发光二极管管芯基板及其应用显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光二极管管芯基板及其应用显示装置。该发光二极管管芯基板包括：基材、多个第一微型发光二极管管芯及多个第二微型发光二极管管芯。第一微型发光二极管管芯沿第一方向及第二方向形成至少一第一阵列，各第一发光二极管管芯沿第一方向具有一第一边长，沿该第二方向具有一第二边长。第二微型发光二极管管芯沿着第一方向及第二方向形成至少一第二阵列，各第二发光二极管管芯沿第一方向具有第三边长，沿该第二方向具有第四边长。其中，该第一边长等于该第三边长，而该第二边长不等于该第四边长。

LED tube core substrate and application display device thereof

The invention discloses a light emitting diode tube core substrate and an application display device thereof. The LED tube core substrate comprises a base material, a plurality of first miniature LED tubes and a plurality of second micro LED tube cores. The first micro light emitting diode along the first direction and the two direction to form at least a first array, each of the first light emitting diode has a first edge along the first direction, with a length of second along the second direction. Second micro light emitting diode along a first direction and two direction to form at least a second array, second light emitting diode has third sides along the first direction along the second direction, with the long edges. Wherein, the first side length is equal to the third side length, and the second side length is not equal to the fourth side length.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管管芯基板及其应用显示装置
本说明书涉及一种半导体管芯基板与及应用装置，且特别是涉及一种发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)管芯基板以及应用此发光二极管管芯基板的发光二极管管芯管芯所制作的显示装置。
技术介绍
发光二极管显示器或称微型发光二极管显示器(MicroLEDDisplay)是由多颗取自发光二极管管芯基板(晶片)的微型化发光二极管管芯(MicroLEDChip)，通过倒装(Flip-chip)或其他封装接合(Bonding)技术，将发光二极管管芯与薄膜晶体管电路结合，形成具有单点定址式电连接的有源驱动架构，使发光二极管显示器具备自发光的特性，可省略背光模块，进而降低体积与重量而趋于薄型化，更具有未来竞争力。由于，发光二极管显示器相对有机发光二极管显示器(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)更具备材料稳定性高、使用寿命长、高亮度、奈秒等级的高速响应、高速调变及承载信号的优势，因此逐渐成为新一代显示器的开发主流。由于在典型发光二极管基板上，二相邻的发光二极管管芯的间距(Pitch)，是远小于发光二极管显示器上子像素阵列(Sub-pixelArray)中二相邻子像素的间距，再者封装接合制作工艺中用来撷取发光二极管管芯的治具，一般是配合发光二极管显示器的子像素阵列的子像素间距而设计，并无法兼顾基板上的发光二极管管芯的排列间距，导致治具无法有效率地从发光二极管基板上一次撷取多颗发光二极管管芯，并精确地将其接合至发光二极管显示器的子素像阵列上，影响发光二极管管芯封装接合的制作工艺稳定度及制作工艺效率。因此，仍有需要提供一种先进的发光二极管管芯于发光二极管管芯基板上的排列结构，以改善现有技术所面临的问题。
技术实现思路
本说明书的一个实施例是在提供一种发光二极管管芯基板，包括：基材、多个第一微型发光二极管管芯及多个第二微型发光二极管管芯。第一微型发光二极管管芯沿第一方向及第二方向排列形成至少一第一平行四边形阵列，各第一发光二极管管芯沿第一方向具有一第一边长，沿该第二方向具有一第二边长。第二微型发光二极管管芯沿着第一侧边方向及第二方向排列而形成至少一第二串列阵列，各第二发光二极管管芯沿第一方向具有第三边长，沿该第二方向具有第四边长。其中，该第一边长等于该第三边长，而该第二边长不等于该第四边长。本说明书的另一个实施例是在提供一种应用前述发光二极管管芯基板所制作的发光二极管显示器，发光二极管显示器具有显示区，显示区包括第一子像素及第二子像素。第一子像素具有第一发光二极管管芯，第一发光二极管管芯具有第一边长及第二边长。第二子像素具有第二发光二极管管芯，第二发光二极管管芯具有第三边长及第四边长，其中，第一边长等于第三边长，第四边长不等于第四边长。根据上述，本说明书的实施例是提供一种发光二极管管芯基板以及应用此发光二极管管芯基板所制作的发光二极管显示器。其是考虑倒装封装接合制作工艺中制作发光二极管显示器的子像素阵列的治具尺寸，来调整位于发光二极管管芯基板上的发光二极管管芯的边长尺寸及排列方式，使发光二极管管芯基板包含至少两种具有不同边长尺寸的发光二极管管芯。借助使治具可有效率地从发光二极管管芯基板上一次撷取多颗发光二极管管芯，并将其精确结合至发光二极管显示器的子像素阵列中，进而增加倒装封装接合制作工艺的制作工艺稳定度和制作工艺效率。附图说明为了对本说明书的上述实施例及其他目的、特征和优点能更明显易懂，特举数个较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下:图1为根据本说明书的一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；图2为根据本说明书的另一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；图3为根据本说明书的另一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；图4为根据本说明书的另一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；图5为根据本说明书的另一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；图6为根据本说明书的另一实施例所绘示的发光二极管管芯基板的结构上视图；以及图7为根据本说明书的一实施例所绘示的制作发光二极管显示器的部分制作工艺结构剖视图。符号说明71：机械制具100、200、300、300、500、600：发光二极管管芯基板101：基材102、103、301、302、308、501、502：发光二极管管芯102a、103a、301a、302b、501a：第一边102b、103b、301b、302a、501b：第二边104、204、307A、307B、307C、404、407A、407B、407C、504、604：阵列104a、204a、304a、404a、504a、604a：第一侧边104b、204b、304b、404b、504b、604b：第二侧边105、205、305、306、405、505、506、605、606、607：阵列701a：有源元件711：截取头A、B、C、D、E、F、M：边长P1、P2：间隙N、M：整数L：间距Q1：第一方向Q2：第二方向K1：第一侧边边长K2：第二侧边边长具体实施方式本说明书是提供一种发光二极管管芯基板及其应用装置，可以解决现有发光二极管显示器制作工艺稳定度不佳及制作工艺效率低落的问题。为了对本说明书的上述实施例及其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实施例，并配合所附附图作详细说明。但必须注意的是，这些特定的实施案例，并非用以限定本专利技术。本专利技术仍可采用其他特征、元件、方法及参数来加以实施。较佳实施例的提出，仅是用以例示本专利技术的技术特征，并非用以限定本专利技术的权利要求。该
中具有通常知识者，将可根据以下说明书的描述，在不脱离本专利技术的精神范围内，作均等的修饰与变化。在不同实施例与附图之中，相同的元件，将以相同的元件符号加以表示。请参照图1，图1为根据本说明书的一实施例所绘示的发光二极管管芯基板100的结构上视图。发光二极管管芯基板100包括：基材101、多个第一发光二极管管芯102以及多个第二发光二极管管芯103。在本说明书的一些实施例之中，基材101用途为制作薄膜的基板，其材料可以是蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、玻璃、石英，或上述的任意组合所组成的材质。在本说明书的一些实施例之中，基材101可以是一种可挠性的塑胶基板，例如聚氯乙烯(PolyVinylChloride，PVC)薄膜基材、聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)、聚酰亚胺(polyimide，PI)等。在本说明书的一些实施例之中，基材101可以是一种金属或合金(alloy)基板，其材料可以包括铝、铜、钢等。基材101的轮廓形状可以是矩形、圆形或其他适合制作工艺的形状。第一发光二极管管芯102和第二发光二极管管芯103是通过外延制作工艺或其他薄膜制作工艺搭配光刻制作工艺所形成于基材101上。第一发光二极管管芯102及第二发光二极管管芯103的单位尺寸可介于0.1微米(μm)至100微米(μm)之间，更佳是介于0.1微米(μm)至10微米(μm)之间，因此第一发光二极管管芯102及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管管芯基板，包括：基材；多个第一发光二极管管芯位于该基材上，沿一第一方向及一第二方向排列形成至少一第一阵列，各该些第一发光二极管管芯沿该第一方向具有一第一边长，各该些第一发光二极管管芯沿该第二方向具有一第二边长；以及多个第二发光二极管管芯，位于该基材上，沿该第一方向及该第二方向排列形成至少一第二阵列，各该些第二发光二极管管芯沿该第一方向具有一第三边长，各该些第一发光二极管管芯沿该第二方向具有一第四边长；其中，该第一方向不平行于该第二方向，该第一边长等于该第三边长，而该第二边长不等于该第四边长。

【技术特征摘要】
2016.01.05 US 62/274,8091.一种发光二极管管芯基板，包括：基材；多个第一发光二极管管芯位于该基材上，沿一第一方向及一第二方向排列形成至少一第一阵列，各该些第一发光二极管管芯沿该第一方向具有一第一边长，各该些第一发光二极管管芯沿该第二方向具有一第二边长；以及多个第二发光二极管管芯，位于该基材上，沿该第一方向及该第二方向排列形成至少一第二阵列，各该些第二发光二极管管芯沿该第一方向具有一第三边长，各该些第一发光二极管管芯沿该第二方向具有一第四边长；其中，该第一方向不平行于该第二方向，该第一边长等于该第三边长，而该第二边长不等于该第四边长。2.如权利要求1所述的发光二极管管芯基板，其中该至少一第一阵列沿该第一方向具有至少一第一侧边，该至少一第一阵列沿该第二方向具有至少一第二侧边，该至少一第二阵列与该至少一第一侧边相邻。3.如权利要求1所述的发光二极管管芯基板，其中该第二边长与第四边长符合以下公式：其中该第二边长为B，该第四边长为C。4.如权利要求1所述的发光二极管管芯基板，还包括：多个第三发光二极管管芯，位于该基材上，沿该第一方向及该第二方向排列而形成至少一第三阵列，各该些第三发光二极管管芯沿该第一方向具有一第五边长，各该些第一发光二极管管芯沿该第二方向具有一第六边长；以及至少一第四发光二极管管芯，位于该第二阵列与该第三阵列的一延伸交叉位置，该至少一第四发光二极管管芯沿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘同凯，谢朝桦，陈柏锋，黄婉玲，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71