支承在具有围绕的金属阻挡层的衬底上的X射线检测器制造技术

X射线检测器组件包括具有下表面和上表面的聚合衬底，以及设置在衬底的上表面上的X射线检测器。X射线检测器包括设置在衬底上的薄膜晶体管阵列，设置在薄膜晶体管阵列上的有机光电二极管和设置在有机光电二极管上的闪烁体。金属阻挡层基本上在闪烁体的上表面上，基本上在闪烁体、有机光电二极管和薄膜晶体管阵列的外围延伸的边缘上，并且基本上在衬底的下表面上延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】支承在具有围绕的金属阻挡层的衬底上的X射线检测器
本公开一般涉及X射线检测器，并且更具体地，涉及支承在具有围绕的金属阻挡层的衬底上的X射线检测器。
技术介绍
X射线辐射检测器包括电子或光学活性部分，例如经常设置在衬底上的辐射检测器。在其中刚性电光器件是优选的或可接受的那些应用中，通常使用玻璃或硅作为衬底。在其中预期柔性电光器件的那些应用中，聚合物膜可以用作衬底。然而，水分和氧气迅速扩散通过这类聚合物膜衬底，从而导致设置在衬底上的电光器件的性能退化或甚至失效。此外，聚合物衬底还经受通过在电光器件的处理期间使用的化学物质的侵蚀。向Schaepkens等人发行的美国专利号8236424公开了具有至少一个基底和设置在基底的至少一个表面上的多层涂层表面的电光器件。至少一个基底可以包括光学或电子活性部分或柔性聚合物材料。多层涂层组包括至少一个有机层和至少一个无机层。基底和多层涂层组对光谱的可见部分的光是透明的。无机层可以包括硅、金属氧化物、金属氮化物及其组合中的至少一种，并且具有约20纳米至约200纳米的厚度。多层涂层组提供对湿气和氧气的阻挡层并提供耐化学性。多层涂层组也是机械柔性的并且是热稳定的一直到基底的玻璃化转变温度。需要另外的X射线检测器，并且更具体地，需要支承在具有围绕的金属阻挡层的衬底上的有机X射线检测器。
技术实现思路
在本公开的一个方面中，X射线检测器组合件包括具有下表面和上表面的聚合衬底，以及设置在衬底的上表面上的X射线检测器。X射线检测器包括设置在衬底上的薄膜晶体管阵列、设置在薄膜晶体管阵列上的有机光电二极管和设置在有机光电二极管上的闪烁体。金属阻挡层基本上在闪烁体的上表面之上延伸，基本上在闪烁体、有机光电二极管和薄膜晶体管阵列的外围延伸的边缘之上延伸，并且基本上在衬底的下表面之上延伸。在本公开的另一方面中，X射线系统包括上述X射线检测器组合件、X射线源和可操作用于控制X射线源和X射线检测器的控制器。在本公开的另一方面中，一种用于制造X射线检测器组合件的方法包括提供具有下表面和上表面的聚合衬底，提供设置在衬底的上表面上的X射线检测器，X射线检测器包括薄膜晶体管阵列、有机光电二极管和闪烁体，以及提供用于提供氧和水分的阻挡层的金属阻挡层，该金属阻挡层基本上在闪烁体的上表面之上延伸，基本上在闪烁体、有机光电二极管和薄膜晶体管阵列的外围延伸的边缘之上延伸，并且基本上在衬底的下表面之上延伸。附图说明从以下结合附图对本公开的各个方面的详细描述中，本公开的前述和其他特征，方面和优点将变得显而易见，其中：图1是根据本公开的方面的X射线检测器组合件的一个实施例的横截面图；图2是根据本公开的方面的X射线检测器组合件的另一个实施例的横截面图；图3是根据本公开的方面的X射线检测器组合件的另一个实施例的横截面图；图4是根据本公开的方面的X射线检测器组合件的另一个实施例的横截面图；图5是根据本公开的方面的X射线检测器系统的一个实施例的框图；图6是根据本公开的方面的X射线检测器系统的另一个实施例的框图；图7是根据本公开的方面的X射线检测器系统的另一个实施例的框图；图8是通过各种厚度的铝的X射线透射与X射线能量的曲线图；以及图9是根据本公开的方面的用于形成有机X射线检测器的方法的一个实施例的流程图。具体实施方式如下面更详细描述的，本公开是使用可以提高X射线检测器可靠性的围绕的金属阻挡层的X射线检测器。例如，金属阻挡层可以形成对氧和水分的密封或阻挡层，用于保护X射线检测器组件和支承衬底。这种技术对于具有聚合物或塑料衬底的机械柔性X射线检测器可能是期望的。金属阻挡层可以是固体金属涂层或金属箔，例如基本上包括一种或多种元素金属，并且基本上不包括氧化物。下面呈现的每个实施例促进对本公开的某些方面的解释，并且不应被解释为限制本公开的范围。此外，如贯穿说明书和权利要求书所使用的近似语言可以被应用于修改可以允许改变而不导致与其相关的基本功能的改变的任何定量表示。因此，由一个或多个术语例如“约”修饰的值不限于所指定的精确值。在一些情况下，近似语言可以对应于用于测量该值的仪器的精度。当介绍各种实施例的元件时，冠词“一”，“一个”，“该”和“所述”意图表示存在一个或多个元件。术语“包含”，“包括”和“具有”意图是包括性的，并且意味着可以存在除所列出的元件之外的附加元件。如本文所使用的，术语“可以”和“可以是”指示在一组情况内发生的可能性；拥有指明的性质，特性或功能；和/或通过表达与限定动词相关联的能力、性能或可能性中的一个或多个来限定另一动词。因此，“可以”和“可以是”的使用指示修饰的术语对于指示的能力，功能或使用显然是适当的，有能力的或适合的，同时考虑到在一些情况下修饰的术语有时可能不是适当的，有能力的或适合的。操作参数的任何示例不排除所公开的实施例的其他参数。本文关于任何特定实施例描述、说明或以其它方式公开的组件、方面、特征、配置、布置、用途等可类似地应用于本文公开的任何其它实施例。图1图示根据本公开的方面的X射线检测器组合件100的一个实施例。在所示的实施例中，X射线检测器组合件100可以采用基本上围绕X射线检测器的金属阻挡层。