显示面板和显示面板的制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种显示面板和显示面板的制造方法。其中，显示面板，包括：阵列基板；多个有机发光元件，位于所述阵列基板的一侧；薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述多个有机发光元件背离所述阵列基板的一侧并且包覆所述多个有机发光元件，所述薄膜封装层包括至少一层阻隔层，所述阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；至少一层所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧设置有粗糙层，且所述粗糙层与所述阻隔层接触，所述粗糙层的表面粗糙度大于5nm。本发明专利技术实施例提供的技术方案，在有效保证对显示面板可靠封装的基础上，使阻隔层上方的膜层和阻隔层结合牢固，解决膜层剥离的问题，提高显示面板的性能。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示面板的制造方法
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板和显示面板的制造方法。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机电致发光二极管)显示面板与液晶显示面板相比具有广视角，高对比度、轻薄、低功耗等优点，是目前平板显示技术发展的方向之一。现有技术中的OLED显示面板一般包括基板，位于基板一侧的有机发光元件、薄膜封装层以及位于薄膜封装层上的一些其他膜层。薄膜封装层一般包括堆叠的无机层和有机层，主要依靠无机层的阻挡水分和氧气进入有机发光元件。为了提高无机层的阻隔性能，一般会将无机层做的比较致密和光滑，而有机层与致密、光滑的无机层接触时，二者之间的附着力减小，贴附于无机层上的有机层容易松动，甚至发生脱落，进而无机层上的膜层都将脱落，造成显示面板无法正常显示。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板和显示面板的制造方法，以在保证显示面板可靠封装的基础上，使显示面板内的膜层结合牢固，提高显示面板的性能。第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：阵列基板；多个有机发光元件，位于所述阵列基板的一侧；薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述多个有机发光元件背离所述阵列基板的一侧并且包覆所述多个有机发光元件，所述薄膜封装层包括至少一层阻隔层，所述阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；至少一层所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧设置有粗糙层，且所述粗糙层与所述阻隔层接触，所述粗糙层的表面粗糙度大于5nm。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该方法包括：形成阵列基板；在所述阵列基板上形成多个有机发光元件；在所述多个有机发光元件背离所述阵列基板的一侧形成薄膜封装层，所述薄膜封装层包覆所述多个有机发光元件，所述薄膜封装层包括至少一层阻隔层，形成的所述阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；在至少一层所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧形成粗糙层，形成的所述粗糙层与所述阻隔层接触，形成的所述粗糙层的表面粗糙度大于5nm。本专利技术实施例提供的技术方案，薄膜封装层包覆多个有机发光元件，薄膜封装层包括至少一层阻隔层，阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；阻隔层的表面膜质比较致密，缺陷较少。至少一层阻隔层背离所述阵列基板的一侧设置有粗糙层，且所述粗糙层与所述阻隔层接触，因粗糙层的表面粗糙度大于5nm，粗糙层的表面粗糙度较高，增大了粗糙层和阻隔层的接触面积，使粗糙层和阻隔层更好的接触；不同膜层之间结合时主要依靠膜层之间的分子作用力和机械咬合力，粗糙层表面的缺陷结构比较多，在粗糙层和阻隔层接触时，利于粗糙层分子和阻隔层分子的机械咬合，二者之间的机械咬合力增强，，形成或者贴附于粗糙层背离阻隔层的一面上的其他膜层和粗糙层的附着力较大，膜层不会发生松动和剥落，可确保阻隔层上方的膜层和阻隔层结合牢固，提高了显示面板的性能。附图说明图1A是本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；图1B是本专利技术实施例中浸润角的一种示意图；图1C是本专利技术实施例中浸润角的另一种示意图；图2A是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；图2B是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；图2C是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；图2D是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1A是本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，参见图1A，该显示面板包括：阵列基板11；多个有机发光元件12，位于阵列基板11的一侧；薄膜封装层，薄膜封装层位于多个有机发光元件12背离阵列基板11的一侧并且包覆多个有机发光元件12，薄膜封装层包括至少一层阻隔层13，阻隔层13的表面粗糙度为0～5nm；至少一层阻隔层13背离阵列基板11的一侧设置有粗糙层14，且粗糙层14与阻隔层13接触，粗糙层14的表面粗糙度大于5nm。本专利技术实施例中，阵列基板11可以包括衬底基板，以及位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和存储电容。衬底基板可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，也就是说衬底基板可以是柔性基板。例如，柔性基板可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。衬底基板可以是透明的、半透明的或不透明的。当然，衬底基板还可以是玻璃基板，此时显示面板是刚性的不能自由弯折的显示面板。缓冲层位于衬底基板上，缓冲层覆盖衬底基板的整个上表面。缓冲层包括无机层或有机层。例如，缓冲层可以由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等的无机材料或者诸如压克力(acryl)、聚酰亚胺(PI)或聚酯等的有机材料中选择的材料形成。缓冲层可以包括单层或多个层。缓冲层阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过柔性基底扩散，并且在柔性基底的上表面上提供平坦的表面。薄膜晶体管阵列位于缓冲层上。以顶栅型的薄膜晶体管为例，薄膜晶体管包括位于缓冲层上的半导体有源层，半导体有源层包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂杂质的沟道区域。半导体有源层可以通过非晶硅的结晶使非晶硅改变为多晶硅而形成。为了使非晶硅结晶，可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。栅绝缘层覆盖半导体有源层，包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多个层。栅电极位于栅绝缘层上的特定区域中。栅电极可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的合金。层间绝缘层位于栅电极上。层间绝缘层可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成。可选择地，层间绝缘层可以由绝缘有机层形成。源电极和漏电极位于层间绝缘层上。源电极和漏电极分别通过接触孔电连接(或结合)到源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层和层间绝缘层而形成的。钝化层位于源电极和漏电极上。钝化层可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。平坦化层位于钝化层上。平坦化层包括压克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机层。有机发光元件与源电极或者漏电极电连接，根据源电极或者漏电极流过电流而发光显示。其中，有机发光元件可包括层叠的第一电极、有机发光层和第二电极，有机发光层位于第一电极和第二电极之间。第一电极可以是阳极或者阴极，第二电极也可以是阳极或者阴极。当第一电极为阳极时，第二电极为阴极；第一电极为阴极时，第二电极为阳极。阳极可以由各种导电材料形成。例如，阳极可以根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板；多个有机发光元件，位于所述阵列基板的一侧；薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述多个有机发光元件背离所述阵列基板的一侧并且包覆所述多个有机发光元件，所述薄膜封装层包括至少一层阻隔层，所述阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；至少一层所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧设置有粗糙层，且所述粗糙层与所述阻隔层接触，所述粗糙层的表面粗糙度大于5nm。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板；多个有机发光元件，位于所述阵列基板的一侧；薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述多个有机发光元件背离所述阵列基板的一侧并且包覆所述多个有机发光元件，所述薄膜封装层包括至少一层阻隔层，所述阻隔层的表面粗糙度为0～5nm；至少一层所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧设置有粗糙层，且所述粗糙层与所述阻隔层接触，所述粗糙层的表面粗糙度大于5nm。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙层的表面形状包括锯齿状、网格状或柱状中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙层的厚度为1nm～100nm。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙层的浸润角的角度为0～30°。5.根据权利要求1所述的显示面板，所述粗糙层的材料包括：SiNx、SiO2、TiO2、CuO以及Fe2O3中的至少一种。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粗糙层上设置有设置至少一个凹陷部，且沿垂直于所述阵列基板的方向所述凹陷部贯穿所述粗糙层。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，与所述粗糙层接触的所述阻隔层采用原子层沉积工艺形成。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔层的厚度为1nm～100nm。9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔层的材料包括Al2O3、ZrO2、和TiO2中的至少一种。10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一层有机层，至少一层所述有机层位于所述阻隔层背离所述阵列基板的一侧。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡雨，李喜烈，刘聪慧，于泉鹏，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31