等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下，也能使等离子体放电稳定化。等离子体处理装置包括：筒形电极(10)，一端设有开口部(11)，内部被导入工艺气体；RF电源(15)，对筒形电极(10)施加电压；作为搬送部的旋转平台(3)，一边循环搬送工件(W)，一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的开口部(11)的下方；以及电子诱导构件(17)，配置在开口部(11)与旋转平台(3)之间。

Plasma processing device

The present invention provides a plasma processing apparatus that can stabilize plasma discharge even in the case of workpieces containing insulation. A plasma processing apparatus includes: a cylindrical electrode (10), one end is arranged with an opening (11), is introduced into the internal process gas; RF power supply (15), on the cylindrical electrode (10) applied voltage; as the rotating platform carrying part (3), while the workpiece conveying cycle (W), while the the workpiece through the opening is applied to the cylindrical electrode voltage of the (11) below; and the electronic component (17), induced by the configuration in the opening (11) and (3) between the rotating platform.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及一种等离子体(plasma)处理装置。
技术介绍
在半导体装置、液晶显示器(display)或者光盘(opticaldisk)等各种产品的制造工序中，有时要在例如芯片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜。薄膜能够通过对工件形成金属等的膜的成膜、与对所形成的膜反复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制作。成膜及膜处理能够利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体的方法。在成膜时，向配置有靶材(target)的真空容器内导入惰性气体，并施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞至靶材，使从靶材撞出的材料堆积于工件以进行成膜。在膜处理中，向配置有电极的真空容器内导入工艺气体(processgas)，对电极施加高频电压。使等离子体化的工艺气体的离子碰撞至工件上的膜，由此进行膜处理。有一种等离子体处理装置，其在一个真空容器的内部安装有旋转平台(table)，沿旋转平台上方的周方向配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元，以便能够连续地进行此种成膜与膜处理(例如参照专利文献1)。通过将工件保持于旋转平台上来搬送，并使其通过成膜单元与膜处理单元的正下方，从而形成光学膜等。在使用旋转平台的等离子体处理装置中，作为膜处理单元，有时使用上端封闭且下端具有开口部的筒形的电极(以下称作“筒形电极”)。在此种膜处理单元中，筒形电极作为阳极(anode)发挥功能，位于筒形电极的开口部之下的旋转平台作为阴极(cathode)发挥功能。向筒形电极的内部导入工艺气体并施加高频电压，从而使等离子体产生。所产生的等离子体中所含的电子流入作为阴极的旋转平台侧。使由旋转平台所保持的工件通过筒形电极的开口部之下，由此等离子体中所含的离子碰撞至工件以进行膜处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2002-256428号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的课题]由旋转平台所搬送的工件中有时也包含绝缘物。若包含绝缘物的工件位于筒形电极之下，则阴极将包含绝缘物。作为结果，等离子体的电子难以流入阴极侧，等离子体会变得不稳定，从而有可能无法适当地进行膜处理。此处，对筒形电极施加高频电压的射频(RadioFreqency，RF)电源是经由匹配器(matchingbox)而连接于筒形电极及真空容器。即使在工件位于筒形电极之下的状态下，只要通过匹配器来使输入侧与输出侧的阻抗(impedance)匹配，也能够使等离子体稳定化。但是，如果想要提高处理效率，就要在旋转平台上载置尽可能多的工件。若工件间的间隙变窄，则阴极将在不含绝缘物的状态与包含绝缘物的状态之间频繁转换。此时，借助匹配器的阻抗调整有可能跟不上。作为结果，等离子体放电有可能变得不稳定，从而对膜处理的品质造成影响。本专利技术的目的在于，为了解决如上所述的课题，而提供一种等离子体处理装置，即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下，也能使等离子体放电稳定化，由此不受工件状态左右而提高处理效率。