例如，X射线检测器组合件100可以包括塑料或聚合衬底110，X射线检测器120(其具有例如设置在聚合衬底上的TFT(薄膜晶体管)阵列130，设置在TFT阵列上的有机光电二极管140，设置在有机光电二极管上的闪烁体150)，以及金属材料阻挡层170，例如围绕支承在聚合物衬底110上的X射线检测器120设置的金属涂层。聚合衬底110可以包括下表面112，上表面114和外围延伸边缘116。TFT阵列130可以设置在聚合衬底的上表面上。TFT阵列130可以包括外围延伸边缘136，有机光电二极管140可以包括外围延伸边缘146，并且闪烁体150可以包括外围延伸边缘156。金属阻挡层170可以基本上在闪烁体150的上表面152和周边延伸边缘156，有机光电二极管140的周边延伸边缘146，TFT阵列130的周边延伸边缘136和下表面112之上延伸。例如，金属阻挡层可以是完全围绕支承在衬底上的X射线检测器设置的连续的单片式或整体式金属阻挡层。绝缘层160可以在金属阻挡层170的内表面172和X射线检测器120之间延伸。在所示的实施例中，绝缘层160可以夹在金属阻挡层170的内表面172和闪烁体150的上表面152和外围延伸边缘156，有机光电二极管140的外围延伸边缘146以及TFT阵列130的外围延伸边缘136之间。绝缘层可以使金属阻挡层170与X射线检测器的组件电绝缘。反射层158可以设置在闪烁体150和绝缘层160之间。反射层的下表面有助于向下朝向光电检测器反射光，以增加由光电检测器对光的吸收。应当理解，在其中TFT阵列、有机光电二极管和闪烁体的外围延伸边缘彼此不对准的X射线检测器中，金属阻挡层和/或绝缘层可以在TFT阵列、TFT阵列、有机光电二极管和/或闪烁体的下和/或上表面的外围延伸部分之上延伸。例如，如图1所示，塑料衬底110可以包括延伸经过TFT阵列130的外围延伸边缘的外围延伸的上边缘部分118。金属阻挡层170可以在聚合物衬底110的外围延伸的上边缘部分118上延伸。如上所述，金属阻挡层170可以提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种X射线检测器组合件，包括：聚合衬底，具有下表面和上表面；X射线检测器，设置在所述衬底的所述上表面上，所述X射线检测器包括：薄膜晶体管阵列，设置在所述衬底上；有机光电二极管，设置在所述薄膜晶体管阵列上；和闪烁体，设置在所述有机光电二极管上；以及金属阻挡层，基本上在所述闪烁体的上表面之上，基本上在所述闪烁体，所述有机光电二极管和所述薄膜晶体管阵列的外围延伸边缘之上，并且基本上在所述衬底的所述下表面之上延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.25 US 14/3409481.一种X射线检测器组合件，包括：聚合衬底，具有下表面和上表面；X射线检测器，设置在所述衬底的所述上表面上，所述X射线检测器包括：薄膜晶体管阵列，设置在所述衬底上；有机光电二极管，设置在所述薄膜晶体管阵列上；和闪烁体，设置在所述有机光电二极管上；以及金属阻挡层，基本上在所述闪烁体的上表面之上，基本上在所述闪烁体，所述有机光电二极管和所述薄膜晶体管阵列的外围延伸边缘之上，并且基本上在所述衬底的所述下表面之上延伸。2.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层连续在所述闪烁体的整个上表面以及所述闪烁体，所述有机光电二极管和所述薄膜晶体管阵列的整个外围延伸边缘之上延伸。3.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括围绕支承在所述衬底上的整个X射线检测器延伸的连续的整体金属阻挡层。4.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括金属涂层。5.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括至少约1微米至约1毫米的厚度。6.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括金属涂层，并且还包括设置在所述金属阻挡层和所述闪烁体的顶部表面之间，并且设置在所述金属阻挡层和所述闪烁体、所述有机光电二极管和所述薄膜晶体管阵列侧面边缘之间的绝缘涂层。7.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括在所述闪烁体的所述上表面之上，在所述闪烁体、有机光电二极管和TFT阵列的边缘之上以及在所述衬底的下表面之上延伸的金属涂层。8.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括金属箔。9.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括粘附背衬的金属箔。10.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括第一金属箔层和第一粘合剂层，以及第二金属箔层和第二粘合剂层。11.根据权利要求10所述的X射线检测器组合件，其中所述第一金属箔层在所述闪烁体之上延伸，所述第二金属箔层在所述衬底的下表面之上延伸，并且所述第一金属箔和所述第二金属箔的外围延伸部分附接在一起。12.根据权利要求10所述的X射线检测器组合件，其中所述第一金属箔层在所述闪烁体之上延伸并且可操作地粘附到所述衬底的上表面，并且所述第二金属箔层在所述衬底的下表面之上延伸。13.根据权利要求1所述的X射线检测器组合件，其中所述金属阻挡层包括一般恒定的厚度。14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·刘，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US