一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板制造技术

本申请公开了一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板。该像素驱动电路包括数据线、扫描线、第一像素电极和至少两个第一开关；该至少两个第一开关的各自输入端均连接数据线，该至少两个第一开关的各自输出端均连接同一个第一像素电极，至少两个第一开关的各自控制端均连接扫描线，以加快第一像素电极的充电过程，从而改善因第一像素电极充电不足引起的显示画面显示质量下降的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板
本申请涉及显示面板
，特别是涉及一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，人们对液晶显示面板的高清和逼真的显示画面的需求越来越普遍，特别是3D显示技术的高逼真画面越来越受到影视观众的喜爱。在以开关，如薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)等驱动的液晶显示面板技术中，帧频是每秒驱动显示画面的帧数量，帧频越大代表单位时间内能显示越多的画面，画面显示也就越流畅。但随着帧频的增大，开关对像素电极的充电时间会相应减少，会导致像素电极充电不足的问题，从而导致显示画面的显示质量降低，很大程度上制约着液晶显示面板的发展及应用。本申请的专利技术人在长期的研发中发现，在目前现有技术中，为解决高帧频显示时，像素电极充电不足的问题，一般采用两种技术方案：一种是通过降低RC延时，以提高充电速度，具体可以通过增大金属铜膜层厚度和金属铜线宽以降低阻抗和电容来降低RC延时，但该方法会增加成本，且会增加液晶显示面板的非显示区的尺寸或液晶显示面板的厚度；另一种是在高帧频扫描周期内提高像素电极充电能力，可以通过采用具有高载流子迁移率材料的开关对像素电极进行充电。但目前的高载流子迁移率材料的应用在技术上的存在较多难点，尚不能普遍使用。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种像素驱动电路及阵列基板、显示面板，以加快对像素电极的充电过程，从而提高显示画面的显示质量。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种像素驱动电路。所述像素驱动电路包括所述至少两个第一开关的各自输入端均连接所述数据线，所述至少两个第一开关的各自输出端均连接同一个所述第一像素电极，所述至少两个第一开关的各自控制端均连接所述扫描线，以加快所述第一像素电极的充电过程。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板。所述阵列基板包括多个成矩阵排列的像素驱动电路；所述驱动电路为上述像素驱动电路；其中，同一列像素驱动电路共用同一条所述数据线，同一行像素驱动电路共用同一条所述扫描线；或同一行像素驱动电路共用同一条所述数据线，同一列像素驱动电路共用同一条所述扫描线。为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种显示面板。所述显示面板包括第一基板、第二基板及液晶层；所述第一基板和/或第二基板为上述阵列基板；其中，液晶层位于所述第一基板及所述第二基板之间。本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例像素驱动电路包括数据线、扫描线、第一像素电极和至少两个第一开关；至少两个第一开关的各自输入端均连接数据线，各自控制端均连接扫描线，各自输出端均连接同一个第一像素电极。申请实施例通过该至少两个第一开关给该第一像素电极充电，能够加快对该第一像素电极的充电过程，进而能够提高显示画面的显示质量。附图说明图1是本申请像素驱动电路一实施例的电路示意图；图2是图1实施例的结构示意图；图3是图2实施例中TFT导电沟道的结构示意图；图4A是本申请像素驱动电路另一实施例的电路示意图；图4B是图4A实施例的结构示意图；图5是本申请阵列基板一实施例的结构示意图；图6是本申请显示面板的一实施例的结构示意图。具体实施方式请参阅图1，图1是本申请像素驱动电路一实施例的电路示意图。本实施例包括数据线Data、扫描线Scan、第一像素电极101和至少两个第一开关T1、T2；至少两个第一开关T1、T2的各自输入端102、103均连接数据线Data，至少两个第一开关T1、T2的各自输出端104、105均连接同一个第一像素电极101，至少两个第一开关T1、T2的各自控制端106、107均连接扫描线Scan，以加快第一像素电极101的充电过程。为满足用户对画面显示流畅性的越来越高的要求，画面显示的帧频也越来越大，像素扫描信号周期越来越小，像素得到的扫描信号持续驱动时间越来越小，相应的像素电极充电时间也越来越短，极易导致像素电极充电不足，从而导致显示画面的显示质量下降，甚至不能正常显示。