晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，晶片的加工方法具有如下步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第2方向改质层形成步骤，沿着第2分割预定线在晶片的内部形成第2方向改质层。第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在与形成有第1方向改质层的第1分割预定线呈T字路相交的第2分割预定线的内部形成第2方向改质层。在T字路加工步骤中进行控制以使得随着激光束的聚光点接近T字路的交点而使该聚光点向晶片的背面侧逐渐上升，使圆锥形状的激光束不超过先形成的第1方向改质层。

Wafer processing method

Method for processing wafer. The formation of the first vertical lines and second predetermined chip segmentation segmentation at least second predetermined line in the preset dividing line formed in a non continuous way is divided into one chip, wafer processing method includes the following steps: first direction modified layer forming step along the first preset dividing line first direction is formed on a wafer inside modified layer; and a second direction modified layer forming step along the second preset dividing line second direction formed on the wafer within the modified layer. The second direction modification layer forming step comprises a T word path processing step, forming a second direction modified layer in the interior of the second division predetermined line intersecting the first division predetermined line having a first direction modified layer and forming a T word path. To control the T word processing steps to make the road intersection with the focal point of the laser beam is close to the T word road spot gradually rises to the back side of the wafer, the laser beam conical shape does not exceed first of the first direction formed a modified layer.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及硅晶片、蓝宝石晶片等晶片的加工方法。
技术介绍
硅晶片、蓝宝石晶片等晶片中，IC、LSI、LED等多个器件通过分割预定线划分而形成在正面上，该晶片被加工装置分割成一个个的器件芯片，分割出的器件芯片广泛用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。晶片的分割广泛采用划片方法，该划片方法使用被称为划片器的切削装置。在划片方法中，使切削刀具按照30000rpm左右的高速旋转并且切入晶片而切削晶片，将晶片分割成一个个的器件芯片，关于该切削刀具，利用金属或树脂加固金刚石等磨粒而使厚度为30μm左右。另一方面，近年来，开发出并实用化使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法。作为使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法，公知有以下说明的第1和第2加工方法。第1加工方法是如下的方法：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，而沿着分割预定线照射激光束从而在晶片内部形成改质层，然后通过分割装置对晶片施加外力而以改质层为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特许第3408805号)。第2加工方法是如下的方法：向与分割预定线对应的区域照射对于晶片具有吸收性的波长(例如355nm)的激光束，通过烧蚀加工而形成加工槽，然后施加外力而以加工槽为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特开平10-305420号)。在上述第1加工方法中，不会产生加工屑，与基于以往通常使用的切削刀具的划片相比较，存在切割线的极小化和无水加工等优点，广泛地使用。并且，在基于激光束照射的划片方法中，存在能够对替代投影晶片这样的分割预定线(间隔道)是非连续性的结构的晶片进行加工这样的优点(例如，参照日本特开10-123723号)。在分割预定线是非连续性的晶片的加工中，根据分割预定线的设定对激光束的输出进行接通/断开而进行加工。