一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板制造技术

技术编号:15826831 阅读:45 留言:0更新日期:2017-07-15 10:37
本实用新型专利技术提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,涉及一种等离子体增强新型电极板技术领域。该实用新型专利技术包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰,电极杆结构的顶端与喷淋头电极板结构连接,电极板结构上设置有安装法兰,喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板、绝缘陶瓷和喷淋头屏蔽罩,喷淋头屏蔽罩设置在喷淋头电极板的外侧,喷淋头电极板与喷淋头屏蔽罩之间设置有绝缘陶瓷,电极杆结构包括电极杆和电极杆屏蔽套,电极杆屏蔽套设置在电极杆的外侧,电极杆的底部连接有绝缘陶瓷气路接头。本实用新型专利技术解决了对传统电极板引线辉光而干扰电极板的正常起辉,造成的功率损耗,辉光不稳定,影响成膜质量问题。

An inlet electrode plate for plasma enhanced chemical vapor deposition

The utility model provides an air inlet electrode plate used for plasma enhanced chemical vapor deposition, which relates to the technical field of a plasma enhanced new electrode plate. The utility model comprises a spray head plate electrode structure, the electrode rod structure and a mounting flange connected with the spray head, the top electrode plate structure of electrode bar structure, electrode plate structure is provided with a mounting flange, showerhead electrode plate structure comprises a showerhead electrode plate, insulating ceramics and spray head shield, the shield is arranged on the outer side of the spray head the showerhead electrode plate, an insulating ceramic spray head is arranged between the electrode plate and the spray head shield electrode rod structure including electrode rod and rod electrode shielding, shielding electrode rod is arranged on the outer side of the electrode bars, the electrode rod is connected with the gas insulated ceramic joint. The utility model solves the problems of the power loss caused by the normal glow of the lead plate of the conventional electrode plate, the power loss caused by the normal glow of the electrode plate, the instability of the glow, and the influence of the film forming quality.

