有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

公开了一种有机发光二极管显示装置。本发明专利技术公开的有机发光二极管显示装置包括：外覆层，其设置在被划分成发射区和非发射区的基板上，并且具有发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷。另外，有机发光二极管显示装置还包括：第一电极，其设置在所述外覆层上，其中，所述第一电极设置在整个发射区中和部分非发射区中；堤状图案，其设置在非发射区中，叠加在凹陷上；有机发光层，其设置在基板上；以及第二电极，其设置在有机发光层上。因此，有机发光二极管显示装置可防止漏光。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置
本专利技术涉及包括被施用图案的光散射层的有机发光二极管显示装置。
技术介绍
与液晶显示装置相比，因为作为自发光显示装置的有机发光二极管显示装置不需要单独的光源，所以它们可被制得更轻更纤薄。此外，有机发光二极管显示装置由于其优异的颜色实现、响应速度、视角、对比度(CR)以及因低电压操作带来的功耗优点而被研究作为下一代显示装置。从有机发光二极管显示装置的有机发光层发射的光穿过有机发光二极管显示装置的多个组件并且从有机发光二极管显示装置射出。然而，从有机发光层发射的光的部分被约束在有机发光二极管显示装置中，没有被从中提取出。因此，有机发光二极管显示装置的光提取效率已经成为问题。特别地，在有机发光二极管显示装置之中的底部发射型有机发光二极管显示装置中，由于因阳极造成的全反射或光吸收而被约束在有机发光二极管显示装置中的光占有机发光层发射的光的高达大约50％，由于因基板造成的全反射或光吸收而被约束在有机发光二极管显示装置中的光占有机发光层发射的光的高达大约30％。如上所述，有机发光层发射的光的大约80％被约束在有机发光二极管显示装置中，只从有机发光二极管显示装置提取了该光的大约20％，这造成光提取效率非常低。为了增强此有机发光二极管显示装置的光提取效率，已经开发了用于将微透镜阵列(MLA)附接到有机发光二极管显示装置的基板外部的方法或用于在有机发光二极管显示装置的外覆层上形成微透镜的方法。然而，通过应用微透镜阵列或微透镜，有机发光元件发射的光之中的向着相邻子像素引导的光由于设置在发射区边缘上的微透镜所产生的额外倾斜表面沿着外覆层行进并且到达发射具有不同颜色光的相邻子像素，造成漏光现象。
技术实现思路
在这个背景下，本专利技术的一方面是提供一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括被施用图案的光散射层，这样可防止漏光并且进一步增强光提取效率。用于解决以上提到的技术问题的根据本专利技术的实施方式的一种有机发光二极管显示装置包括被划分成发射区和非发射区的基板。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括：外覆层，其设置在所述基板上并且具有所述发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分。此外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括：第一电极，其设置在所述外覆层上并且设置在整个发射区中和非发射区的部分中。此外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括堤状图案，堤状图案设置在非发射区中，叠加在所述凹陷上。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在基板上的有机发光层。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在有机发光层上的第二电极。根据本专利技术的另一个实施方式的一种有机发光二极管显示装置包括被划分成多个发射区和包围所述多个发射区的非发射区的基板。另外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括外覆层，外覆层设置在所述基板上并且具有各发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分。此外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述发射区中的所述外覆层上的第一电极。此外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述第一电极、所述外覆层和所述凹陷上的有机发光层。另外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述有机发光层上的第二电极。在根据本专利技术的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且堤状图案被设置成叠加在凹陷上，这样使得可以防止有机发光元件发射的光向着发射具有不同颜色的光的子像素行进而造成漏光现象。此外，在根据本专利技术的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且反射电极沿着凹陷的形状设置，这样使得可以吸收有机发光元件发射的光之中的、向着发射具有不同颜色的光的子像素行进的光，从而防止漏光，或者反射向着子像素行进的光，从而增强光提取效率。另外，在根据本专利技术的有机发光二极管显示装置中，在外覆层的突起部分上设置的第一电极的位置高于在微透镜的连接部分上设置的有机发光元件的位置，这样使得可以增强光提取效率。附图说明根据下面结合附图进行的详细描述，本专利技术的以上和其他目的、特征和优点将更清楚，其中：图1是可应用本专利技术的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。图2是根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图3是沿着图2的A-B线截取的、根据本专利技术的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。图4示出用于在外覆层上形成多个微透镜和多个凹陷的掩模的部分。图5是示出根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管显示装置中遏制漏光现象的原理的视图。