专利文献1：日本特许第3408805号公报专利文献2：日本特开平10-305420号公报专利文献3：日本特开2010-123723号公报但是，在沿第2方向伸长的分割预定线与沿第1方向连续性地伸长的分割预定线呈T字路相遇的交点附近，存在如下这样的问题。(1)当在与器件的一边平行的第1分割预定线的内部先形成有第1改质层，在与该第1分割预定线呈T字路地相交的第2分割预定线的内部形成第2改质层时，存在如下的问题：随着激光束的聚光点接近于T字路的交点，对第2分割预定线进行加工的激光束的一部分向已经形成的第1改质层照射，而产生激光束的反射或者散射，光向器件区域泄漏，因该泄漏光而给器件带来损伤，降低器件的品质。(2)相反地，当在与器件的一边平行的第1分割预定线上形成改质层之前，沿着与第1分割预定线呈T字路相遇的第2分割预定线在晶片的内部先形成改质层时，存在如下的问题：在T字路的交点处不存在将从在T字路的交点附近所形成的改质层产生的裂纹的行进阻断的改质层，导致裂纹从T字路的交点处伸长1～2mm左右而到达器件，降低器件的品质。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，在对至少一方的分割预定线以非连续的方式形成的晶片进行激光加工时，抑制在一方的分割预定线的端部与另一方的分割预定线呈T字路相遇的交点附近向已经形成的改质层照射激光束，能够防止因改质层造成的激光束的反射或者散射，防止因泄漏光导致的器件的损伤。根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第2分割预定线的多层的第2方向改质层；以及分割步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤和该第2方向改质层形成步骤之后，对晶片施加外力，以该第1方向改质层和该第2方向改质层为断裂起点沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线将晶片断裂而分割成一个个的器件芯片，该第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在相对于形成有该第1方向改质层的该第1分割预定线呈T字路地相交的该第2分割预定线的内部形成第2方向改质层，在该T字路加工步骤中，进行控制以使得随着激光束的聚光点接近T字路的交点而使该聚光点向晶片的背面侧逐渐上升，使圆锥形状的激光束不超过第1方向改质层。根据本专利技术的晶片的加工方法，由于在T字路加工步骤中，进行控制以使得随着激光束的聚光点接近T字路的交点而使该聚光点向晶片的背面侧逐渐上升，使圆锥形状的激光束不超过第1方向改质层，因此在形成第2方向改质层时圆锥形状的激光束不会与第1方向改质层冲突，因此不会产生因激光束的散射或者反射导致的泄漏光，因此能够消除泄漏光攻击器件而给器件带来损伤这样的问题。因此，能够在不降低器件的品质的情况下，沿着分割预定线在晶片的内部形成适当的改质层。附图说明图1是适合实施本专利技术的晶片的加工方法的激光加工装置的立体图。图2是激光束产生单元的框图。图3是适合利用本专利技术的晶片的加工方法进行加工的半导体晶片的立体图。图4是示出第1方向改质层形成步骤的立体图。图5是示出第1方向改质层形成步骤的示意性剖视图。图6是示出T字路加工步骤的示意性俯视图。图7是示出T字路加工步骤的剖视图。图8是分割装置的立体图。图9的(A)、(B)是示出分割步骤的剖视图。标号说明11：半导体晶片；13a：第1分割预定线；13b：第2分割预定线；15：器件；17：第1方向改质层；19：第2方向改质层；24：卡盘工作台；34：激光束照射单元；35：激光束产生单元；38：聚光器(激光头)；40：拍摄单元；50：分割装置。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出适合实施本专利技术实施方式的晶片的加工方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含搭载在静止基台4上的在Y轴方向上伸长的一对导轨6。通过由滚珠丝杠10和脉冲电机12构成的Y轴进给机构(Y轴进给单元)14使Y轴移动块8在分度进给方向、即Y轴方向上移动。在Y轴移动块8上固定有在X轴方向上伸长的一对导轨16。通过由滚珠丝杠20和脉冲电机22构成的X轴进给机构(X轴进给单元)28而在导轨16上引导X轴移动块18从而在加工进给方向、即X轴方向上移动X轴移动块18。在X轴移动块18上经由圆筒状支承部件30搭载有卡盘工作台24。在卡盘工作台24上配设有对图4所示的环状框架F进行夹持的多个(在本实施方式中为4个)夹具26。柱32竖立设置于基座4的后方。在柱32上固定有激光束照射单元34的壳体36。激光束照射单元34包含：激光束产生单元35，其收纳在壳体36中；以及聚光器(激光头)38，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第2分割预定线的多层的第2方向改质层；以及分割步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤和该第2方向改质层形成步骤之后，对晶片施加外力，以该第1方向改质层和该第2方向改质层为断裂起点而将该晶片沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线断裂而分割成一个个的器件芯片，该第2方向改质层形成步骤包含如下的T字路加工步骤：在与形成有该第1方向改质层的该第1分割预定线呈T字路而相交的该第2分割预定线的内部形成第2方向改质层，在该T字路加工步骤中，进行控制以使得随着激光束的聚光点接近T字路的交点而使该聚光点向晶片的背面侧逐渐上升，使圆锥形状的激光束不超过第1方向改质层。...

【技术特征摘要】
2015.11.05 JP 2015-2173531.一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤平泰吉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP