一种Gd制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法
本专利技术涉及一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶的制备方法。
技术介绍
在众多半导体纳米材料中，硫化锌作为一种重要的半导体材料被广泛应用于非线性光学器件、太阳能电池、传感器件、紫外发光二极管和平板显示器中。当前II-VI族半导体ZnS纳米材料的制备可分为物理方法和化学方法，物理方法主要有等离子蒸发法、电子束蒸发、溅射法、激光束法和真空冷凝法等。化学方法主要包括气相反应法、模板法、微乳液反应法和水热法等。硫化锌通过掺杂可以改善和提高硫化物半导体纳米材料的光学、磁学、电学等性质，纳米微粒由于量子尺寸效应、表面效应、库仑阻塞效应和宏观量子隧道效应等会使得ZnS纳米微粒表现出许多特有的性质和功能。稀土掺杂的II-VI族半导体ZnS纳米材料作为一类特殊的体系近来已引起了人们的极大兴趣，原因在于这类掺杂半导体纳米晶能表现出不同于掺杂的体材料半导体的性质。现有的ZnS的合成方法中大多成本高，工艺复杂，制备过程往往需要昂贵的仪器设备，试验条件要求比较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是采用溶胶凝胶法在室温下合成ZnS：Gd3+纳米晶。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是提供了一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将乙酸锌和乙酸钆溶于无水乙醇溶液中，搅拌直至完全溶解，并在溶液中放入PVP，定义为混合液一，使用磁力搅拌对混合液一进行剧烈搅拌，在剧烈搅拌过程中，将硫化钠与水乙醇溶液配成混合液二，使用碱式滴定管在通风橱内往混合液一中缓慢滴入混合液二，至白色沉淀形成后静置，然后用胶头滴管吸入少量白色沉淀部分并涂于已清洗过的...
【技术保护点】
一种Gd
【技术特征摘要】
1.一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将乙酸锌和乙酸钆溶于无水乙醇溶液中，搅拌直至完全溶解，并在溶液中放入PVP，定义为混合液一，使用磁力搅拌对混合液一进行剧烈搅拌，在剧烈搅拌过程中，将硫化钠与水乙醇溶液配成混合液二，使用碱式滴定管在通风橱内往混合液一中缓慢滴入混合液二，至白色沉淀形成后静置，然后用胶头滴管吸入少量白色沉淀部分并涂于已清洗过的硅片衬底上，经过加热处理后得钆离子掺杂硫化锌纳米晶。2.如权利要求1所述的一种Gd3+掺杂ZnS纳米晶制备方法，其特征在于，所述乙酸锌与...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。