切割片与半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种切割片(10)，其具有基材(3)与设置于其一个面上的中间层(2)、以及设置于中间层(2)上的粘着剂层(1)，粘着剂层(1)含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，粘着剂层(1)固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于中间层(2)于23℃时的存储弹性模量G’，对于粘着剂层(1)固化前的切割片(10)，以JISZ0237:2000为基准相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测得的粘着力为2000mN/25mm以上，粘着剂层(1)固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。通过这种切割片(10)，即使将切割片(10)粘贴于半导体晶圆(30)上所得到的层叠体，在规定的时间内静置，也很难发生部分剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割片与半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及一种切割片，其在将半导体晶圆按每个电路切割成多个，制成半导体芯片时，用于固定半导体晶圆。此外，本专利技术涉及一种使用该切割片的半导体芯片的制造方法。特别是，本专利技术的切割片优选使用于固定、切断表面具有突起状电极的半导体晶圆，制造芯片时，所述半导体晶圆为例如具有硅贯通电极(TSV)的半导体晶圆。
技术介绍
半导体晶圆的表面形成电路后，对晶圆的背面实施研磨加工，进行调节晶圆厚度的背面研磨工序、以及将晶圆切割成多个规定的芯片大小的切割工序。此外，进行背面研磨工序后，有时需实施在背面进行蚀刻处理等伴随发热的加工处理、以及如对背面沉积金属膜的需在高温下进行的处理。将以芯片大小切割成多个的半导体晶圆(半导体芯片)拾取，移送至下一个工序。近年来随着IC卡的普及，作为其构成构件的半导体芯片越来越薄型化。因此，要求以往的厚度约350μm左右的晶圆，需薄化至50～100μm或其以下。此外，对应电子电路的大容量化、高机能化，将多个半导体芯片立体地层叠的多层电路正在开发中。虽然在这种多层电路中，以往通常会将半导体芯片的导电连接通过引线键合(Wirebonding)来实行，但由于近年来的小型化·高机能化的必要性，开发一种有效的方法，其并不进行引线键合，而是在半导体芯片上设置从电路形成面贯通至背面的电极(贯通电极)，直接对上下芯片之间进行导电连接。作为这种带有贯通电极的芯片的制造方法，可列举例如，在半导体晶圆所规定的位置上，通过等离子体(Plasma)设置贯通孔，向此贯通孔注入铜导电体后进行蚀刻，在半导体晶圆表面设置电路与贯通电极的方法。设置有电路与贯通电极的半导体晶圆，利用在基材薄膜上形成有粘着剂层的切割片切割，以此得到个别的带有贯通电极的芯片。在为了得到如上所述的带有贯通电极的芯片的切割工序中，提出了以下方法：在基材薄膜上形成的粘着剂层通过挤压于粘贴面上突出的贯通电极而变形，电极被埋入与电极突出部类似形状的粘着剂层的凹陷处，以此将形成有贯通电极的半导体晶圆粘贴、固定于切割片上，接着进行切割，而得到个别的芯片(专利文献1、2)。然而，专利文献1、2里所记载的切割片中，贯通电极埋入于粘着剂层中，在贯通电极之间的狭窄范围内有可能会产生粘着剂的残渣。该残渣会污染芯片表面，导致半导体芯片的可靠性降低。专利文献1、2的方法中，虽然有提出减少这种残渣残留的方法，但仍无法完全消除残渣残留的可能性。此外，专利文献1、2中所记载的切割片中，为了埋入贯通电极，须将切割时的弹性调低。因此，存在容易因切割时的震动而导致芯片崩裂(Chipping)的问题。为了解决上述问题，专利文献3中记载了一种切割片，其特征在于，作为可在突起状电极(贯通电极)之间不残留粘着剂层的残渣、芯片不损坏的情况下，进行切割与拾取的切割片，由基材与设置于其一个面上的中间层、以及设置于中间层上的厚度为8～30μm的粘着剂层组成，粘着剂层含有分子内含有能量线固化性双键的化合物，粘着剂层固化前在23℃时的存储弹性模量G’大于中间层在23℃时的存储弹性模量G’的4倍，在高度15μm、直径15μm的圆柱形电极以40μm节距(Pitch)等间距地形成3行3列的晶圆上，经由粘着剂层粘贴的情况下，在以3行3列形成的圆柱形电极的中心电极中，该电极的高7.5μm以下的部分不接触粘着剂层。此外，与专利文献3里所记载的专利技术相关联的、具有由含氨基甲酸酯固化物形成的中间层的切割片记载于专利文献4中。现有技术文献专利文献专利文献1：特开第2006-202926号公报专利文献2：特开第2010-135494号公报专利文献3：特开第2013-098408号公报专利文献4：特开第2013-197390号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题如图2所示，专利文献3与4中记载了一种切割片20，其在粘贴于半导体晶圆30时，粘着剂层21不追随于突起状电极31之间，而追随在突起状电极31形成的区域(电极形成区域)的外侧部30A。通过这种切割片20，粘着剂层21的残渣便不会残留于突起状电极31之间，并可抑制因聚合不全而在电极形成区域的外侧部30A上残留残渣。此外，由于在电极形成区域的外侧部30A上，将粘着剂层21贴合于半导体晶圆30上，且粘着剂层21不会变得过度柔软，可在切割时防止水的侵入，切割性优异，可防止芯片崩裂的发生。此外，由于通过对粘着剂层21进行能量线固化，可控制其粘着力，因此，除了容易拾取芯片，也可防止芯片的破损。像这样，专利文献3与4里记载的切割片20虽然具有优异的特性，但在近年来，可判明以下问题：在将切割片20粘贴于半导体晶圆30上而得到的层叠体粘贴后，以规定的时间静置至切割工序开始为止时，追随于电极形成区域的外侧部30A、适当地粘贴于半导体晶圆30的粘着剂层21，有可能发生从半导体晶圆30上部分剥离的现象(本说明书中，将这种现象称为“部分剥离”)。具体而言，图3中显示为电极形成区域的外侧部30A’的部分，为粘着剂层21从半导体晶圆30上部分剥离的部分，即产生部分剥离的部分，基于该部分剥离的粘着剂层21的剥离程度较大时，即发生部分剥离的面积较宽时，将所述层叠体提供于切割工序时，可能会对切割作业的稳定性造成影响。本专利技术鉴于上述问题而完成，以提供一种切割片及使用该切割片的半导体芯片的制造方法作为课题，该切割片为即使将该切割片粘贴于半导体晶圆上而得到的层叠体，静置规定的期间，具体而言，即使静置24小时左右也不容易发生如上述部分剥离的切割片。解决技术问题的技术手段为了达到所述目的，本专利技术所提供的内容如下。(1)一种切割片，其具备基材、设置于其一个面上的中间层、以及设置于所述中间层上的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层含有分子内具有能量线固化性双键的化合物；所述粘着剂层固化前在23℃时的存储弹性模量G’大于所述中间层在23℃时的存储弹性模量G’；对于所述粘着剂层固化前的切割片，以JISZ0237:2000为基准，相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测得的粘着力为2000mN/25mm以上；所述粘着剂层固化前在23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。(2)根据所述(1)中所述的切割片，其中，所述分子内具有能量线固化性双键的化合物，包含在聚合物的主链或侧链上结合能量线聚合性基团而成的能量线固化型粘着性聚合物。(3)根据所述(1)或(2)中所述的切割片，其中，所述中间层于23℃时的存储弹性模量G’为1×104Pa以上、小于1×105Pa。(4)根据所述(1)～(3)中任一项所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂层固化前于23℃时的存储弹性模量G’为3×105Pa以上。(5)根据所述(1)～(4)中任一项所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂层含有具有反应性官能团的丙烯酸聚合物与交联剂，相对于丙烯酸聚合物100质量份，含有5质量份以上的交联剂。(6)根据所述(5)中所述的切割片，其特征在于，所述交联剂为异氰酸酯类交联剂。(7)根据所述(1)～(6)中任一项所述的切割片，其特征在于，其用于粘贴于设置有突起状电极的晶圆上。(8)根据所述(7)中所述的切割片，其中，所述突起状电极为贯通电极。(9)根据所述(7)或(8)中所述的切割片，其特征在于，所述中间层的厚度为所述突起状电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割片，其具有基材、设置于其一个面上的中间层、设置于所述中间层上的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，所述粘着剂层固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于所述中间层于23℃时的存储弹性模量G’，对于所述粘着剂层固化前的所述切割片，以JIS Z0237:2000为基准，相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测量的粘着力为2000mN/25mm以上，所述粘着剂层固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.02 JP 2015-0398921.一种切割片，其具有基材、设置于其一个面上的中间层、设置于所述中间层上的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，所述粘着剂层固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于所述中间层于23℃时的存储弹性模量G’，对于所述粘着剂层固化前的所述切割片，以JISZ0237:2000为基准，相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测量的粘着力为2000mN/25mm以上，所述粘着剂层固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。2.根据权利要求1所述的切割片，其中，所述分子内具有能量线固化性双键的化合物，包含在聚合物主链或侧链上结合能量线聚合性基团而成的能量线固化型粘着性聚合物。3.根据权利要求1或2所述的切割片，其中，所述中间层于23℃时的存储弹性模量G’为1×104Pa以上、小于1×105Pa。4.根据权利要求1～3中任一项所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂层固化前于23℃时的存储弹性模量G’为3×105Pa上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本美纱季，西田卓生，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP