晶片封装体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括：一基底，具有一前表面、一背表面及一侧表面；一重布线层，位于背表面上，且与基底内的一感测或元件区电性连接；一保护层，覆盖重布线层，且延伸到侧表面上；一盖板，位于前表面上，且横向地突出于侧表面上的保护层，盖板具有面向前表面的一第一表面及背向前表面的一第二表面，且盖板的一底部自第一表面朝第二表面变宽。本发明专利技术能够提升晶片封装体的品质及可靠度。

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体及其制造方法
本专利技术有关于一种晶片封装技术，特别为有关于采用晶圆级封装技术的一种晶片封装体及其制造方法。
技术介绍
一般而言，晶圆级封装制程包括在晶圆阶段完成封装步骤，再予以切割成独立的晶片封装体。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。然而，在进行切割制程期间，晶圆内及/或晶圆上的膜层容易因切割偏移而破裂受损，且经切割处可能出现不均匀的凹陷或凸起，导致切割出的晶片封装体的品质及可靠度不佳。再者，晶圆的切割道的尺寸取决于切割刀具的尺寸，故单一晶圆能切割出的晶片封装体的数量有所限制，且切割刀具的切割速度慢，故切割制程所需的制程时间长，因此难以进一步降低制造成本及制造时间。因此，有必要寻求一种新颖的晶片封装体及其制造方法，其能够解决或改善上述的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括一基底、一重布线层、一保护层及一盖板。基底具有一前表面、一背表面及一侧表面。重布线层位于背表面上，且与基底内的一感测或元件区电性连接。保护层覆盖重布线层，且延伸到侧表面上。盖板位于前表面上，且横向地突出于侧表面上的保护层。盖板具有面向前表面的一第一表面及背向前表面的一第二表面，且盖板的一底部自第一表面朝第二表面变宽。本专利技术还提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一前表面、一背表面及一侧表面；在背表面上形成一重布线层，重布线层与基底内的一感测或元件区电性连接；形成一保护层，保护层覆盖重布线层，且延伸到侧表面上：以及在前表面上提供一盖板，盖板横向地突出于侧表面上的保护层，且具有面向前表面的一第一表面及背向前表面的一第二表面，且盖板的一底部自第一表面朝第二表面变宽。本专利技术能够提升晶片封装体的品质及可靠度。附图说明图1A至1H是绘示出根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。图2是绘示出根据本专利技术一实施例的晶片封装体的局部剖面示意图。图3是绘示出根据本专利技术一实施例的晶片封装体的平面示意图。图4A至4E是绘示出根据本专利技术另一实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。其中，附图中符号的简单说明如下：100：基底；100a：前表面；100b：背表面；100c：侧表面；110：感测或元件区；120：晶片区；130：绝缘层；140：导电垫；150：光学部件；160：间隔层；165：粘着层；170：盖板；170a：第一表面；170b：第二表面；170c：侧表面；170d：侧表面；170e：侧表面；180：空腔；190：第一开口；200：第二开口；210：绝缘层；220：重布线层；230：保护层；230c：侧表面；240：孔洞；250：导电结构；260：凹口；270：凹口；280：刻痕；P：部分；SC：切割道。具体实施方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然而应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装微机电系统晶片。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(activeorpassiveelements)、数字电路或模拟电路(digitaloranalogcircuits)等集成电路的电子元件(electroniccomponents)，例如是有关于光电元件(optoelectronicdevices)、微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem，MEMS)、生物辨识元件(biometricdevice)、微流体系统(microfluidicsystems)、或利用热、光线、电容及压力等物理量变化来测量的物理感测器(PhysicalSensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(waferscalepackage，WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emittingdiodes，LEDs)、太阳能电池(solarcells)、射频元件(RFcircuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、指纹辨识器(fingerprintrecognitiondevice)、微制动器(microactuators)、表面声波元件(surfaceacousticwavedevices)、压力感测器(processsensors)或喷墨头(inkprinterheads)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于通过堆迭(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layerintegratedcircuitdevices)的晶片封装体。