【技术实现步骤摘要】
一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板
本技术涉及一种等离子体增强新型电极板
,特别是涉及一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板。
技术介绍
进气匀气装置和产生等离子体的电极板,对等离子体增强化学气相沉积pecvd设备的薄膜沉积质量和效率至关重要,现有的等离子体电极板存在以下问题:1、电极板的多重密封,以及安装维修不便捷;2、进气系统的绝缘干扰问题,影响质量流量控制器的精确度,造成进气不稳定;3、射频电源引入导线起辉发光,影响电极板喷淋头的辉光,造成辉光区不稳定,影响电离效果;4、喷淋头的进气腔出气不均匀。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之处,本技术提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,使其达到产生均匀的气场辉光区和高密度均匀稳定等离子体,从而使PECVD化学气相沉积设备成膜质量更高,更稳定。为了解决上述问题,本技术提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,其中,包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰,所述电极杆结构的顶端与所述喷淋头电极板结构连接,所述电极板结构上设置有安装法兰,所述喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板、绝缘陶瓷和喷淋头屏蔽罩,所述喷淋头屏蔽罩设置在所述喷淋头电极板的外侧,所述喷淋头电极板与所述喷淋头屏蔽罩之间设置有绝缘陶瓷,所述电极杆结构包括电极杆和电极杆屏蔽套,所述电极杆屏蔽套设置在所述电极杆的外侧,所述电极杆的底部连接有绝缘陶瓷气路接头,所述绝缘陶瓷气路接头与外部进气管连接。优选的,所述喷淋头电极板由双层不锈钢匀气腔组成,所述不锈钢匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,所述匀气板与所述电极杆9直接连接,所述不锈钢气腔下部设置有匀气锁紧母。优选的,所述电极杆的下端设置有保护罩,所述保护罩位于所述安装法兰的底部,所述保护罩上设置有电极插座,所述电极插座通过电极引线与所述电极杆连接,所述电极杆通过所述电极插座与外部的射频电源连接。优选的,还包括固定套管,所述固定套管设置在所述电极杆屏蔽套的外侧,所述电极杆屏蔽罩通过所述固定套管连接到所述安装法兰上。优选的,所述安装法兰通过螺钉结构连接在所述电极杆上,所述螺钉结构与所述电极杆屏蔽套之间设置有密封圈。与现有技术相比,本技术具有以下优点:本技术的喷淋头设有匀气头,可以二次匀气,使气体匀气方式更均匀,安装拆卸更便捷。同时改进电源引线连接方式,采用直连屏蔽式连接法,减小了功率损耗,只使喷淋头电极板一处起辉电离,促进成膜的稳定性,均匀性,提高成膜质量。附图说明图1是本技术的实施例结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图与实例对本技术作进一步详细说明,但所举实例不作为对本技术的限定。如图1所示,本技术的实施例包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰6,电极杆结构的顶端与喷淋头电极板结构连接,电极板结构上设置有安装法兰6,喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板1、绝缘陶瓷3和喷淋头屏蔽罩4,喷淋头屏蔽罩4设置在喷淋头电极板1的外侧,喷淋头电极板1与喷淋头屏蔽罩4之间设置有绝缘陶瓷3,电极杆结构包括电极杆13和电极杆屏蔽套5,电极杆屏蔽套5设置在电极杆13的外侧,电极杆13的底部连接有绝缘陶瓷气路接头9,绝缘陶瓷气路接头9与外部进气管连接。喷淋头电极板1由双层不锈钢匀气腔组成,不锈钢匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,匀气板与电极杆13直接连接,不锈钢气腔下部设置有匀气锁紧母2。电极杆13的下端设置有保护罩11,保护罩11位于安装法兰6的底部,保护罩11上设置有电极插座8,电极插座8通过电极引线10与电极杆13连接,电极杆13通过电极插座8与外部的射频电源连接。还包括固定套管12,固定套管12设置在电极杆屏蔽套5的外侧,电极杆屏蔽罩5通过固定套管12连接到安装法兰6上。安装法兰6通过螺钉结构连接在电极杆13上,螺钉结构与电极杆屏蔽套5之间设置有密封圈7。本实施例中,喷淋头电极板1由双层不锈钢匀气腔组成,匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,匀气板与电极杆9直接连接,底部有绝缘气路接头9与外部进气管连接,在喷淋头电极板1距离3毫米出安装有喷淋头屏蔽罩4,以防止其他部件起辉(除喷淋头电极板外)。引线的电极杆13通过外面的电极杆屏蔽套5聚四氟乙烯屏蔽,防止了电极杆13起辉,减小了功率的损耗,喷淋头电极板1与喷淋头屏蔽罩4之间通过绝缘陶瓷3连接绝缘,喷淋头屏蔽罩4通过固定套管12连接到安装法兰6上.外部的射频电源通过电极插座8与电极杆9连接到一起。本技术工作原理:气体通过气路电极杆9进气,进入到喷淋头电极板1腔内,通过双层密布小孔板进行匀气。在真空下10----200帕之间,通入气体,连接射频电源,喷淋头电极板1即可起辉,从而电离气体,产生电离高密的的等离子体,促进成膜反应。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...
一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板

【技术保护点】
一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,其特征在于,包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰,所述电极杆结构的顶端与所述喷淋头电极板结构连接,所述电极板结构上设置有安装法兰,所述喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板、绝缘陶瓷和喷淋头屏蔽罩,所述喷淋头屏蔽罩设置在所述喷淋头电极板的外侧,所述喷淋头电极板与所述喷淋头屏蔽罩之间设置有绝缘陶瓷,所述电极杆结构包括电极杆和电极杆屏蔽套,所述电极杆屏蔽套设置在所述电极杆的外侧,所述电极杆的底部连接有绝缘陶瓷气路接头,所述绝缘陶瓷气路接头与外部进气管连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,其特征在于,包括喷淋头电极板结构、电极杆结构和安装法兰,所述电极杆结构的顶端与所述喷淋头电极板结构连接,所述电极板结构上设置有安装法兰,所述喷淋头电极板结构包括喷淋头电极板、绝缘陶瓷和喷淋头屏蔽罩,所述喷淋头屏蔽罩设置在所述喷淋头电极板的外侧,所述喷淋头电极板与所述喷淋头屏蔽罩之间设置有绝缘陶瓷,所述电极杆结构包括电极杆和电极杆屏蔽套,所述电极杆屏蔽套设置在所述电极杆的外侧,所述电极杆的底部连接有绝缘陶瓷气路接头,所述绝缘陶瓷气路接头与外部进气管连接。2.如权利要求1所述的用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板,其特征在于,所述喷淋头电极板由双层不锈钢匀气腔组成,所述不锈钢匀气腔上部均匀密布直径1毫米的匀气板,所述匀...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵俊华
申请(专利权)人:沈阳聚智真空设备有限公司
类型:新型
国别省市:辽宁,21

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