧边缘(60),其中所述远侧边缘包括圆柱部分(70)。2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽,其中所述圆柱部分(70)限定出所述至少一个凹部壁相对于所述基部的远端。3.根据权利要求1或2所述的电磁屏蔽,其中所述圆柱部分沿着所述远侧边缘的基本上整个长度延伸。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电磁屏蔽,其中所述圆柱部分构成所述至少一个凹部壁或所述远侧边缘的端部。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电磁屏蔽,其中所述圆柱部分在与轴向延伸平行的方向上具有基本圆形截面。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电磁屏蔽,其中所述至少一个凹部壁和所述圆柱部分相对于彼此一体地布置。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的电磁屏蔽,其中至少一个凹部壁被布置成使得其至少一部分相对于所述凹部向外或向内弯曲。8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽,其中被布置成使得其至少一部分相对于所述凹部向外或向内弯曲的所述至少一个凹部壁在垂直于所述至少一个凹部壁的横向方向的方向上具有...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴冬,倪晶,L·阿瑞瓦罗,R·蒙塔诺,
申请(专利权)人:ABB瑞士股份有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士,CH
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