以下配合图1A至1H说明本专利技术一实施例的晶片封装体的制造方法，其中图1A至1H是绘示出根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制造方法的剖面示意图。请参照图1A，提供一基底100，其具有一前表面100a及一背表面100b，且包括多个晶片区120。为简化图式，此处仅绘示出一完整的晶片区120及与其相邻的晶片区120的一部分。在一些实施例中，基底100可为一硅基底或其他半导体基底。在一些实施例中，基底100为一硅晶圆，以利于进行晶圆级封装制程。基底100的前表面100a上具有一绝缘层130。一般而言，绝缘层130可由层间介电层(interlayerdielectric，ILD)、金属间介电层(inter-metaldielectric，IMD)及覆盖的钝化层(passivation)组成。为简化图式，此处仅绘示出单层绝缘层130。在一些实施例中，绝缘层130可包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合或其他适合的绝缘材料。在一些实施例中，每一晶片区120的绝缘层130内具有一个或一个以上的导电垫140。在一些实施例中，导电垫140可为单层导电层或具有多层的导电层结构。为简化图式，此处仅以单层导电层作为范例说明。在一些实施例中，每一晶片区120的绝缘层130内包括一个或一个以上的开口，露出对应的导电垫140。在一些实施例中，每一晶片区120内具有一感测或元件区110。感测或元件区110可邻近于绝缘层130及基底100的前表面100a，且可通过内连线结构(未绘示)与导电垫140电性连接。感测或元件区110内包括一感测元件。在一些实施例中，感测或元件区110内包括感光元件或其他适合的光电元件。在其他实施例中，感测或元件区110内可包括感测生物特征的元件(例如，一指纹辨识元件)、感测环境特征的元件(例如，一温度感测元件、一湿度感测元件、一压力感测元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：基底，具有前表面、背表面及侧表面；重布线层，位于该背表面上，且与该基底内的感测或元件区电性连接；保护层，覆盖该重布线层，且延伸到该侧表面上；以及盖板，位于该前表面上，且横向地突出于该侧表面上的该保护层，其中该盖板具有面向该前表面的第一表面及背向该前表面的第二表面，且该盖板的底部自该第一表面朝该第二表面变宽。

【技术特征摘要】
2015.12.29 US 62/272,5601.一种晶片封装体，其特征在于，包括：基底，具有前表面、背表面及侧表面；重布线层，位于该背表面上，且与该基底内的感测或元件区电性连接；保护层，覆盖该重布线层，且延伸到该侧表面上；以及盖板，位于该前表面上，且横向地突出于该侧表面上的该保护层，其中该盖板具有面向该前表面的第一表面及背向该前表面的第二表面，且该盖板的底部自该第一表面朝该第二表面变宽。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该盖板的该底部的侧表面邻接且倾斜于该第一表面。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该盖板的顶部自该第二表面朝该第一表面变宽。4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该盖板的该顶部的侧表面邻接且倾斜于该第二表面。5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该盖板的侧表面邻接该底部且大致上垂直于该第一表面及/或该第二表面。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该基底的该背表面上的该保护层具有平坦的侧表面，且该盖板的该第一表面的边缘大致上对准于该保护层的该侧表面。7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，从俯视方向来看，该盖板的该底部的侧表面环绕该保护层。8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层进一步延伸到该基底的该侧表面上，且该保护层覆盖位于该侧表面上的该重布线层的末端。9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括绝缘层，该绝缘层位于该基底与该盖板之间，其中该绝缘层内具有导电垫与该感测或元件区及该重布线层电性连接，且该保护层覆盖该绝缘层的侧表面。10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括间隔层或粘着层，该间隔层或该粘着层位于该基底与该盖板之间，且具有被该保护层所覆盖的侧表面。11.一种晶片封装体的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳伦，林柏伸，詹昂，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71