便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统技术方案

本发明专利技术公开了一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，包括：依次相连的预热腔、沉积腔、冷却腔、成品腔和真空泵以及控制面板。所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述沉积腔的上部的开口上设置有顶盖，所述顶盖的下方活动连接有具有夹层的中空的输气板，所述输气板的下表面均匀开设有多个通孔，以使反应气体由所述夹层通入沉积腔，所述沉积腔的下表面上均匀设置有若干支柱，所述支柱可上下运动；所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室。其采用流水线式的制备系统，使得成膜效率大大提高，且成膜均匀质量高。同时所述系统方便系统的清洁和维护，减轻了维护保养的工作量，提高了工作效率。

System for preparing ITO film by magnetron sputtering for easy maintenance

The invention discloses a system for preparing ITO film by convenient magnetron sputtering, which comprises a preheating cavity, a deposition cavity, a cooling cavity, a finished product cavity, a vacuum pump and a control panel connected in sequence. The two side walls of the deposition chamber is arranged on the ITO target and magnet, the upper part of the opening of the deposition chamber is arranged on the top cover, below the top activities connected with an interlayer hollow gas plate, under the surface of the gas board is uniformly provided with a plurality of through holes, in order to make the reaction the gas from the interlayer pass into the deposition chamber, the deposition chamber on the lower surface of the uniform is provided with a plurality of pillar, the pillar can move up and down; the product cavity is provided with a plurality of grid, the product cavity evenly divided into a plurality of compartments. The pipeline system is adopted to improve the film forming efficiency, and the film is uniform and of high quality. At the same time, the system facilitates the cleaning and maintenance of the system, reduces the workload of maintenance and improves the work efficiency.

【技术实现步骤摘要】
便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统
本专利技术涉及半导体加工设备
，尤其涉及一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统。
技术介绍
铟锡氧化物(ITO)，是一种n型半导体，带隙介于3.5和4.3eV之间，最大载流子浓度可达1021cm-3数量级，因此ITO膜对于可见光和近红外光是透明的。由于ITO膜具有高的可见光透过率、高的红外光反射率、极好的电导性和对衬底的粘附性，它已经在众多领域如光电子器件、光伏电池、液晶显示屏、传感器、生物器件、平板展示器件和热反射镜中被用作透明电极。透明导电ITO薄膜可以用许多方法制备，由于在高效异质结太阳能电池制备过程中，需要低温工艺和小的离子轰击，并且导电薄膜ITO要求低的电阻率和高的光学透过率，因此用常规方法很难满足要求。薄膜沉积技术是泛半导体
广泛采用的一项技术，如绝缘层和金属化导电层即是通过薄膜沉积技术获得。物理气相沉积装置是实现薄膜沉积技术的常用设备，其通过蒸发、离子束、溅射等手段获得薄膜。其中，溅射法沉积速率快，而且获得的薄膜致密性好、纯度高等特点，被业内普遍采用。但是现有的溅射法沉积ITO薄膜系统将基片的升温、沉积、冷却均在一个腔室内完成，往往效率不高，且膜层沉积不均匀，设备维护比较麻烦。且在基板上沉积ITO薄膜的过程中，ITO靶材很容易附着在腔室顶部，进而在反复使用时，使得腔室顶部的附着物越来越多，容易发生附着物掉落，进而影响顶部下的基板，造成基板上出现杂质，影响膜层沉积，造成残品次品增多，影响生产进度，造成浪费。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，采用流水线式的制备系统，使得成膜效率大大提高，且成膜均匀质量高。本专利技术还有一个目的是提供一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，方便系统的清洁和维护，减轻了维护保养的工作量，提高了工作效率。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了以下技术方案：一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，包括：预热腔，其将基片预热至一定温度，所述预热腔的顶面和底面上分别设置有加热器，所述预热腔的两侧壁上设置有第一滚轴；沉积腔，其连接于所述预热腔，等离子体产生于所述沉积腔内；所述沉积腔的底面内设置有加热板，所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述ITO靶材的溅射面两两相对，所述磁体位于所述ITO靶材的后部，且所述两侧壁上的磁体的磁力相反，以在所述两侧壁间形成磁场；所述沉积腔的上部开口，所述开口上设置有顶盖，以将所述沉积腔的开口闭合，所述顶盖的下方活动连接有具有夹层的中空的输气板，所述输气板的下表面均匀开设有多个通孔，以使反应气体由所述夹层通入沉积腔，所述输气板的四壁和中心位置均设置有多个进气口，所述进气口与外部反应气体装置相连；所述沉积腔的两侧壁上设置有第二滚轴，所述第二滚轴位于所述ITO靶材的下方，并与所述第一滚轴的高度齐平，且所述第二滚轴为可伸缩设置；所述沉积腔的下表面上均匀设置有若干支柱，所述支柱可上下运动；冷却腔，其连接于所述沉积腔，所述冷却腔的两侧壁上设置有第三滚轴，所述第三滚轴的高度与所述第一滚轴和第二滚轴齐平；成品腔，其连接于所述冷却腔，所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室；真空泵，其与所述预热腔、沉积腔和冷却腔分别连接，以控制所述各个腔室的真空度；控制面板，其与所述预热腔、沉积腔、冷却腔和真空泵分别连接，以对各个腔室内的部件和真空泵进行控制。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，还包括：温度传感器，其受控于所述控制面板，并分别设置于所述预热腔、沉积腔和冷却腔的侧壁上。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，所述ITO靶材的后部连接有冷却器。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，所述进气口的前端设置有挡板，以在所述进气口前形成一个储气腔室，所述挡板的中部开口，以将所述储气腔室内的反应气体通入所述输气板。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，所述成品腔的底部设置有伸缩台，所述伸缩台在完全伸展时使所述成品腔的最下端的隔室与所述冷却腔的出口平齐，所述伸缩台在完全收缩时使所述成品腔的最上端的隔室与所述冷却腔的出口平齐。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，所述伸缩台上设置有重力传感器，所述重力传感器与所述控制面板通讯连接，所述重力传感器在感测到所述成品腔的重量加大时，向所述控制面板发送信号，所述控制面板控制所述伸缩台向上伸展1个隔室的高度。优选的是，所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统中，所述伸缩台上设置有与所述控制面板通讯连接的提示装置，所述提示装置在所述伸缩台完全伸展后向所述控制面板发出提示。本专利技术至少包括以下有益效果：本专利技术的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统通过由预热腔、沉积腔、冷却腔、成品腔以及真空泵控制面板组成的制备ITO薄膜的系统，将在基板上制备ITO薄膜的工序分解在几个腔室内完成，使得成膜效率大大提高，即提高了设备的生产率。通过将基板镀膜前在预热腔内预热至一定的温度，使得基板在沉积腔内的时间有效的减少，进而提高沉积腔的工作效率，同时减少了基板在沉积腔内的停留时间，因而可在成膜后立即将基板输送至冷却腔内进行冷却，避免沉积腔内的残余靶材沉积在基板上，影响成膜的质量。通过在沉积腔内设置可伸缩的第二滚轴和可上下运动的支柱，使得第二滚轴在将基板运送到指定位置后，沉积腔下表面的支柱向上运动，从而将基板支离第二滚轴，第二滚轮向沉积腔两侧收缩，不与基板的边缘接触，而后支柱向下运动，将基板放置于沉积腔的底面上，以利于基板经由沉积腔的底面加热至指定温度后，进行ITO薄膜沉积，通过设置多个支柱，能够保证基板各个点受力相对均匀，从而避免基板受力不均引起的破碎，且由于支柱截面积远小于支柱，因而有效减少了基板与支撑物体的接触面积，进而减少了基板上污物的附着，即提高了成品质量。通过在沉积腔上设置顶盖，并在顶盖上活动连接输气板，使得输气板可以由沉积腔内方便的拆卸，进而在维修保养时，可便捷的更换输气板，提高了保养效率，即提高了生产效率，同时，保证基板表面干净，利于ITO薄膜的沉积，即提高了成品的质量。本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为本专利技术所述的便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。如图1所示，一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，包括：预热腔1，其将基片预热至一定温度，所述预热腔1的顶面和底面上分别设置有加热器，所述预热腔1的两侧壁上设置有第一滚轴；沉积腔2，其连接于所述预热腔1，等离子体产生于所述沉积腔2内；所述沉积腔2的底面内设置有加热板，所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，用于在基片上沉积ITO薄膜，其中，包括：预热腔，其将基片预热至一定温度，所述预热腔的顶面和底面上分别设置有加热器，所述预热腔的两侧壁上设置有第一滚轴；沉积腔，其连接于所述预热腔，等离子体产生于所述沉积腔内；所述沉积腔的底面内设置有加热板，所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述ITO靶材的溅射面两两相对，所述磁体位于所述ITO靶材的后部，且所述两侧壁上的磁体的磁力相反，以在所述两侧壁间形成磁场；所述沉积腔的上部开口，所述开口上设置有顶盖，以将所述沉积腔的开口闭合，所述顶盖的下方活动连接有具有夹层的中空的输气板，所述输气板的下表面均匀开设有多个通孔，以使反应气体由所述夹层通入沉积腔，所述输气板的四壁和中心位置均设置有多个进气口，所述进气口与外部反应气体装置相连；所述沉积腔的两侧壁上设置有第二滚轴，所述第二滚轴位于所述ITO靶材的下方，并与所述第一滚轴的高度齐平，且所述第二滚轴为可伸缩设置；所述沉积腔的下表面上均匀设置有若干支柱，所述支柱可上下运动；冷却腔，其连接于所述沉积腔，所述冷却腔的两侧壁上设置有第三滚轴，所述第三滚轴的高度与所述第一滚轴和第二滚轴齐平；成品腔，其连接于所述冷却腔，所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室；真空泵，其与所述预热腔、沉积腔和冷却腔分别连接，以控制所述各个腔室的真空度；控制面板，其与所述预热腔、沉积腔、冷却腔和真空泵分别连接，以对各个腔室内的部件和真空泵进行控制。...

【技术特征摘要】
1.一种便于维护保养的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，用于在基片上沉积ITO薄膜，其中，包括：预热腔，其将基片预热至一定温度，所述预热腔的顶面和底面上分别设置有加热器，所述预热腔的两侧壁上设置有第一滚轴；沉积腔，其连接于所述预热腔，等离子体产生于所述沉积腔内；所述沉积腔的底面内设置有加热板，所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述ITO靶材的溅射面两两相对，所述磁体位于所述ITO靶材的后部，且所述两侧壁上的磁体的磁力相反，以在所述两侧壁间形成磁场；所述沉积腔的上部开口，所述开口上设置有顶盖，以将所述沉积腔的开口闭合，所述顶盖的下方活动连接有具有夹层的中空的输气板，所述输气板的下表面均匀开设有多个通孔，以使反应气体由所述夹层通入沉积腔，所述输气板的四壁和中心位置均设置有多个进气口，所述进气口与外部反应气体装置相连；所述沉积腔的两侧壁上设置有第二滚轴，所述第二滚轴位于所述ITO靶材的下方，并与所述第一滚轴的高度齐平，且所述第二滚轴为可伸缩设置；所述沉积腔的下表面上均匀设置有若干支柱，所述支柱可上下运动；冷却腔，其连接于所述沉积腔，所述冷却腔的两侧壁上设置有第三滚轴，所述第三滚轴的高度与所述第一滚轴和第二滚轴齐平；成品腔，其连接于所述冷却腔，所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室；真空泵，其与所述预热腔、沉积腔和冷却腔分别连接，以控制所述各个腔室的真空度；控制面板，其与所述预热腔、...

【专利技术属性】
技术研发人员：易鉴荣，唐臻，林荔珊，
申请(专利权)人：柳州豪祥特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45