发光二极管、显示基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光二极管、显示基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第二电极层，所述发光二极管还包括沿所述发光二极管的厚度方向贯穿所述第一电极层和所述第一载流子传输层的多个孔。本发明专利技术的发光二极管结构，多个孔能够将发光层暴露出，可以使得辐射出的光子数量增加，从而可以提高该发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管、显示基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种发光二极管、一种包括该发光二极管的显示基板和一种包括该显示基板的显示装置。
技术介绍
一般的，显示装置的像素结构，例如，薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构，包括在阵列基板上形成的薄膜晶体管开关器件、液晶存储电容、位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶以及彩膜基板等，以实现彩色显示，该显示装置的像素结构，由电压控制液晶极性实现像素显示的开或关。但是，上述显示装置的像素结构，由于受电压控制，因此，对电路中的液晶存储电容干扰较大，使得液晶工作不稳定，从而在显示时容易出现显示缺陷。另外，该结构的显示装置，为了实现彩色显示，需要较多辅助模块，例如：背光源、彩色滤光膜、偏光片等，这些结构不仅增加了显示装置本身的厚度和功耗，不易实现薄膜显示的超薄化及节能化，而且这些结构对环境亦有一定的危害，不利于国家提倡的环保政策。因此，如何设计出一种轻薄化、低功耗的显示装置成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种发光二极管、一种包括该发光二极管的显示基板和一种包括该显示基板的显示装置。为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供一种发光二极管，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第二电极层，所述发光二极管还包括沿所述发光二极管的厚度方向贯穿所述第一电极层和所述第一载流子传输层的多个孔。优选地，所述发光层包括多量子阱发光层。优选地，所述第一载流子传输层包括P型氮化镓层和N型氮化镓层中的一者，所述第二载流子传输层包括P型氮化镓层和N型氮化镓层中的另一者。优选地，所述孔的直径为10至30nm，相邻两个孔之间的间距为100至500nm。本专利技术的第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括至少一个所述发光二极管，所述发光二极管包括前文所述的发光二极管。优选地，每个像素单元包括三个子像素单元，且每个像素单元包括三个所述发光二极管，每个所述发光二极管对应一个子像素单元，其中，三个所述子像素单元所对应的发光二极管能够发出不同颜色的光。优选地，所述显示基板还包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容，其中，所述开关晶体管的控制极与栅线电性连接，所述开关晶体管的第一极与数据线电性连接，所述开关晶体管的第二极与所述存储电容的第一极以及所述驱动晶体管的控制极电性连接；所述驱动晶体管的第一极与高电平信号线电性连接，所述驱动晶体管的第二极与所述发光二极管的第一极电性连接；所述存储电容的第二极与与高电平信号线电性连接；所述发光二极管的第二极与所述低电平信号线电性连接。本专利技术的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，所述显示基板包括前文所述的显示基板。本专利技术的发光二极管，进行发光时，分别对第一电极层和第二电极层提供不同的驱动电压，使得第一载流子传输层和第二载流子传输层内不同的载流子在发光层内发生复合，不同的载流子发生复合时，会把多余的能量(例如，电子和空穴复合产生的激子)传递至发光层，使得发光层将多余的能量以光的形式释放出来，从而可以把电能直接转换为光能。同时，在沿发光二极管的厚度方向设置有贯穿第一电极层和第一载流子传输层的多个孔。即，该多个孔能够将发光层暴露出，可以使得辐射出的光子数量增加，从而可以提高该发光二极管的发光效率。本专利技术的显示基板，是上述结构的发光二极管的一个具体应用主题。该结构的显示基板，采用上述结构的发光二极管作为显示基板的像素区，可以利用设置的具有孔的发光二极管结构，能够极大地提高发光二极管的发光效率，因此，能够提高该显示基板的显示效果，增加显示基板的显示寿命以及提高显示基板显示的稳定性。