图6是具有另一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。图7是具有又一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。图8是根据本专利技术的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图9是沿着图8的C-D线截取的、根据本专利技术的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。图10是示出根据本专利技术的第二实施方式的有机发光二极管显示装置中遏制漏光现象的原理的视图。图11是根据本专利技术的第三实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图12是沿着图11的E-F线截取的剖视图。图13是根据本专利技术的第四实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图14是沿着图13的G-H线截取的剖视图。图15是根据本专利技术的第五实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图16是根据本专利技术的第六实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图17是应用根据本专利技术的实施方式的子像素的有机发光二极管显示装置的一个像素的剖视图。具体实施方式下文中，将参照附图详细描述本专利技术的实施方式。以举例方式提供以下实施方式，使得本专利技术的思路可被充分传达给本领域的技术人员。因此，本专利技术不限于如下所述的实施方式，可用其他形式来实施。另外，在附图中，为了方便描述，可夸大地表现器件的大小、厚度等。在整个说明书中，相同的参考标号指定相同的元件。通过参照以下结合附图详细描述的本专利技术的实施方式，将清楚本专利技术的优点和特征及其实现方法。然而，本专利技术不限于以下阐述的实施方式，而是可按各种不同形式来实现。提供以下实施方式仅仅是为了完全公开本专利技术并且将本专利技术的范围告知本领域的技术人员，本专利技术只由随附权利要求书限定。在整个说明书中，相同或类似的参考标号指定相同或类似的元件。在附图中，为了方便描述，可夸大层和区域的尺寸和相对大小。当原件或层被称为在另一个元件“上方”或“上面”时，它可直接在其他元件或层的上方或正上面，或者可存在中间元件或层。相比之下，当元件被称为直接在另一个元件或层的上面或上方时，不存在中间元件或层。为了便于描述，在本文中可使用诸如“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述一个元件或特征与附图中所示的其他元件或特征的关系。应该理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖元件在使用或操作时的不同取向。例如，如果附图中的元件被翻转，在其他元件“下方”或“下面”的元件随后将被取向在其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上下两个取向。另外，在描述本专利技术的组件时，可存在如同第一、第二、A、B、(a)和(b)一样使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：基板，其被划分成发射区和非发射区；外覆层，其设置在所述基板上并且具有所述发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分；第一电极，其设置在所述外覆层上；堤状图案，其设置在所述非发射区中，叠加在所述凹陷上；有机发光层，其设置在所述第一电极上；以及第二电极，其设置在所述有机发光层上。

【技术特征摘要】
2015.10.30 KR 10-2015-0152637;2016.06.30 KR 10-2011.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：基板，其被划分成发射区和非发射区；外覆层，其设置在所述基板上并且具有所述发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分；第一电极，其设置在所述外覆层上；堤状图案，其设置在所述非发射区中，叠加在所述凹陷上；有机发光层，其设置在所述第一电极上；以及第二电极，其设置在所述有机发光层上。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述堤状图案被设置成填充所述凹陷。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述堤状图案由不透明有机材料形成。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述凹陷的高度小于所述非发射区中的所述外覆层的竖直长度。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述凹陷的高度与所述非发射区中的所述外覆层的竖直长度相同。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极设置在所述凹陷内，并且所述堤状图案设置在所述第一电极上。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有机发光层和所述第二电极设置在所述堤状图案上，并且所述第二电极是反射电极。8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述外覆层在所述非发射区中或者在与所述非发射区相邻的所述发射区中具有至少一个台阶。9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述外覆层包括突起部分，所述突起部分设置在所述台阶和位置与所述台阶相邻的所述凹陷之间，并且从所述微透镜的所述凹形部分到所述连接部分的高度小于从所述微透镜的所述凹形部分到所述外覆层的所述突起部分的高度。10.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金津泰，金秀刚，赵昭英，具沅会，张志向，林炫秀，崔民根，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR