发光二极管闪光控制电路制造技术

技术编号:15809296 阅读:154 留言:0更新日期:2017-07-13 12:30
本实用新型专利技术提供发光二极管闪光控制电路,它包括有第一三极管、第二三极管,其中,4.5V电源依次与第一发光二极管、第一电阻、第二电阻、第二发光二极管一端连接;第一发光二极管另一端与第三电阻一端连接,第三电阻另一端分别与第一电容一端以及第一三极管的集电极相连接,第一电容另一端与第一电阻另一端连接后与第二三极管的基极相连接;第二发光二极管另一端与第四电阻一端连接,第四电阻另一端分别与第二电容一端以及第二三极管的集电极相连接,第二电容另一端与第二电阻另一端连接后与第一三极管的基极相连接。本方案具有控制稳定、使用效果好的优点。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管闪光控制电路
本技术涉及LED驱动
,尤其是指发光二极管闪光控制电路。
技术介绍
发光二极管是一种由CMOS集成电路和发光二极管组成的特殊发光器件,可用于报警指示及欠压、超压指示。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种控制稳定、使用效果好的发光二极管闪光控制电路。为实现上述目的,本技术所提供的技术方案为:发光二极管闪光控制电路,它包括有第一三极管、第二三极管、第一发光二极管、第二发光二极管、第一电阻、第二电阻,其中,4.5V电源依次与第一发光二极管、第一电阻、第二电阻、第二发光二极管一端连接;第一发光二极管另一端与第三电阻一端连接,第三电阻另一端分别与第一电容一端以及第一三极管的集电极相连接,第一电容另一端与第一电阻另一端连接后与第二三极管的基极相连接;第二发光二极管另一端与第四电阻一端连接,第四电阻另一端分别与第二电容一端以及第二三极管的集电极相连接,第二电容另一端与第二电阻另一端连接后与第一三极管的基极相连接。所述的第一三极管、第二三极管的发射极接地。本技术在采用上述方案后,振荡时第一三极管、第二三极管交替导通和截止,触使第一发光二极管、第二发光二极管也交替发光,从而实现本技术的目的;本方案具有控制稳定、使用效果好的优点。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合所有附图对本技术作进一步说明,本技术的较佳实施例为:参见附图1,本实施例所述的发光二极管闪光控制电路包括有第一三极管VT1、第二三极管VT2、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2,其中,4.5V电源依次与第一发光二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二发光二极管D2一端连接;第一发光二极管D1另一端与第三电阻R3一端连接,第三电阻R3另一端分别与第一电容C1一端以及第一三极管VT1的集电极相连接,第一电容C1另一端与第一电阻R1另一端连接后与第二三极管VT2的基极相连接;第二发光二极管D2另一端与第四电阻R4一端连接,第四电阻R4另一端分别与第二电容C2一端以及第二三极管VT2的集电极相连接,第二电容C2另一端与第二电阻R2另一端连接后与第一三极管VT1的基极相连接,所述的第一三极管VT1、第二三极管VT2的发射极接地。本实施例在振荡时第一三极管、第二三极管交替导通和截止,触使第一发光二极管、第二发光二极管也交替发光,从而实现本技术的目的;本实施例具有控制稳定、使用效果好的优点。以上所述之实施例只为本技术之较佳实施例,并非以此限制本技术的实施范围,故凡依本技术之形状、原理所作的变化,均应涵盖在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...
发光二极管闪光控制电路

【技术保护点】
发光二极管闪光控制电路,其特征在于:它包括有第一三极管(VT1)、第二三极管(VT2)、第一发光二极管(D1)、第二发光二极管(D2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2),其中,4.5V电源依次与第一发光二极管(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第二发光二极管(D2)一端连接;第一发光二极管(D1)另一端与第三电阻(R3)一端连接,第三电阻(R3)另一端分别与第一电容(C1)一端以及第一三极管(VT1)的集电极相连接,第一电容(C1)另一端与第一电阻(R1)另一端连接后与第二三极管(VT2)的基极相连接;第二发光二极管(D2)另一端与第四电阻(R4)一端连接,第四电阻(R4)另一端分别与第二电容(C2)一端以及第二三极管(VT2)的集电极相连接,第二电容(C2)另一端与第二电阻(R2)另一端连接后与第一三极管(VT1)的基极相连接。

【技术特征摘要】
1.发光二极管闪光控制电路,其特征在于:它包括有第一三极管(VT1)、第二三极管(VT2)、第一发光二极管(D1)、第二发光二极管(D2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2),其中,4.5V电源依次与第一发光二极管(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第二发光二极管(D2)一端连接;第一发光二极管(D1)另一端与第三电阻(R3)一端连接,第三电阻(R3)另一端分别与第一电容(C1)一端以及第一三极管(VT1)的集电极相连接,...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏建林陈学文
申请(专利权)人:四川莱福德科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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