一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，该指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本发明专利技术通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。

【技术实现步骤摘要】
一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置。
技术介绍
目前的指纹识别器件主要有电容式、超声波式，但它们共同的缺陷是传感器感应距离比较短，严重限制了指纹识别器件的结构和性能，影响了它们在移动终端产品中的广泛应用。而光学式指纹识别器件具有长距离可感应的优势，但由于光学式的传感器对高分辨率的要求，传感器只能做的比较小，由于光信号量通常与传感器的面积成正比，那么检测到的光信号量就会变得比较微弱。因此，通常采用主动式检测电路来进行指纹识别检测。现有的主动式指纹识别检测电路，如图1所示，包括第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2、电压跟随晶体管M0和光敏二极管D0；由于使用主动式指纹识别检测电路检测指纹的光信号时，首先需要电压跟随晶体管M0的跟随效果要理想，其次第二开关晶体管M2的跨压要小，才能使得指纹识别检测电路的输出较为理想，就需要上述晶体管具有较大的迁移率，因此现有的主动式指纹识别检测电路中，第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0均为低温多晶硅晶体管。当光照射光敏二极管D0时，第一节点A的电位会由于光电流的积累逐渐降低。但是当在非常弱的光照情况下时，产生的光电流也较弱，由于第一开关晶体管M1为低温多晶硅晶体管，第一节点A的电位会通过第一开关晶体管M1在不断漏电，造成第一节点A的信号无法累积，从而造成检测电路不能进行指纹识别。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而可以提高指纹识别的检测精度。因此，本专利技术实施例提供了一种指纹识别检测电路，包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，所述第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；所述第二开关晶体管，其栅极与所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与所述电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连；所述电压跟随晶体管，其栅极与所述第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；所述光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与所述第一节点相连；所述第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管具有相同功能的膜层同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第二开关晶体管的第一极与所述电压跟随晶体管的第二极由同一电极形成。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管的栅极与所述第二开关晶体管的栅极同层设置；和/或所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管位于所述第二开关晶体管的上方或下方。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，还包括：第三开关晶体管；其中，所述第三开关晶体管为金属氧化物晶体管；所述第三开关晶体管，其栅极与补偿信号端相连，第一极与所述第一开关晶体管的第二极相连，第二极与所述第一节点相连，且所述第三开关晶体管的第一极与第二极相连；所述复位控制端的电位与所述补偿信号端的电位相反。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管的宽长比与所述第三开关晶体管的宽长比之间的比值为2:1。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，还包括位于所述复位控制端与所述补偿信号端之间的反相器。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管和所述第三开关晶体管具有相同功能的膜层同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一参考电压端与所述第二参考电压端为同一电压端。相应地，本专利技术实施例还提供了一种触摸屏，包括本专利技术实施例提供的上述任一种指纹识别检测电路，以及与各行所述指纹识别检测电路的复位控制端相连的第一扫描线，与各行所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连的第二扫描线，与各列所述指纹识别检测电路的信号输出端相连的读取线。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述触摸屏中，还包括：电流源和信号处理电路；其中，所述电流源的第一端通过所述读取线与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连以及与所述信号处理电路相连，所述电流源的第二端与第四参考电压端相连；所述信号处理电路用于根据所述指纹识别检测电路的信号输出端输出的信号进行指纹识别。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种触摸屏。本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，该指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；第二开关晶体管，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与指纹识别检测电路的信号输出端相连；电压跟随晶体管，其栅极与第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与第一节点相连；第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本专利技术通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。附图说明图1为现有的指纹识别检测电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之一；图3a为图1的指纹识别检测电路的第一节点A的电位的信号仿真图；图3b为图2的指纹识别检测电路的第一节点A的电位的信号仿真图；图3c为图1和图2的第一节点A的电位在复位以后随时间的变化的仿真图；图4为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之三；图6为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之四；图7为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之五；图8为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之六；图9为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之七；图10为本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之八；图11为本专利技术实施例提供的触摸屏的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映指纹识别检测电路的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。专利技术实施例提供了一种指纹识别检测电路，如图2所示，包括：光敏二极管D0、第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0；其中，第一开关晶体管M1，其栅极与复位控制端Reset相连，第一极与第一参考电压端Vref1相连，第二极与第一节点A相连；第二开关晶体管M2，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端Scan相连，第一极与电压跟随晶体管M0的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种指纹识别检测电路，其特征在于，包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，所述第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；所述第二开关晶体管，其栅极与所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与所述电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连；所述电压跟随晶体管，其栅极与所述第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；所述光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与所述第一节点相连；所述第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种指纹识别检测电路，其特征在于，包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，所述第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；所述第二开关晶体管，其栅极与所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与所述电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连；所述电压跟随晶体管，其栅极与所述第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；所述光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与所述第一节点相连；所述第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。2.如权利要求1所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管具有相同功能的膜层同层设置。3.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第二开关晶体管的第一极与所述电压跟随晶体管的第二极由同一电极形成。4.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的栅极与所述第二开关晶体管的栅极同层设置；和/或所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极同层设置。5.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管位于所述第二开关晶体管的上方或下方。6.如权利要求1-5任一项所述的指纹识别检测电路，其特征在于，还包括：第三开关晶体管；其中，所述第三开关晶体管为金属氧化物晶体管；所述第三开关晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏鹏，王海生，丁小梁，刘英明，郑智仁，刘伟，曹学友，张平，李昌峰，秦云科，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11