一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端制造技术

本实用新型专利技术涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，包括n‑漂移区、第一p环注入基区、第二p环注入基区、终端截止环、第一终端金属场板、第二终端金属场板、二氧化硅绝缘层和第三终端金属场板。本实用新型专利技术的减小器件漏电的高压IGBT器件终端通过在第三终端金属长板下面引入多晶硅场板和栅氧层，让第三金属场板不直接和二氧化硅绝缘层接触，通过优化复合中心的第三终端金属场板结构，提高器件的可靠性，减小器件的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端
本技术涉及高压IGBT器件终端
，尤其是一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端。
技术介绍
在高压IGBT的平面工艺中,目前最常用的寿命控制技术就是扩铂技术。扩铂工艺具有较好的漏电流与正向压降折衷，与扩金、电子辐照和轻离子辐照相比，铂形成的缺陷是难于实现较理想的复合中心，扩铂工艺一般是在二氧化硅绝缘层的正面开孔之后，沉积正面金属之前，这道工艺容易在终端引入污染源，器件漏电流增大。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，通过优化复合中心的终端金属场板结构，提高器件的可靠性，减小器件的漏电流。为了实现本技术的目的，所采用的技术方案是：本技术的减小器件漏电的高压IGBT器件终端包括：n-漂移区；第一p环注入基区，设置在所述n-漂移区中且位于所述n-漂移区的左上部；第二p环注入基区，设置在所述n-漂移区中且位于所述n-漂移区的中上部；终端截止环，设置在所述n-漂移区中且位于所述n-漂移区的右上部；第一终端金属场板，设置在所述第一p环注入基区的上表面；第二终端金属场板，设置在所述终端截止环的上表面；二氧化硅绝缘层，设置在所述n-漂移区的上表面且位于所述第一终端金属场板和第二终端金属场板之间，所述二氧化硅绝缘层的中心开设有终端孔，所述终端孔内设有终端多晶硅场板和位于终端多晶硅场板下表面的栅氧层，所述栅氧层位于所述第二p环注入基区的上表面；第三终端金属场板，设置在所述终端多晶硅场板的上表面。本技术所述终端多晶硅场板完全覆盖所述终端孔。本技术所述栅氧层的厚度为本技术的减小器件漏电的高压IGBT器件终端的有益效果是：本技术的减小器件漏电的高压IGBT器件终端通过在第三终端金属长板下面引入多晶硅场板和栅氧层，让第三金属场板不直接和二氧化硅绝缘层以及第二p环注入基区内的半导体接触，避免扩铂工艺中终端引入污染源，通过优化复合中心的第三终端金属场板结构，提高器件的可靠性，减小器件的漏电流。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本实施例的减小器件漏电的高压IGBT器件终端的等效电路图。其中：n-漂移区1、第一p环注入基区21、第二p环注入基区22、第一终端金属场板31、第二终端金属场板32、第三终端金属场板33、二氧化硅绝缘层4、栅氧层5、终端多晶硅场板6、终端截止环7。具体实施方式在本技术的描述中，需要理解的是，术语“径向”、“轴向”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1所示，本实施例的减小器件漏电的高压IGBT器件终端包括n-漂移区1、第一p环注入基区21、第二p环注入基区22、终端截止环7、第一终端金属场板31、第二终端金属场板32、二氧化硅绝缘层4和第三终端金属场板33，其中，第一p环注入基区21设置在n-漂移区1中且位于n-漂移区1的左上部，第二p环注入基区22设置在n-漂移区1中且位于n-漂移区1的中上部，终端截止环7设置在n-漂移区1中且位于n-漂移区1的右上部，第一终端金属场板31设置在第一p环注入基区21的上表面，第二终端金属场板32设置在终端截止环7的上表面，二氧化硅绝缘层4设置在n-漂移区1的上表面且位于第一终端金属场板31和第二终端金属场板32之间，二氧化硅绝缘层4的中心开设有终端孔，终端孔内设有终端多晶硅场板6和位于终端多晶硅场板6下表面的栅氧层5，栅氧层5位于第二p环注入基区22的上表面，第三终端金属场板33设置在终端多晶硅场板6的上表面。现有技术中的复合中心处的终端金属场板直接与二氧化硅绝缘层4以及终端半导体接触，扩铂工艺中铂容易扩散到硅中，从而造成器件的漏电流变大，本实施例中的第三终端金属场板33位于复合中心，第三终端金属场板33的下表面为终端多晶硅场板6，第三金属场板不直接和二氧化硅绝缘层以及第二p环注入基区内的半导体接触，避免扩铂工艺中终端引入污染源，通过优化复合中心的第三终端金属场板结构，提高器件的可靠性，减小器件的漏电流。而且终端多晶硅场板6和硅之间还有层很薄的栅氧层5，这样可以在正面扩铂的时候起到阻挡铂扩散到二氧化硅绝缘层4以及第二p环注入基区内的半导体的作用，从而有效降低器件的漏电流。优选的，栅氧层5的厚度为本实施例中的终端多晶硅场板6要完全覆盖终端孔，即终端多晶硅场板6大于终端孔保证终端多晶硅场板6能够完全遮盖住终端孔，这样才能保证完全阻挡住铂的扩散，当然也可以通过减小终端孔的方法来减小铂在终端孔的扩散。由于终端多晶硅场板6下面只有一层很薄的栅氧层5，所以终端多晶硅场板6还可以起到终端场板的作用。应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。由本技术的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，其特征在于：包括：n‑漂移区(1)；第一p环注入基区(21)，设置在所述n‑漂移区(1)中且位于所述n‑漂移区(1)的左上部；第二p环注入基区(22)，设置在所述n‑漂移区(1)中且位于所述n‑漂移区(1)的中上部；终端截止环(7)，设置在所述n‑漂移区(1)中且位于所述n‑漂移区(1)的右上部；第一终端金属场板(31)，设置在所述第一p环注入基区(21)的上表面；第二终端金属场板(32)，设置在所述终端截止环(7)的上表面；二氧化硅绝缘层(4)，设置在所述n‑漂移区(1)的上表面且位于所述第一终端金属场板(31)和第二终端金属场板(32)之间，所述二氧化硅绝缘层(4)的中心开设有终端孔，所述终端孔内设有终端多晶硅场板(6)和位于终端多晶硅场板(6)下表面的栅氧层(5)，所述栅氧层(5)位于所述第二p环注入基区(22)的上表面；第三终端金属场板(33)，设置在所述终端多晶硅场板(6)的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，其特征在于：包括：n-漂移区(1)；第一p环注入基区(21)，设置在所述n-漂移区(1)中且位于所述n-漂移区(1)的左上部；第二p环注入基区(22)，设置在所述n-漂移区(1)中且位于所述n-漂移区(1)的中上部；终端截止环(7)，设置在所述n-漂移区(1)中且位于所述n-漂移区(1)的右上部；第一终端金属场板(31)，设置在所述第一p环注入基区(21)的上表面；第二终端金属场板(32)，设置在所述终端截止环(7)的上表面；二氧化硅绝缘层(4)，设置在所述n-漂移区(1)的上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐承福，白玉明，张海涛，
申请(专利权)人：无锡同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32