本实施例采用增加与第一像素电极101连接的第一开关T1、T2的数量来加快第一像素电极101的充电过程，第一开关T1、T2的数量越多，第一像素电极101的充电过程就越快，因此，能够解决第一像素电极101充电不足的问题，从而适应画面显示的帧频越来越大的趋势。区别于现有技术，本实施例将至少两个第一开关T1、T2的各自输入端102、103均连接数据线Data，至少两个第一开关T1、T2的各自输出端104、105均连接同一个第一像素电极101，至少两个第一开关T1、T2的各自控制端106、107均连接扫描线Scan，在扫描线Scan提供的扫描信号驱动下，使得与第一像素电极101连接的至少两个第一开关T1、T2均给第一像素电极101充电，能够加快第一像素电极101的充电过程，从而能够提高显示画面的显示质量。在一个应用场景中，本实施例的至少两个第一开关T1、T2的各自输入端连接同一数据线Data，至少两个第一开关T1、T2的各自控制端连接同一扫描线Scan，以使至少两个第一开关T1、T2同时给第一像素电极101充电，最大限度的加开充电过程。可选地，本实施的各第一开关均为TFT。其中，第一开关的控制端为TFT的栅极，输入端为TFT的源极，输出端为TFT的漏极，当然，在另一实施例中，第一开关的输入端为TFT的漏极，输出端为TFT的源极。在又一实施例中，第一开关也可以是其它具有开关功能的电子元器件，如互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)等。具体地，请参阅图2，图2是图1实施例的结构示意图。从图2中可以看出，至少两个TFT的栅极201、202与扫描线Scan同层设置，且均与连接扫描线Scan在一起；该至少两个TFT的源极203、204与数据线Data同层设置，且均与数据线Data连接在一起；该至少两个TFT的漏极205、206均与第一像素电极207连接，且该至少两个TFT的漏极205、206均与第一像素电极207同层或非同层设置，当扫描线Scan提供的扫描信号驱动至少两TFT工作时，数据线Data提供的数据电压经过该至少两TFT同时给第一像素电极207充电，以加快第一像素电极207充电的充电过程。可选地，本实施例的TFT为非晶硅TFT。当然，在其它实施例中，可采用非晶氧化铟镓锌材料代替非晶硅材料。请参阅图3，图3是图2实施例中TFT的导电沟道的结构示意图。非晶硅TFT对第一像素电极101的充电速度很大程度上取决于非晶硅TFT的载流子的迁移率μ，μ与其导电沟道的宽长比W/L有关，W/L越大，μ越大。从图3中可以看出，在上述实施例的至少两个第一开关与第一像素电极的设置方式可以增加用于迁移载流子的导电沟道的宽度W。若各第一开关的导电沟道尺寸一致，则N个第一开关的导电沟道的载流子的迁移率的和为N*μ，该N个第一开关给第一像素电极的充电速度加快N倍，整个像素电极的充电过程将加快N倍。可选地，请参阅图4A，图4A是本申请像素驱动电路另一实施例的电路示意图；图4B是图4A实施例的结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上进一步包括第二像素电极401及至少两个第二开关T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，包括：数据线、扫描线、第一像素电极和至少两个第一开关；所述至少两个第一开关的各自输入端均连接所述数据线，所述至少两个第一开关的各自输出端均连接同一个所述第一像素电极，所述至少两个第一开关的各自控制端均连接所述扫描线，以加快所述第一像素电极的充电过程。

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：数据线、扫描线、第一像素电极和至少两个第一开关；所述至少两个第一开关的各自输入端均连接所述数据线，所述至少两个第一开关的各自输出端均连接同一个所述第一像素电极，所述至少两个第一开关的各自控制端均连接所述扫描线，以加快所述第一像素电极的充电过程。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，进一步包括第二像素电极及至少两个第二开关；所述至少两个第二开关的各自控制端均连接所述扫描线，所述一第二开关的输入端连接所述数据线，输出端连接所述第二像素电极，所述另一第二开关的输入端连接所述一第二开关的输出端，以拉低所述第二像素电极的像素电压。3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一像素电极及所述第二像素电极共同为所述像素提供像素电压；且所述第一像素电极为所述像素的主像素电极。4.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，进一步包括：第一存储电容及第二存储电容；所述第一存储电容及所述第二存储电容分别与所述第一像素电极及所述第二像素电极连接，分别用于存储所述像素驱动电路对所述第一像素电极及所述第二像素电极的充电电荷。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：磨光阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44