显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:15958208 阅读:24 留言:0更新日期:2017-08-08 09:57
本发明专利技术的目的在于能够形成不易剥离的像素电极并且高精度进行图案化。显示装置包括:基底层(32)、层叠于基底层(32)的多个像素电极(30)、层叠于多个像素电极(30)的发光元件层(44)、层叠于发光元件层(44)的公共电极(46)。多个像素电极(30)分别包含:与基底层(32)直接接触的第一氧化物导电层(36)、与第一氧化物导电层(36)直接接触的金属导电层(38)、与金属导电层(38)直接接触的第二氧化物导电层(40)。基底层(32)相对于第一氧化物导电层(36)的密合性比金属导电层(38)高。第一氧化物导电层(36)具有在彼此相邻的像素电极(30)的相对的方向上从金属导电层(38)及第二氧化物导电层(40)伸出的突出部(36a)。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本专利技术涉及显示装置及其制造方法。
技术介绍
作为下一代显示器,期待在每个像素上设有有机电致发光元件等发光元件的显示装置。发光元件的结构大多是,通过夹持于像素电极(阳极)及公共电极(阴极)的发光层产生光,且产生的光由像素电极进行反射。在顶部发射型显示装置的情况下,来自发光元件的射出光从公共电极侧提取,因此,将像素电极作为反射电极,且将公共电极作为透射电极形成。为了提高光提取效率,像素电极优选为由反射率较高的材料构成的反射膜。但是,为了优化空穴注入到发光层的功函数,有时反射膜的上表面(与发光层的接触面)由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的氧化物导电膜覆盖。另一方面,为了保持与作为像素电极的基底层的无机绝缘膜的密合性,有时还在反射膜的下表面(与无机绝缘膜的接触面)设置氧化物导电膜(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-317606号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题形成像素电极时,例如利用混合酸图案化由ITO膜、Ag膜及ITO膜构成的层叠膜时,有时产生Ag的蚀刻剩余或残渣。可以认为,这是由于混合酸与Ag反应而产生的一氧化氮气体附着于Ag膜的表面,导致Ag膜的表面在蚀刻液中发生钝化。因此,混合酸中,存在图案化不充分、彼此相邻的像素电极短路的问题。由于高精细化,像素电极的间隔越狭窄,越易于产生Ag的蚀刻剩余或残渣。另外,Ag膜与无机绝缘膜的密合性较低,因此,当Ag膜从ITO膜露出时,像素电极与基底层的密合性变低。此外,专利文献1中公开了如下内容:通过用ITO膜密封Ag膜的上下及周围,将Ag与有机材料隔开,防止由于Ag与有机材料的反应而产生气体。因此,Ag膜不会露出,所以像素电极与基底层的密合性高,根本不存在本专利技术所要解决的技术问题。本专利技术的目的在于,能够形成不易剥离的像素电极并且能够高精度地进行图案化。用于解决问题的手段本专利技术提供一种显示装置,其特征在于,包括:基底层;多个像素电极,其层叠于所述基底层上;发光元件层,其层叠于所述多个像素电极上;公共电极,其层叠于所述发光元件层上,所述多个像素电极各自包括:第一氧化物导电层,其与所述基底层直接接触;金属导电层,其与所述第一氧化物导电层直接接触;第二氧化物导电层,其与所述金属导电层直接接触,所述基底层相对于所述第一氧化物导电层的密合性比相对于所述金属导电层高,所述第一氧化物导电层具有在彼此相邻的所述像素电极的相对的方向上从所述金属导电层及所述第二氧化物导电层伸出的突出部。根据本专利技术,相对于基底层的密合性较高的第一氧化物导电层具有从金属导电层及第二氧化物导电层伸出的突出部,因此,像素电极不易剥离。本专利技术提供一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:形成多个像素电极的工序;在所述多个像素电极上层叠发光元件层的工序;在所述发光元件层上层叠公共电极的工序,形成所述多个像素电极的工序包括:以与所述多个像素电极对应的形状并且以与彼此相邻的所述像素电极对应的部分利用无机绝缘层隔离的方式,形成第一氧化物导电层的图案的工序;以与所述无机绝缘层和所述第一氧化物导电层的所述图案直接接触的方式形成相对于所述无机绝缘层的密合性比所述第一氧化物导电层低的金属导电层的工序;在所述金属导电层之上形成第二氧化物导电层的工序;通过湿法蚀刻图案化所述金属导电层及所述第二氧化物导电层,使得载置于所述第一氧化物导电层的所述图案内侧的部分留下的工序。根据本专利技术,金属导电层相对于无机绝缘层的密合性较低,即使在无机绝缘层之上产生蚀刻剩余或残渣也易于剥离。因此,可以防止第一氧化物导电层图案的短路,因此,可以以较高的精度形成像素电极。本专利技术提供一种显示装置,包括:基底层;多个像素电极,其层叠于所述基底层上;发光元件层,其层叠于所述多个像素电极上;公共电极,其层叠于所述发光元件层上,所述多个像素电极各自包含:第一氧化物导电层,其与所述基底层直接接触;金属导电层,其与所述第一氧化物导电层直接接触;第二氧化物导电层,其与所述金属导电层直接接触,所述基底层为硅氮化膜或硅氧化膜,所述金属导电层含有选自金、铝、及银的材料,所述第一氧化物导电层具有在彼此相邻的所述像素电极相对的方向上从所述金属导电层及所述第二氧化物导电层伸出的突出部。附图说明图1是表示本专利技术第一实施方式的显示装置的剖面图;图2是将由图1的单点划线包围的部分II放大的图;图3A~图3C是用于说明本专利技术第一实施方式的显示装置的制造方法的图;图4A~图4C是用于说明本专利技术第一实施方式的显示装置的制造方法的图;图5是本专利技术第二实施方式的显示装置的局部放大剖面图;图6A~图6C是用于说明本专利技术第二实施方式的显示装置的制造方法的图;图7A~图7B是用于说明本专利技术第二实施方式的显示装置的制造方法的图。附图标记说明10第一基板、12底涂层、14半导体层、16源极、18漏极、20栅绝缘膜、22栅极、24层间绝缘膜、26薄膜晶体管、28钝化膜、30像素电极、32基底层、34接触孔、36第一氧化物导电层、36a突出部、38金属导电层、40第二氧化物导电层、42绝缘层、44发光元件层、46公共电极、48密封层、50充填层、52第二基板、54蚀刻掩模、56蚀刻液、58一氧化氮气体、60残渣、230像素电极、232基底层、236第一氧化物导电层、236a突出部、238金属导电层、240第二氧化物导电层、254蚀刻掩模、256蚀刻液、258一氧化氮气体、260残渣、262无机绝缘层。具体实施方式以下,参照附图说明本专利技术的实施方式。但是,本专利技术可以在不脱离其宗旨的范围内以各种方式进行实施,而不限定于以下示例的实施方式的记载内容进行解释。附图中,为了使说明更明确,与实际方式相比,有时示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等,但这终归只是一例,而不是限定本专利技术的解释。本说明书和各图中,对与在已叙的图中说明的要素具备相同功能的要素,标注相同的附图标记,并省略重复的说明。另外,本专利技术的详细说明中,限定某构成物和其它构成物的位置关系时,“在………之上”“在……之下”不仅包含直接位于某构成物之上或之下的情况,只要没有特别说明,还包含其间设置其它构成物的情况。[第一实施方式]图1是表示本专利技术第一实施方式的显示装置的剖面图。作为显示装置,列举有机电致发光显示装置。显示装置通过组合例如由红(R)、绿(G)及蓝(B)构成的多色的单位像素(子像素),形成全彩色的像素(像素),并显示全彩色的图像。显示装置具有由玻璃或树脂构成的第一基板10。在第一基板10上形成有用于防止其本身含有的杂质向上层扩散的作为阻隔层的底涂层12,在底涂层12之上形成有半导体层14。在半导体层14上设有源极16及漏极18,覆盖着半导体层14而形成有栅绝缘膜20。在栅绝缘膜20之上形成有栅极22,覆盖着栅极22而形成有层间绝缘膜24。源极16及漏极18贯通栅绝缘膜20及层间绝缘膜24。利用半导体层14、源极16、漏极18及栅极22构成薄膜晶体管26。以覆盖薄膜晶体管26的方式设有钝化膜28。薄膜晶体管26与像素电极30(例如阳极)电连接。钝化膜28的表面凸凹,因此,设有像素电极30的基底层32,以形成平坦的表面。基底层32是由氮化硅或二氧化硅等构成的无机绝缘层。基底层32(无机绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置,其特征在于,包括:基底层;多个像素电极,其层叠于所述基底层上;发光元件层,其层叠于所述多个像素电极上;以及公共电极,其层叠于所述发光元件层上,所述多个像素电极中的各像素电极包括:第一氧化物导电层,其与所述基底层直接接触;金属导电层,其与所述第一氧化物导电层直接接触;和第二氧化物导电层,其与所述金属导电层直接接触,所述基底层相对于所述第一氧化物导电层的密合性比相对于所述金属导电层的密合性高,所述第一氧化物导电层具有在彼此相邻的所述像素电极相对的方向上从所述金属导电层和所述第二氧化物导电层伸出的突出部。

【技术特征摘要】
2016.02.02 JP 2016-0181531.一种显示装置,其特征在于,包括:基底层;多个像素电极,其层叠于所述基底层上;发光元件层,其层叠于所述多个像素电极上;以及公共电极,其层叠于所述发光元件层上,所述多个像素电极中的各像素电极包括:第一氧化物导电层,其与所述基底层直接接触;金属导电层,其与所述第一氧化物导电层直接接触;和第二氧化物导电层,其与所述金属导电层直接接触,所述基底层相对于所述第一氧化物导电层的密合性比相对于所述金属导电层的密合性高,所述第一氧化物导电层具有在彼此相邻的所述像素电极相对的方向上从所述金属导电层和所述第二氧化物导电层伸出的突出部。2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一氧化物导电层在所述多个像素电极各自的整个周缘部具有所述突出部。3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:无机绝缘层,其载置于所述第一氧化物导电层的所述突出部的至少前端和所述基底层上,所述无机绝缘层与所述金属导电层的前端和所述第二氧化物导电层的前端隔开间隔形成。4.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述第一氧化物导电层和所述第二氧化物导电层各自含有选自氧化铟锡和氧化铟锌的材料,所述金属导电层含有选自金、铝、和银的材料。5.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:形成多个像素电极的工序;在所述多个像素电极上层叠发光元件层的工序;以及在所述发光元件层上层叠公共电极的工序,所述形成多个像素电极的工序包括:以与所述多个像素电极对应的形状并且以与彼此相邻的所述像素电极对应的部分被无机绝缘层隔离的方式形成第一氧化物导电层的图案的工序;以与所述无机绝缘层和所述第一氧化物导电层的所述图案直接接触的方式形成相对于所述无机绝缘层的密合性比所述第一氧化物导电层低的金属导电层的工序;在所述金属导电层之上形成第二氧化物导电层的工序;和通过湿法蚀刻将所述金属导电层和所述第二氧化物导电层图案化,使得所述金属导电层和所述第二氧化物导电层的载置于所述第一氧化物导电层的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:观田康克
申请(专利权)人:株式会社日本显示器
类型:发明
国别省市:日本,JP

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