基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理方法，一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起。晶片(W)的处理方法包括：第一步骤，对晶片(W)的表面(Wa)供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从喷嘴(46)排出有机溶剂并将其供给到涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与涂敷膜之中其他的部分相同程度的厚度；第三步骤，在第二步骤之后对涂敷膜进行加热，形成由涂敷膜固化而成的固化膜；和第四步骤，从喷嘴(46)排出有机溶剂并将其供给到所述固化膜的周缘部，将该周缘部溶解而将其从基板上除去。

Substrate processing method and substrate processing apparatus

The present invention provides a substrate processing method that removes the protrusion while controlling the shape of an resist thick film. Wafer processing method (W) includes: a first step, on the surface of the wafer (W) (Wa) coating solution is supplied and forming a coating film; second steps from the nozzle (46) discharged from the organic solvent and supply it to the coating film of the periphery part of the peripheral part is convex convex part. Dissolved to the uniform and the coating film among other parts of the same degree of thickness; third steps of heating the coating film in second steps, forming a cured film by coating film solidify; and fourth steps from the nozzle (46) discharged from the organic solvent and the supply to the cured film. The edge of the periphery, and the dissolved from the substrate is removed.

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及基板处理方法、基板处理装置和计算机可读取的存储介质。
技术介绍
近年，在制造MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)等时，为了立体地对基板进行加工，有时在基板的表面形成例如5μm～60μm程度的膜厚的较厚的抗蚀剂膜(抗蚀剂厚膜)。作为抗蚀剂厚膜的材料，例如能够使用粘度高且在基板表面难以流动的涂敷液(例如聚酰亚胺)。将这样的粘度高的涂敷液滴下到基板的表面并进行旋涂时，在基板的周缘部产生凸状的突起(即凸起)而抗蚀剂厚膜变得特别厚，抗蚀剂厚膜的面内均匀性降低。因此，专利文献1公开一种基板处理方法，包括：在基板的表面滴下涂敷液而形成抗蚀剂厚膜；对抗蚀剂厚膜加热使其固化；和对固化了的抗蚀剂厚膜(固化膜)的周缘部供给有机溶剂来除去该周缘部。由于在对抗蚀剂厚膜加热使其固化时抗蚀剂厚膜内的溶剂挥发，所以固化膜对于有机溶剂的溶解性比固化前高。因此，能够容易将成为面内均匀性的降低的重要原因的抗蚀剂厚膜的周缘部与凸起一起除去。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-333355号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，由于抗蚀剂厚膜的周缘部的膜厚特别厚，所以利用有机溶剂难以仅将抗蚀剂厚膜的周缘部除去。因此，除去周缘部后的抗蚀剂厚膜的端面可能破坏，难以控制抗蚀剂厚膜的形状。因此，本公开说明能够一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起的基板处理方法、基板处理装置和计算机可读取的存储介质。用于解决技术问题的技术方案本公开的一个观点的基板处理方法包括：第一步骤，对基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从第一喷嘴排出第一有机溶剂并将其供给到涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与涂敷膜之中其他部分相同程度的厚度；第三步骤，在第二步骤之后对涂敷膜加热，形成由涂敷膜固化而成的固化膜；和第四步骤，从第二喷嘴排出第二有机溶剂并将其供给到固化膜的周缘部，将该周缘部溶解而将其从基板上除去。本公开的一个观点的基板处理方法中，在第二步骤中从第一喷嘴排出第一有机溶剂并供给到涂敷膜的周缘部，在之后的第三和第四步骤中，进行通过加热实现的涂敷膜的固化和向固化膜的周缘部供给第二有机溶剂。固化前的涂敷膜(未固化膜)与固化后的涂敷膜(固化膜)比较，有难以溶解在有机溶剂中的倾向。因此，利用在第二步骤中所供给的第一有机溶剂，不是除去全部未固化膜的周缘部而是特别除去该周缘部之中的凸起部。这样，在第三和第四步骤之前预先从涂敷膜除去凸起部，由此涂敷膜的周缘部的厚度与其他的领域是相同程度。因此，在接着的第四步骤中，固化膜的周缘部的除去变得容易，除去周缘部后的固化膜的端面不易被破坏。其结果是，能够一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起。但是，涂敷膜的周缘部的凸起部具有规定的宽度。因此，利用有机溶剂将全部周缘部与凸起部一起除去时，导致涂敷液浪费成本增大，并且基板之中能够制造电子器件等的区域变窄而生产性降低。但是，本公开的一个观点的基板处理方法中，在第二步骤中将凸起部除去。因此，不需要为了除去凸起部而将全部周缘部除去。因此，在基板的表面形成涂敷膜(固化膜)时，能够实现成本的降低和生产线的提高。第一有机溶剂对涂敷膜和固化膜的构成成分的溶解性，与第二有机溶剂对涂敷膜和固化膜的构成成分的溶解性相同或者可以比其高。在该情况下，能够用第一有机溶剂有效地将比固化膜难以溶解在有机溶剂中的未固化膜溶解。在第四步骤中，在使第二喷嘴的排出口相对于基板的表面铅垂向下的状态下从第二喷嘴排出第二有机溶剂，或者，在使第二喷嘴的排出口从基板的中心部向周缘部朝斜下方倾斜的状态下从第二喷嘴排出第二有机溶剂。在该情况下，供给到固化膜的周缘部的第二有机溶剂不易向基板的中心部飞溅。因此，容易确保涂敷膜的面内均匀性。第二步骤中可以包括：一边从第一喷嘴排出第一有机溶剂,一边使第一喷嘴以第一速度从基板的周缘向比该周缘靠中心部侧的位置移动的步骤；和一边从第一喷嘴排出第一有机溶剂，一边使第一喷嘴以比第一速度慢的第二速度从该位置向基板的周缘移动的步骤。在一边从第一喷嘴排出第一有机溶剂一边使第一喷嘴从基板的周缘向比该周缘靠中心部侧的位置移动的情况下，与在该位置开始第一有机溶剂的排出的情况比较，第一有机溶剂不易飞溅到周围。在一边从第一喷嘴排出第一有机溶剂一边使第一喷嘴从该位置向基板的周缘移动的情况下，与在停止于规定部位的状态下排出第二有机溶剂的情况比较，不易产生规定部位被特别大地除去的情况，易于确保涂敷膜的面内均匀性。第一喷嘴向基板的周缘移动时的第二速度比第一速度慢，由此能够在第一有机溶剂难以流到基板的中心部的状态下促进凸起部的除去。本公开的另一观点的基板处理装置包括：对基板的表面供给涂敷液的涂敷液供给部；对基板的表面供给第一和第二有机溶剂的溶剂供给部；对基板加热的加热部；和控制部，溶剂供给部包括能够排出第一有机溶剂的第一喷嘴和能够排出第二有机溶剂的第二喷嘴，控制部实施下述处理：第一处理，通过控制涂敷液供给部，对基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第二处理，通过控制溶剂供给部，从第一喷嘴排出第一有机溶剂并将其供给涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与涂敷膜之中其他的部分相同程度的厚度；第三处理，在第二处理之后通过控制加热部，使涂敷膜加热，形成由涂敷膜固化而成的固化膜；第四处理，通过控制溶剂供给部，从第二喷嘴排出第二有机溶剂并将其供给到固化膜的周缘部，将该周缘部溶解而将其从基板上除去。本公开的另一观点的基板处理装置中，在第二处理中从第一喷嘴排出第一有机溶剂并将其供给到涂敷膜的周缘部，在之后的第三和第四处理中，进行通过加热进行的涂敷膜的固化和向固化膜的周缘部供给第二有机溶剂。固化前的涂敷膜(未固化膜)与固化后的涂敷膜(固化膜)比较，具有难以溶解在有机溶剂中的倾向。因此，利用在第二步骤中供给的第一有机溶剂，没有除去固化前的涂敷膜的全部周缘部，而是特别除去该周缘部之中的凸起部。这样，通过在第三和第四处理之前预先从涂敷膜除去凸起部，使涂敷膜的周缘部的厚度成为与其他区域相同的程度。因此，在接着的第四处理中，固化膜的周缘部的除去变得容易，周缘部的除去后的固化膜的端面不易破坏。其结果是，难过一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起。但是，涂敷膜的周缘部的凸起部具有规定的宽度。因此，如果利用有机溶剂将全部周缘部与凸起部一起除去，则导致涂敷液浪费成本增加，并且基板之中能够制造电子器件等的区域变窄而生产性降低。但是，本公开的另一观点的基板处理装置中，在第二处理中除去凸起部。因此，不需要为了除去凸起部而对全部周缘部进行除去。因此，当在基板的表面形成涂敷膜(固化膜)时，能够实现成本低降低和生产性的提高。第一有机溶剂有机溶剂对涂敷膜和固化膜的构成成分的溶解性可以与第二有机溶剂有机溶剂对涂敷膜和固化膜的构成成分的溶解性相同或者比其高。在该情况下，能够用第一有机溶剂有效地溶解比固化膜难以溶解于有机溶剂的固化前的涂敷膜。控制部在第四处理中，在使第二喷嘴的排出口相对于基板的表面铅垂向下的状态下从第二喷嘴排出第二有机溶剂，或者在使第二喷嘴的排出口从基板的中心部向周缘部朝斜下方倾斜的状态下从第二喷嘴排出第二有机溶剂。该情况下，供给到固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括：第一步骤，对基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从第一喷嘴排出第一有机溶剂并将其供给到所述涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与所述涂敷膜之中其他的部分相同程度的厚度；第三步骤，在所述第二步骤之后对所述涂敷膜进行加热，形成由所述涂敷膜固化而成的固化膜；和第四步骤，从第二喷嘴排出第二有机溶剂并将其供给到所述固化膜的周缘部，将该周缘部溶解从而将其从所述基板上除去。

【技术特征摘要】
2016.02.03 JP 2016-0189851.一种基板处理方法，其特征在于，包括：第一步骤，对基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从第一喷嘴排出第一有机溶剂并将其供给到所述涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起的凸起部溶解而使其均匀成与所述涂敷膜之中其他的部分相同程度的厚度；第三步骤，在所述第二步骤之后对所述涂敷膜进行加热，形成由所述涂敷膜固化而成的固化膜；和第四步骤，从第二喷嘴排出第二有机溶剂并将其供给到所述固化膜的周缘部，将该周缘部溶解从而将其从所述基板上除去。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述第一有机溶剂对所述涂敷膜和所述固化膜的构成成分的溶解性，与所述第二有机溶剂对所述涂敷膜和所述固化膜的构成成分的溶解性相同或者比其高。3.如权利要求1或者2所述的基板处理方法，其特征在于：在所述第四步骤中，在使所述第二喷嘴的排出口相对于所述基板的表面铅垂向下的状态下从所述第二喷嘴排出所述第二有机溶剂，或者，在使所述第二喷嘴的排出口从所述基板的中心部向所述周缘部朝斜下方倾斜的状态下从所述第二喷嘴排出所述第二有机溶剂。4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：所述第二步骤中包括：一边从所述第一喷嘴排出所述第一有机溶剂，一边使所述第一喷嘴以第一速度从所述基板的周缘向比该周缘靠中心部侧的位置移动的步骤；和一边从所述第一喷嘴排出所述第一有机溶剂，一边使所述第一喷嘴以比所述第一速度慢的第二速度从所述位置向所述基板的周缘移动的步骤。5.一种基板处理装置，其特征在于，包括：对基板的表面供给涂敷液的涂敷液供给部；对所述基板的表面供给第一有机溶剂和第二有机溶剂的溶剂供给部；...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤好友，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP