一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，先铸造铝碳化硅管壳，机加至规定要求；采用超声波在管壳底部打孔，然后配制造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；将玻璃管填入管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；再将管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；待烧结完成后，取出管壳。本发明专利技术采用铝碳化硅复合材料，中间以玻璃为填充材料封接绝缘子，实现管壳的低热膨胀系数，玻璃封接绝缘子的温度小于500℃，要低于铝合金的软化温度，不会导致材料发生不可知的变化而影响产品性能。解决铝碳化硅直接烧结绝缘子的问题，提高产品可靠性，减少工序，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺
本专利技术属于玻璃封接绝缘子生产领域，具体涉及一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺。
技术介绍
目前市场主流绝缘子管壳材料为可阀合金和AlSi产品为主，同时，封接工艺采用可阀合金为主要封接材料，难以实现低热膨胀系数。该项目采用铝碳化硅复合材料，中间以玻璃为填充材料封接绝缘子，很容易实现管壳的低热膨胀系数，同时满足气密性要求。另外，玻璃封接绝缘子的温度小于500℃，要低于铝合金的软化温度，不会导致材料发生不可知的变化而影响产品性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种能够适合铝碳化硅材料封接使用的低温低膨胀系数的玻璃绝缘子，目的是解决铝碳化硅直接烧结绝缘子的问题，提高产品可靠性，减少工序，降低成本。本专利技术采用以下技术方案：一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，包括以下步骤：S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为0.5～2.5mm；S3、配制40～180目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。优选的，步骤S2中，所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。优选的，步骤S3中，配制成20～160目的造粒粉。优选的，步骤S4中，排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为200～600℃，时间为1～8小时。优选的，步骤S5中，烧结炉中温度调节至300～650℃之间，烧结时间控制在1～5小时。优选的，所述绝缘子的热膨胀系数为6～10ppm/℃，温度为25～150℃。与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术采用铝碳化硅复合材料，中间以玻璃为填充材料封接绝缘子，实现管壳的低热膨胀系数，玻璃封接绝缘子的温度小于500℃，要低于铝合金的软化温度，不会导致材料发生不可知的变化而影响产品性能。解决铝碳化硅直接烧结绝缘子的问题，提高产品可靠性，减少工序，降低成本。进一步的，采用超声波打孔先在管壳底部打孔径为0.5～2.5mm的孔，将配制的造粒玻璃管，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；将干压好的玻璃管填充在孔中，通过特定的烧结工艺在300～600℃烧结1～8小时。下面通过实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。具体实施方式本专利技术提供了一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，包括以下步骤：S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为0.5～2.5mm；所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。S3、配制40～180目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；优选的，配制成50～160目的造粒粉。S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为200℃～400℃，时间为1～3小时。S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；烧结炉中温度调节至450℃～550℃之间，烧结时间控制在1～3小时，所述绝缘子的热膨胀系数为6～10。S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。实施例1S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为1.5mm；所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。S3、配制40目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为200℃，时间为1小时。S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；烧结炉中温度调节至450℃之间，烧结时间控制在1小时，所述绝缘子的热膨胀系数为6。S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。实施例2S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为1.5mm；所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。S3、配制50目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为250℃，时间为1.5小时。S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；烧结炉中温度调节至475℃之间，烧结时间控制在1.5小时，所述绝缘子的热膨胀系数为7。S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。实施例3S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为1.5mm；所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。S3、配制160目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为300℃，时间为2小时。S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；烧结炉中温度调节至500℃之间，烧结时间控制在2小时，所述绝缘子的热膨胀系数为8。S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。实施例4S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为1.5mm；所述管壳底部的孔内壁光滑，粗糙度Ra＜0.8。S3、配制180目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；排胶排蜡过程中设置烘烤箱中的温度为400℃，时间为3小时。S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；烧结炉中温度调节至550℃之间，烧结时间控制在3小时，所述绝缘子的热膨胀系数为10。S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。以上内容仅为说明本专利技术的技术思想，不能以此限定本专利技术的保护范围，凡是按照本专利技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本专利技术权利要求书的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为0.5～2.5mm；S3、配制40～180目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。

【技术特征摘要】
1.一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、铸造铝碳化硅管壳，然后机加至规定要求；S2、采用超声波在管壳底部打孔，孔径为0.5～2.5mm；S3、配制40～180目的造粒粉，采用干压全自动或半自动干压机压制玻璃管；S4、将步骤S3压制好的玻璃管填入到步骤S2制备的管壳孔径内，放入烘烤箱中排胶排蜡；S5、将步骤S4烘烤好的管壳放入到烧结炉中，先通氩气排除掉烧结炉中的空气后，然后在氩气保护下烧结绝缘子；S6、待步骤S5烧结完成后，取出管壳。2.根据权利要求1所述的一种用于封接铝碳化硅的低温玻璃烧结工艺，其特征在于，步骤S2中，所述管壳底部的孔内壁光滑，粗...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波波，张伟，杨晓青，
申请(专利权)人：西安明科微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61