The invention provides a LED device comprises: a substrate, epitaxial layer, transparent conductive layer, insulating reflective layer and the first electrode and the second electrode; wherein, the epitaxial layer includes a first semiconductor layer on the substrate and positioned on the first type semiconductor layer on the surface of the part of the second type semiconductor layer; part of the region is located in the surface of the first electrode the first type semiconductor layer on the surface of the second electrode area located in the second type semiconductor layer on the surface of the reflective layer covering the epitaxial layer; insulation; transparent conductive layer is located in the second type semiconductor layer and the insulating layer between the reflection. Through the proposal provided by the invention, the structure and the preparation process of the LED device can be effectively simplified, and the yield can be improved.
【技术实现步骤摘要】
LED器件
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种LED器件。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件。随着技术的不断进步,由于LED具有低功耗、低热、启动无延时、高亮度等特点,因此被广泛应用于显示器、电视机采光装饰和照明等领域。但是,目前的LED器件,尤其倒装LED器件的结构通常较复杂,相应的制造工艺也会比较繁琐,导致生产良率不高。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED器件,用于解决现有的LED器件的结构和工艺流程过于复杂和繁琐的问题。本专利技术提供一种LED器件,包括:衬底、外延层、透明导电层、绝缘反射层以及第一电极和第二电极;其中,所述外延层包括位于所述衬底上的第一型半导体层和位于所述第一型半导体层部分区域表面上的第二型半导体层;所述第一电极位于所述第一型半导体层的部分区域表面上,所述第二电极位于所述第二型半导体层的部分区域表面上;所述绝缘反射层覆盖所述外延层的表面;所述透明导电层位于所述第二型半导体层和所述绝缘反射层之间。本专利技术提供的LED器件中,第一型半导体层和第二型半导体层表面呈阶梯结构,第一型半导体层和第二型半导体层的表面分别设置有第一电极和第二电极,绝缘反射层覆盖露出的外延层表面,透明导电层设置在第二型半导体层和绝缘反射层之间,有效简化了LED器件的结构和制备流程,提高生产良率。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的LED器件的剖面结构示意图;图2A为本专利技术实施例二提供的LED器件的剖面结构示意图;图2B为本专利技术实施例二中透明导电层的俯视结构示意图;图 ...
【技术保护点】
一种LED器件,其特征在于,包括:衬底、外延层、透明导电层、绝缘反射层以及第一电极和第二电极;其中,所述外延层包括位于所述衬底上的第一型半导体层和位于所述第一型半导体层部分区域表面上的第二型半导体层;所述第一电极位于所述第一型半导体层的部分区域表面上,所述第二电极位于所述第二型半导体层的部分区域表面上;所述绝缘反射层覆盖所述外延层的表面;所述透明导电层位于所述第二型半导体层和所述绝缘反射层之间。
【技术特征摘要】
1.一种LED器件,其特征在于,包括:衬底、外延层、透明导电层、绝缘反射层以及第一电极和第二电极;其中,所述外延层包括位于所述衬底上的第一型半导体层和位于所述第一型半导体层部分区域表面上的第二型半导体层;所述第一电极位于所述第一型半导体层的部分区域表面上,所述第二电极位于所述第二型半导体层的部分区域表面上;所述绝缘反射层覆盖所述外延层的表面;所述透明导电层位于所述第二型半导体层和所述绝缘反射层之间。2.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述透明导电层包括多个分离设置的透明导电单元。3.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述透明导电层开设有开孔,开孔率不大于90%。4.根据权利要求1-3中任一项所述的LED器件,其特征在于,所述透明导电层包括NiAu、ITO、ZnO、AZO、TiN中的任一种。5.根据权利要求1-3中任一项所述的LED器件,其特征在于,所述衬底包...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘锡明,
申请(专利权)人:宏齐科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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