基板处理装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及基板处理装置以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
通常，半导体器件的制造工序中使用的立式基板处理装置会在处理晶圆的处理室的下方配置用于进行晶圆向基板保持件的装填及取出的移载室。在移载室内，沿着一侧的侧壁设置有清洁单元。通过从清洁单元向移载室内吹出清洁空气，而在移载室内形成气流(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献1：日本特开2002-175999号公报然而，在基于上述以往技术的移载室的结构中，存在难以使基板处理装置小型化的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够使基板处理装置小型化的技术。根据本专利技术的一个方式，提供一种基板处理装置，其具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，所述上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，所述下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。根据本专利技术的另一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，其具有：在移载室内将基板移载至基板保持件上的工序；和在处理室内处理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，在所述移载的工序中，从上部气体供给机构向所述移载室内的上部区域供给气体，并从下部气体供给机构向所述移载室内的下部区域供给气体，其中，所述上部气体供给机构具有：形成在第1气体供给口的背面的第1缓冲室；在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对的第1管道；和在所述第1管道的下端设置有一对的第1送风部，所述下部气体供给机构具有：形成在第2气体供给口的背面的第2缓冲室；形成在所述第2缓冲室的下表面的第2管道；和设置在所述第2管道的下端的第2送风部，并与所述上部气体供给机构的下方相邻地设置。专利技术效果根据本专利技术，能够使基板处理装置小型化。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方式中适用的基板处理装置的概要结构例的立体透视图。图2是表示本专利技术的一个实施方式的基板处理装置中使用的处理炉的结构例的纵剖视图。图3是表示本专利技术的第1实施方式中适用的基板处理装置的移载室的结构例和气流的纵剖视图。图4中，(a)是表示本专利技术的第1实施方式中适用的基板处理装置的移载室的气体供给机构的结构例的俯视图，(b)是表示气体供给机构的结构例的侧视图。图5是图3的a-a剖视概要图。图6是图3的c-c剖视概要图。图7是本专利技术的第1实施方式中适用的清洁单元的立体图。图8中，(a)是用于说明第1清洁单元的气流的概要图，(b)是用于说明第2清洁单元的气流的概要图。图9是用于说明风向板的图。图10是在清洁单元上设置有风向板的图。图11是用于说明以往结构的图。附图标记说明10基板处理装置14晶圆(基板)30舟皿(基板保持件)50移载室52a上部清洁单元52b下部清洁单元56a、56b送风机90a、90b、90c、90d、90f管道具体实施方式<本专利技术的一个实施方式>以下，主要使用图1～2对本专利技术的一个实施方式进行说明。(1)基板处理装置的结构如图1所示，基板处理装置10具备在内部配置有处理炉40等主要部分的箱体12。在箱体12的正面侧配置有容器台(podstage)18。容器台18在与未图示的外部输送装置之间进行作为收纳晶圆(基板)14的基板收纳用具的晶片盒(容器)16的交接。在箱体12内的正面侧且与容器台18相对的位置上，配置有容器输送装置20、容器架22、和容器开启器24。容器输送装置20以在容器台18、容器架22和容器开启器24之间输送容器16的方式构成。容器架22具有多层架板，并将容器16以载置有多个的状态进行保持。在与容器开启器24相比靠箱体12内的背面侧，相邻地形成有基板输送室80与移载室50。关于移载室50详见后述。在基板输送室80内配置有作为基板输送机构的基板移载机28。在移载室50内配置有作为基板保持件的舟皿30。基板移载机28具有能够取出晶圆14的臂(镊子)32，并以通过使臂32上下旋转地动作，而在载置于容器开启器24上的容器16与舟皿30之间输送晶圆14的方式构成。舟皿30以将多枚(例如25枚～150枚左右)晶圆14以水平姿势在纵向上保持多层的方式构成。在舟皿30的下方设有绝热部75。绝热部75由例如石英或SiC等具有绝热效果的耐热性材料形成，例如通过绝热板74构成。此外，还可以不设置绝热板74，而是将构成为筒状部件的绝热筒设为绝热部75。舟皿30及绝热板75以通过作为升降机构的舟皿升降机34来升降的方式构成。在箱体12内的背面侧上部、即移载室50的上方侧配置有处理炉40。舟皿30从下方被送入至处理炉40内。在移载室50的顶部，以舟皿30能够通过的形状及大小设有与后述的处理室42内连通的晶圆输送出入口51。(处理炉)如图2所示，处理炉40具备大致圆筒形状的反应管41。反应管41由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等具有耐热性的非金属材料构成，并构成为上端部封闭且下端部开放的形状。在反应管41的内部形成有处理室42。收容在处理室42内的舟皿30通过由旋转机构43使旋转轴44旋转，而能够在搭载有多个晶圆14的状态下旋转。在反应管41的下方，与该反应管41呈同心圆状地配置有歧管45。歧管45是由例如不锈钢等金属材料构成的圆筒形状。通过该歧管45，将反应管41从下端部侧在纵向上进行支承。歧管45的下端部以通过密封盖46或挡板64被气密式密封的方式构成。在密封盖46及挡板64的上表面，设有将处理室42内气密地密封的O型圈等密封部件46a。在歧管45上，分别连接有用于向处理室42内导入处理气体或吹扫气体等的气体导入管47、和用于将处理室42内的气体排出的排气管48。在气体导入管47上，从上游方向起依次设有对处理气体的流量进行控制的流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)以及开闭阀即阀门。在气体导入管47的前端连接有喷嘴，经由MFC、阀门、喷嘴向处理室42内供给处理气体。排气管48经由作为检测处理室42内压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器、以及作为压力调节器(压力调节部)的APC(AutoPressureController、自动压力控制器)阀，而与作为真空排气装置的真空泵连接。在反应管41的外周，与反应管41呈同心圆状地配置有作为加热设备(加热机构)的加热单元49。在反应管41内设置有作为温度检测器的温度传感器。通过基于由温度传感器检测到的温度信息来调整向加热单元49的通电情况，而使处理室42内的温度变成所要求的温度分布。在旋转机构43、舟皿升降机34、MFC、阀门、APC阀以及气体供给机构上，连接有对其进行控制的控制器121。控制器121例如由具备CPU的微处理器(计算机)构成，并对基板处理装置10的动作进行控制。在控制器121上，连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置122。在控制器121上连接有作为记录介质的存储部123。在存储部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构相邻地设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，所述上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，所述下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。

【技术特征摘要】
2016.02.02 JP 2016-0179901.一种基板处理装置，其特征在于，具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构相邻地设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，所述上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，所述下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1送风部以与一对所述第1管道对应的方式在所述第1管道的下端设置有两个，所述第2送风部设置在两个所述第1送风部之间。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1缓冲室比所述第2缓冲室大。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1管道从所述第1缓冲室的上端沿着所述第2缓冲室的两侧面延伸至所述第2管道的下端的位置。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第2管道在主视下形成为漏斗状。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1管道以朝向上方而截面积逐渐变小的方式形成。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田高行，谷山智志，白子贤治，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP