一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版，其包括底板与排布在底板上的5～8组栅线设计组，每组所述的栅线设计组中包含10～15根线宽相等的栅线，不同的栅线设计组之间的栅线宽度互不相同。研究人员使用本实验网版能够快速地进行栅线线宽与串阻损失的对应关系的实验，有效缩短实验周期。

An experimental screen used to study the series loss of silicon solar cells

The utility model discloses a research for silicon solar cell series loss experiment screen, which comprises a bottom plate and arranged on the bottom plate 5 ~ 8 group grid line design group, the grid line design group contained 10 ~ 15 root width equal to the gate line, a gate line between the gate line design group different width are different from each other. Using the experimental screen, the researchers can rapidly compare the line width and the serial resistance loss, and effectively shorten the experimental period.

【技术实现步骤摘要】
一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版
本技术涉及硅太阳能电池片领域，尤其涉及一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版。
技术介绍
晶体硅太阳能电池在太阳能电池行业中所占市场份额最大，生产工艺成熟。其由多块硅太阳能电池片串并联而成，而硅太阳能电池片的串联损失影响着太阳能电池的功率输出。标准硅太阳能电池中影响串联损失大小的因素共包括六种：(1)铝层的横向电阻、(2)铝层与基区的接触电阻、(3)基区电阻、(4)发射区横向电阻、(5)银电极与发射区的接触电阻和(6)银栅线的线电阻，其中后三种因素是造成串联损失的主要影响因素。电池片的银栅线的宽度对银栅线的线电阻及银电极与发射区的接触电阻有重要影响。当扩散方阻变化或更换新浆料时，需要研究不同栅线宽度下的串联损失，寻求与之匹配的最佳线宽。为此，需要使用多块不同栅线宽度的网版进行多次的长周期试验，这过程中不仅消耗了大量的原料和网版，也需要大量的人力以及时间。此外，由于难以保证每次试验时的外在环境严格一致，实验结果的准确性也有可能受到一定影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于研究串联损失的实验网版，研究人员使用该实验网版能够快速地进行栅线线宽与串阻损失的对应关系的实验，有效缩短实验周期。为达到上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版，包括底板与排布在底板上的5～8组栅线设计组，每组所述的栅线设计组中包含10～15根线宽相等的栅线，不同的栅线设计组之间的栅线宽度互不相同。本实验网版上同时排布有多个栅线宽度互不相同的栅线设计组，研究人员利用一块实验网版即可同时进行不同的栅线线宽与串阻损失的对应关系的实验。栅线的宽度可以根据具体实验需要进行设置。优选地，每个所述的栅线设计组中包含10根线宽相等的栅线。优选地，所述的底板上排布6组所述的栅线设计组。更优选地，所述的6组栅线设计组中的栅线线宽分别为20μm、23μm、25μm、28μm、31μm和33μm。有益效果：本实验网版上同时排布有多个栅线宽度互不相同的栅线设计组，研究人员利用一块实验网版即可同时进行不同的栅线线宽与串阻损失的对应关系的实验，而无需使用多块仅有一种栅线宽度的实验网版进行多次实验，从而大大缩短了实验周期，节约了实验网版的制作成本，同时保证实验结果的准确性。附图说明图1为本技术的实验网版的俯视图。附图标记：1-底板；2-栅线设计组；3-栅线。具体实施方式如图1所示，在本技术的一种优选的实施方式中，用于研究串联损失的实验网版包括底板1与排布在底板1上的6组栅线设计组2，每组栅线设计组2中包含10根线宽相等的栅线，不同的栅线设计组2的栅线宽度互不相同：从左至右的六组栅线设计组中的栅线线宽分别别为20μm、23μm、25μm、28μm、31μm和33μm。本实验网版通过以下步骤制备：1.多晶硅片进行酸制绒后，清洗，甩干；酸制绒后的绒面尺寸≤3μm；2.将步骤1所得的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，化学刻蚀硅片背面并清洗去除硅片表面的PSG；发射极方阻为80ohm/squ；3.对步骤2所得的硅片进行PECVD镀膜，镀膜完毕后进行栅线的丝网印刷，得到实验网版。使用本实施例的进行栅线线宽与串阻损失的对应关系的实验，得到的实验数据如表1所示：线宽(μm)202325283133栅线电阻(mΩ)153.2115.2107.992.382.465.6接触电阻(Ω)2.482.111.350.550.560.61表1表1的实验结果表明本技术的实验网版能够用于快速研究栅线线宽与串阻损失的对应关系。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版，其特征在于：包括底板与排布在底板上的5～8组栅线设计组，每组所述的栅线设计组中包含10～15根线宽相等的栅线，不同的栅线设计组之间的栅线宽度互不相同。

【技术特征摘要】
1.一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版，其特征在于：包括底板与排布在底板上的5～8组栅线设计组，每组所述的栅线设计组中包含10～15根线宽相等的栅线，不同的栅线设计组之间的栅线宽度互不相同。2.根据权利要求1所述的用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版，其特征在于：每个所述的栅线设计组中包含10...

【专利技术属性】
技术研发人员：端武峰，刘旭，陈坤，陈星，王宜望，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32