同时，设置的发光二极管，在应用该显示基板的显示装置中，还能够省去背光源、彩膜基板(需要显示装置进行彩色显示时)、偏光片等结构，降低显示装置的厚度，实现了显示装置的轻薄化。本专利技术的显示装置，是上述采用前文记载的发光二极管作为像素区的显示基板的一个具体应用，该显示装置在进行画面显示时，由于发光二极管本身设置有孔，因此能够极大提高发光二极管的发光效率，使得该显示装置的显示效果良好，显示性能更加稳定。另外，该结构的显示装置，还能够省去背光源、彩膜基板(需要显示装置进行彩色显示时)、偏光片等结构，降低显示装置的厚度，实现了显示装置的轻薄化。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术第一实施例中发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术第二实施例中显示基板的结构示意图；图3为本专利技术第三实施例中显示基板的结构示意图；图4为本专利技术第四实施例中像素驱动电路的结构示意图。附图标记说明100：发光二极管；110：第一电极层；120：第一载流子传输层；130：发光层；140：第二载流子传输层；150：第二电极层；160：孔；200：显示基板；210：像素驱动电路；220：衬底基板；230：缓冲层；240：驱动晶体管的漏极；250：驱动晶体管的栅极；260：存储电容的下极板；270：绝缘层；280：驱动晶体管的源极；291：开关晶体管的漏极引线；292：开关晶体管的源极引线；293：开关晶体管的栅极引线；294：钝化保护层；T1：第一晶体管开关晶体管；T2：第二晶体管驱动晶体管；Cs：存储电容；Vdd：高电平信号线；Vss：低电平信号线；Gate：栅线；Date：数据线。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。参考图1和图3，本专利技术的第一方面，涉及一种发光二极管100。该发光二极管100包括依次层叠设置的第一电极层110、第一载流子传输层120、发光层130、第二载流子传输层140和第二电极层150。其中，该发光二极管100还包括沿发光二极管100的厚度方向贯穿第一电极层110和第一载流子传输层120的多个孔160。本实施例所提供的发光二极管100，在沿发光二极管100的厚度方向设置有贯穿第一电极层110和第一载流子传输层120的多个孔160。也就是说，该多个孔160能够将发光层130暴露出，可以使得辐射出的光子数量增加，从而可以提高该发光二极管100的发光效率。应当理解的是，上述的第一电极层110和第二电极层150，其中的一个应当是阴极层，另外一个应当是阳极层。也就是说，当第一电极层110为阴极层时，第二电极层150为阳极层，相应地，第一载流子传输层120内的载流子应当为电子，第二载流子传输层140内的载流子为空穴。需要说明的是，对于发光层130的具体材料并没有作出限定。在应用该发光二极管100的显示装置中，发光二极管100位于显示区域，能够提高显示效果，增加显示寿命以及显示的稳定性，最重要的是，该结构的显示装置，可以省去液晶材料，不仅可以降低显示装置的功耗，还可以保护环境。优选地，作为发光层130的一种具体结构，上述发光层130可以包括多量子阱发光层。利用多量子阱发光层作为发光材料的发光二极管100中，可以进一步的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第二电极层，其特征在于，所述发光二极管还包括沿所述发光二极管的厚度方向贯穿所述第一电极层和所述第一载流子传输层的多个孔。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第二电极层，其特征在于，所述发光二极管还包括沿所述发光二极管的厚度方向贯穿所述第一电极层和所述第一载流子传输层的多个孔。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层包括多量子阱发光层。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一载流子传输层包括P型氮化镓层和N型氮化镓层中的一者，所述第二载流子传输层包括P型氮化镓层和N型氮化镓层中的另一者。4.根据权利要求1至3任意一项所述的发光二极管，其特征在于，所述孔的直径为10至30nm，相邻两个孔之间的间距为100至500nm。5.一种显示基板，所述显示基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括至少一个所述发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括权利要求1至4任意一项所述的发光二极管。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾东旺，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11