过流保护电路、过流保护器及过流保护电路成型方法技术

本发明专利技术实施例公开一种过流保护电路、过流保护器及过流保护电路成型方法，所述过流保护电路包括成型于DBC基板上的导电线路以及截取自DBC基板的预定尺寸的铜带构成的电流采样电阻R1。所述过流保护器包括上述的过流保护电路、过流信号处理电路以及驱动电路。所述过流保护电路成型方法包括：S1，在DBC基板成型出导电线路以及电流采样电阻R1；S2，将除电流采样电阻R1之外其他的电路元器件焊接到DBC基板的预设位置与导电线路相连通。本发明专利技术实施例通过截取DBC基板上的预定尺寸的铜带作为电流采样电阻R1以对电流信号进行采样，电流转换的电压稳定，过电流大，电路可靠性高，减少电阻的使用，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
过流保护电路、过流保护器及过流保护电路成型方法
本专利技术涉及过流保护电路
，尤其涉及一种过流保护电路、过流保护器及过流保护电路成型方法。
技术介绍
随着电机技术以及电机驱动器的发展，越来越多的电机驱动器开始要求具备过流保护功能，一般情况下，电机驱动器通常采用运算放大器、比较器或者专用过流保护IC作为过流保护电路，在市场上，已有将过流保护电路焊接在DBC基板上的产品，DBC基板是一种由陶瓷绝缘体作为底板并在底板上覆盖有一层金属铜的覆铜陶瓷基板，但是，现有的过流保护电路电路复杂、元器件多且需要将所有的元器件进行焊接，电路焊接成型难度高，生产成本高。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题是，提供一种过流保护电路，电路结构简单，过电流大，可靠性高。本专利技术实施例进一步要解决的技术问题是，提供一种过流保护器，电路结构简单，可靠性高。本专利技术实施例进一步要解决的技术问题是，提供一种过流保护电路成型方法，电路成型和焊接工艺简单，降低生产成本。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种过流保护电路，包括成型于DBC基板上的导电线路以及组设于所述导电线路中的电路元器件，所述电路元器件包括用于对电流信号进行采样的电流采样电阻R1，所述电流采样电阻R1由自DBC基板表面的铜层中按照预定尺寸截取出来的铜带构成。进一步地，所述电路元器件还包括用于检测电流采样电阻R1上的电压信号大小的三极管Q1，所述电流采样电阻R1的两端分别连接所述三极管Q1的基极和发射极，且所述三极管Q1的发射极还连接电源正极端，集电极还连接电源负极端。进一步地，所述三极管Q1为PNP型三极管。进一步地，所述电路元器件还包括串联的限流电阻R2和稳压二极管D1，所述限流电阻R2的两端分别对应连接至三极管Q1的集电极和稳压二极管D1的阴极，稳压二极管D1的阳极连接电源负极端。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种过流保护器，包括过流保护电路、与过流保护电路相连以获取过流保护电路输出的过流信号并进行处理的过流信号处理电路以及分别与过流保护电路和过流信号处理电路相连并受控驱动负载的驱动电路，所述过流保护电路为上述的过流保护电路。进一步地，所述过流保护电路还包括用于检测电流采样电阻R1上的电压信号大小的三极管Q1，所述电流采样电阻R1的两端分别连接所述三极管Q1的基极和发射极，所述三极管Q1的发射极还连接电源正极端，所述三极管Q1的集电极还依次串联限流电阻R2和稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的阴极连接限流电阻R2且阳极连接电源负极端，所述过流信号处理电路成型于DBC基板上，所述过流信号处理电路具有两路输入端，所述两路输入端分别连接至电流采样电阻R1与三极管Q1的基极相连的一端和限流电阻R2和稳压二极管D1之间的线路上，所述过流信号处理电路具有两路输出端，所述两路输出端分别连接驱动电路和电源负极端。进一步地，所述驱动电路成型于DBC基板上，所述驱动电路具有两路输入端和两路输出端，所述驱动电路的两路输入端分别连接至电流采样电阻R1与三极管Q1的基极相连的一端和过流信号处理电路的一路输出端，所述驱动电路的两路输出端分别连接电源负极端和负载。进一步地，所述驱动电路为H桥驱动电路。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种过流保护电路成型方法，包括：S1，在DBC基板成型出导电线路以及电流采样电阻R1；S2，将除电流采样电阻R1之外其他的电路元器件焊接到DBC基板的预设位置与导电线路相连通。进一步地，所述步骤S1具体包括：S11，根据DBC基板上覆铜的电阻率和所需电流采样电阻R1的电阻值确定电流采样电阻R1的尺寸；S12，将设计得到的电流采样电阻R1和导电线路图形转移到DBC基板上；S13，将DBC基板进行蚀刻以成型出导电线路和作为电流采样电阻R1的预定尺寸的铜带。通过采用上述技术方案，本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例通过在DBC基板表面的铜层中按照预定尺寸截取铜带作为电流采样电阻R1用于对电流信号进行采样，减少电路中电阻的使用，降低生产成本；而且电流采样电阻R1由铜带制得，电流转换的电压稳定，过电流大，电路可靠性高。附图说明图1是本专利技术过流保护器一个实施例连接负载的电路结构示意图。图2是本专利技术过流保护器一个实施例过流保护电路在DBC基板上的成型的电路结构示意图。图3是本专利技术过流保护电路成型方法一个实施例的流程示意图。图4是本专利技术过流保护电路成型方法一个实施例的步骤S1的具体流程示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定，而且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。如图1至图2所示，本专利技术一个实施例提供一种过流保护电路，包括成型于DBC基板100上的导电线路以及组设于所述导电线路中的电路元器件，所述电路元器件包括用于对电流信号进行采样的电流采样电阻R1，所述电流采样电阻R1由自DBC基板100表面的铜层中按照预定尺寸截取出来的铜带构成。本实施例通过在DBC基板100表面的铜层中按照预定尺寸截取铜带作为电流采样电阻R1用于对电流信号进行采样，减少电路中电阻的使用，降低生产成本；另外，采用铜带作为电流采样电阻R1的电路具有可靠性高、过电流大和电流转换的电压稳定的优点。在一个可选实施例中，所述电路元器件还包括用于检测电流采样电阻R1上的电压信号大小的三极管Q1，所述电流采样电阻R1的两端分别连接所述三极管Q1的基极和发射极，且所述三极管Q1的发射极还连接电源正极端+V，集电极还连接电源负极端-V。在一个具体实施例中，所述三极管Q1采用PNP型三极管，通过将三极管Q1的基极和发射极分别连接至电流采样电阻R1的两端，当电流采样电阻R1的过电流增大到时，电流采样电阻R1两端的电压差也增大，只有在电流采样电阻R1两端的电压差增大到预设值时三极管Q1才会导通，通过采用三极管Q1以检测电流采样电阻R1上的电压信号大小，电路可靠性高。在另一个具体实施例中，所述三极管Q1采用NPN型三极管，所述电流采样电阻R1的两端分别连接至三极管Q1的集电极和基极，电路稳定性高，可靠性高。在一个可选实施例中，所述电路元器件还包括限流电阻R2和稳压二极管D1，所述限流电阻R2一端连接至三极管Q1的集电极，另一端连接至稳压二极管D1的阴极，稳压二极管D1的阳极连接电源负极端-V。本实施例通过限流电阻R2以限制三极管Q1的集电极输出的电流，能有效提高本专利技术过流保护电路的可靠性；另一方面，通过采用稳压二极管D1以限制三极管Q1的集电极输出的电压信号的幅度大小，能有效避免过流保护电路输出的电压出现变化而使与过流保护电路连接的其它电路工作不稳定甚至损坏其它电路，提高过流保护电路的稳定性和可靠性。第二方面，如图2所示，本专利技术一个可选实施例还提供了一种过流保护器，包括过流保护电路1、与过流保护电路1相连以获取过流保护电路1输出的过流信号并进行处理的过流信号处理电路2以及分别与过流保护电路1和过流信号处理电路2相连并受控驱动负载4的驱动电路3，所述过流保护电路1包括用于对电流信号进行采样的电流采样电阻R1，所述电流采样电阻R1由自DBC基板100表面的铜层中按照预定尺寸截取出来的铜带构成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流保护电路，包括成型于DBC基板上的导电线路以及组设于所述导电线路中的电路元器件，所述电路元器件包括用于对电流信号进行采样的电流采样电阻R1，其特征在于：所述电流采样电阻R1由自DBC基板表面的铜层中按照预定尺寸截取出来的铜带构成。

【技术特征摘要】
1.一种过流保护电路，包括成型于DBC基板上的导电线路以及组设于所述导电线路中的电路元器件，所述电路元器件包括用于对电流信号进行采样的电流采样电阻R1，其特征在于：所述电流采样电阻R1由自DBC基板表面的铜层中按照预定尺寸截取出来的铜带构成。2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述电路元器件还包括用于检测电流采样电阻R1上的电压信号大小的三极管Q1，所述电流采样电阻R1的两端分别连接所述三极管Q1的基极和发射极，且所述三极管Q1的发射极还连接电源正极端，集电极还连接电源负极端。3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于：所述三极管Q1为PNP型三极管。4.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于：所述电路元器件还包括串联的限流电阻R2和稳压二极管D1，所述限流电阻R2的两端分别对应连接至三极管Q1的集电极和稳压二极管D1的阴极，稳压二极管D1的阳极连接电源负极端。5.一种过流保护器，包括过流保护电路、与过流保护电路相连以获取过流保护电路输出的过流信号并进行处理的过流信号处理电路以及分别与过流保护电路和过流信号处理电路相连并受控驱动负载的驱动电路，其特征在于：所述过流保护电路为如权利要求1所述的过流保护电路。6.根据权利要求5所述的过流保护器，其特征在于：所述过流保护电路还包括用于检测电流采样电阻R1上的电压信号大小的三极管Q1，所述电流采样电阻R1的两端分别连接所述三极管Q1的基极和发射极，所述三极管Q1的发射极还连接电源正极端，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建功，谢永梁，梁译文，陈坚，刘未，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44