[解决课题的技术手段]为了达成所述目的，本专利技术的等离子体处理装置包括：筒形电极，一端设有开口部，内部被导入工艺气体；搬送部，一边循环搬送工件，一边使其通过被施加有电压的所述筒形电极的所述开口部的下方；以及电子诱导构件，配置在所述开口部与所述搬送部之间。所述电子诱导构件可设为中心具有孔部的环(ring)状构件。所述电子诱导构件可设为一板状构件，所述板状构件横切所述开口部的、与所述搬送部的搬送方向正交的方向的中心部。可为，所述搬送部包括旋转平台，所述旋转平台被配置在真空容器内，保持所述工件以使其循环搬送，所述筒形电极被配置在所述旋转平台的所述工件的保持位置的上方，所述等离子体处理装置还包括支撑构件，所述支撑构件在所述开口部与所述旋转平台之间支撑所述电子诱导构件。所述支撑构件可包含外侧支撑构件，所述外侧支撑构件从所述真空容器的外缘附近的底部竖立设置并延伸至所述筒形电极的正下方，在所述旋转平台与所述筒形电极之间支撑所述电子诱导构件。可为，等离子体处理装置还包括支柱，所述支柱竖立设置在所述真空容器的内部，且前端部分贯穿所述旋转平台的中心，所述旋转平台经由轴承可旋转地支撑于所述支柱，所述支撑构件包含内侧支撑构件，所述内侧支撑构件被安装于所述支柱，延伸至所述筒形电极的正下方，在所述旋转平台与所述筒形电极之间支撑所述电子诱导构件。所述电子诱导构件可经由绝缘材而连接于所述筒形电极的前端。所述电子诱导构件可覆盖所述开口部的50％～85％的面积。所述电子诱导构件可包含导电性构件以及被涂布于所述导电性构件的抗蚀刻剂、抗氧化剂或抗氮化剂。[专利技术的效果]通过在筒形电极的开口部与工件的搬送部之间配置电子诱导构件，从而能够不受由搬送部所搬送的工件的性质或搬送状态影响，而将由等离子体所产生的电子诱导至电子诱导构件，从而能够使等离子体放电稳定化。通过使等离子体放电稳定化，从而由等离子体所产生的离子或自由基(radical)等稳定地到达工件。作为结果，能够提供一种能提高处理效率，并且能提供品质稳定的产品的等离子体处理装置。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置的构成的平面图；图2是图1的A-A剖面图；图3是图1的B-B剖面图，是从旋转平台的中心观察膜处理单元的图；图4是膜处理单元的平面图；图5是本专利技术的另一实施方式的等离子体处理装置的、膜处理单元的平面图；图6是本专利技术的另一实施方式的等离子体处理装置的、从旋转平台的中心观察膜处理单元的图。附图标记说明：1：腔室2：排气部3：旋转平台3a：保持部3b：旋转轴3c：支柱3d：滚珠轴承4a、4b、4c、4d、4f、4g：处理单元(成膜单元)4e：处理单元(膜处理单元)5：加载互锁部6：靶材7：DC电源8：溅射气体导入部9：间隔壁10：筒形电极11：开口部12：外部护罩13：内部护罩14：凸缘15：RF电源16：工艺气体导入部17：电子诱导构件17a：孔部18：外侧支撑构件19：内侧支撑构件18a、19a：支撑棒18b、19b：安装金属件20：控制部21：匹配器22：绝缘材170：板状构件(电子诱导构件)P：搬送路W：工件具体实施方式[构成]参照附图来具体说明本专利技术的实施方式。如图1及图2所示，等离子体处理装置具有大致圆筒型的腔室(chamber)1。在腔室1中设有排气部2，能够将腔室1的内部排气成真空。即，腔室1作为真空容器发挥功能。中空的旋转轴3b贯穿腔室1的底部而竖立设置在腔室1的内部。在旋转轴3b上，安装有大致圆形的旋转平台3。在旋转轴3b上连结有未图示的驱动机构。通过驱动机构的驱动，旋转平台3以旋转轴3b为中心而旋转。在中空的旋转轴3b的内部，配置有不动的支柱3c。支柱3c被固定于设在腔室1外部的未图示的基台，贯穿腔室1的底部而竖立设置在腔室1的内部。在旋转平台3的中心设有开口部。支柱3c贯穿旋转平台3的开口部，前端位于旋转平台3的上表面与腔室1的上表面之间。另外，支柱3c的前端也可接触至腔室1的上表面。在旋转平台3的开口部与支柱3c之间，配置有滚珠轴承(ballbearing)3d。即，旋转平台3经由滚珠轴承3d可旋转地支撑于支柱3c。腔室1、旋转平台3及旋转轴3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于包括：筒形电极，一端设有开口部，内部被导入工艺气体；搬送部，一边循环搬送工件，一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的所述开口部的下方；以及电子诱导构件，配置在所述开口部与所述搬送部之间。

【技术特征摘要】
2015.12.28 JP 2015-257353;2016.12.26 JP 2016-251551.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：筒形电极，一端设有开口部，内部被导入工艺气体；搬送部，一边循环搬送工件，一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的所述开口部的下方；以及电子诱导构件，配置在所述开口部与所述搬送部之间。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电子诱导构件是中心具有孔部的环状构件。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电子诱导构件是一板状构件，所述板状构件横切所述开口部的与所述搬送部的搬送方向正交的方向的中心部。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述搬送部包括旋转平台，所述旋转平台被配置在真空容器内，保持所述工件以使其循环搬送，所述筒形电极被配置在所述旋转平台的所述工件的保持位置的上方，所述等离子体处理装置还包括支撑构件，所述支撑构件在所述开口部与所述旋转...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野大祐，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP