一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置，栅线和数据线的延伸方向相同，与同一像素开关晶体管相连的栅线和数据线均位于像素开关晶体管所对应的像素电极的同一侧；黑矩阵分别覆盖栅线、数据线和隔垫物；相邻两个隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且栅线对应的黑矩阵的宽度小于隔垫物对应的黑矩阵的宽度。这样将隔垫物对应的黑矩阵独立设置，而对于栅线位置处的黑矩阵的宽度只需要以栅线的宽度为准，不需要像现有的显示面板需要将栅线位置处的黑矩阵的宽度设置为与隔垫物位置处的黑矩阵的宽度相同，由于栅线的宽度相比隔垫物的宽度小很多，因此将栅线位置处黑矩阵的宽度减小可以提高像素开口率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点而备受业界关注。它的主体结构为对盒设置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的隔垫物和液晶。如图1所示，阵列基板01上形成有交叉设置的栅线02和数据线03，以及由栅线02和数据线03限定的像素单元，每个像素单元包括像素开关晶体管04和像素电极05。对向基板上形成有用于遮挡栅线02、数据线03和隔垫物06的黑矩阵07。现有的液晶显示器中，隔垫物一般位于栅线上，由于隔垫物的宽度较宽，因此沿栅线方向的黑矩阵为了做到同时遮挡栅线和隔垫物，宽度较宽，从而严重影响液晶显示器的像素开口率，不利于提高显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种显示面板及显示装置，用以实现增大像素开口率。因此，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，位于所述阵列基板与所述对向基板之间的隔垫物和黑矩阵，其中所述阵列基板上设置有呈矩阵排列的多个由像素电极和像素开关晶体管组成的像素结构；分别与各列所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的数据线，分别与各行所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的栅线；所述黑矩阵覆盖所述栅线、所述数据线和所述隔垫物；所述栅线和所述数据线的延伸方向相同；与同一所述像素开关晶体管相连的所述栅线和所述数据线均位于所述像素开关晶体管所对应的所述像素电极的同一侧，且所述栅线与所述像素开关晶体管的有源层有至少一个交叠区域；相邻两个所述隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且所述栅线对应的黑矩阵的宽度小于所述隔垫物对应的黑矩阵的宽度。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，针对与同一所述像素开关晶体管相连的所述栅线和所述数据线，其中所述栅线与所述像素电极的距离小于所述数据线与所述像素电极之间的距离。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述栅线位于所述像素电极与所述数据线之间。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述数据线在所述阵列基板的正投影与所述栅线在所述阵列基板的正投影至少部分重叠。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述栅线与所述像素开关晶体管的有源层有三个交叠区域。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述有源层在所述阵列基板的正投影呈折线形。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，还包括位于所述阵列基板与所述有源层之间且与所述有源层一一对应的遮光部，且所述遮光部覆盖所述栅线与所述有源层的交叠区域。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述遮光部包括n个子遮光部，一个所述子遮光部对应一个所述交叠区域，其中n为所述交叠区域的个数。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述显示面板为液晶显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种显示面板。本专利技术实施例提供的显示面板及显示装置，栅线和数据线的延伸方向相同，与同一像素开关晶体管相连的栅线和数据线均位于像素开关晶体管所对应的像素电极的同一侧；黑矩阵分别覆盖栅线、数据线和隔垫物；相邻两个隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且栅线对应的黑矩阵的宽度小于隔垫物对应的黑矩阵的宽度。这样将隔垫物对应的黑矩阵独立设置，而对于栅线位置处的黑矩阵的宽度只需要以栅线的宽度为准，不需要像现有的显示面板需要将栅线位置处的黑矩阵的宽度设置为与隔垫物位置处的黑矩阵的宽度相同，由于栅线的宽度相比隔垫物的宽度小很多，因此将栅线位置处黑矩阵的宽度减小可以提高像素开口率。附图说明图1为现有的的液晶显示器的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图之二；图4为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图之三；图5为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图之四。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映显示面板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的显示面板，如图2所示，包括相对设置的阵列基板01和对向基板(图中未示出)，位于阵列基板01与对向基板之间的隔垫物06和黑矩阵07，其中阵列基板01上设置有呈矩阵排列的多个由像素电极05和像素开关晶体管04组成的像素结构；分别与各列像素结构中的像素开关晶体管04一一对应连接的数据线03，分别与各行像素结构中的像素开关晶体管04一一对应连接的栅线02；黑矩阵07覆盖栅线02、数据线03和隔垫物06；栅线02和数据线03的延伸方向相同；与同一像素开关晶体管04相连的栅线02和数据线03均位于像素开关晶体管04所对应的像素电极05的同一侧，且栅线02与像素开关晶体管04的有源层08有至少一个交叠区域；相邻两个隔垫物06对应的黑矩阵07独立设置，且栅线02对应的黑矩阵07的宽度小于隔垫物06对应的黑矩阵07的宽度。本专利技术实施例提供的显示面板，栅线和数据线的延伸方向相同，与同一像素开关晶体管相连的栅线和数据线均位于像素开关晶体管所对应的像素电极的同一侧；黑矩阵分别覆盖栅线、数据线和隔垫物；相邻两个隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且栅线对应的黑矩阵的宽度小于隔垫物对应的黑矩阵的宽度。这样将隔垫物对应的黑矩阵独立设置，而对于栅线位置处的黑矩阵的宽度只需要以栅线的宽度为准，不需要像现有的显示面板需要将栅线位置处的黑矩阵的宽度设置为与隔垫物位置处的黑矩阵的宽度相同，由于栅线的宽度相比隔垫物的宽度小很多，因此将栅线位置处黑矩阵的宽度减小可以提高像素开口率。具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，如图3-图5所示(图3-图5中均以一个像素结构为例进行说明)，针对与同一像素开关晶体管04相连的栅线02和数据线03，其中栅线02与像素电极05的距离小于数据线03与像素电极05之间的距离。这样设计是因为像素开关晶体管的有源层在连接像素电极与数据线时，有源层能够越过栅线从而使栅线与有源层有交叠区域。较佳地，具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，为了进一步减少黑矩阵的占用面积，数据线在阵列基板的正投影与栅线在阵列基板的正投影至少部分重叠。由于使数据线在阵列基板的正投影与栅线在阵列基板的正投影有重叠的制作工艺有难度，因此具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，如图3-图5所示，栅线02位于像素电极05与数据线03之间。具体实施时，由于多栅结构的像素开关晶体管有利于减小漏电流，因此在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，栅线与像素开关晶体管的有源层的交叠区域越多，越有利于减小漏电流。具体实施时，栅线与像素开关晶体管的有源层的交叠区域越多，有源层占用的空间面积就越大，不利于提升像素开口率。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，如图3-图5所示，栅线02与像素开关晶体管04的有源层08有三个交叠区域，即形成三栅结构。具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板中，有源层在阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，位于所述阵列基板与所述对向基板之间的隔垫物和黑矩阵，其中所述阵列基板上设置有呈矩阵排列的多个由像素电极和像素开关晶体管组成的像素结构；分别与各列所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的数据线，分别与各行所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的栅线；所述黑矩阵覆盖所述栅线、所述数据线和所述隔垫物；其特征在于：所述栅线和所述数据线的延伸方向相同；与同一所述像素开关晶体管相连的所述栅线和所述数据线均位于所述像素开关晶体管所对应的所述像素电极的同一侧，且所述栅线与所述像素开关晶体管的有源层有至少一个交叠区域；相邻两个所述隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且所述栅线对应的黑矩阵的宽度小于所述隔垫物对应的黑矩阵的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，位于所述阵列基板与所述对向基板之间的隔垫物和黑矩阵，其中所述阵列基板上设置有呈矩阵排列的多个由像素电极和像素开关晶体管组成的像素结构；分别与各列所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的数据线，分别与各行所述像素结构中的所述像素开关晶体管一一对应连接的栅线；所述黑矩阵覆盖所述栅线、所述数据线和所述隔垫物；其特征在于：所述栅线和所述数据线的延伸方向相同；与同一所述像素开关晶体管相连的所述栅线和所述数据线均位于所述像素开关晶体管所对应的所述像素电极的同一侧，且所述栅线与所述像素开关晶体管的有源层有至少一个交叠区域；相邻两个所述隔垫物对应的黑矩阵独立设置，且所述栅线对应的黑矩阵的宽度小于所述隔垫物对应的黑矩阵的宽度。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，针对与同一所述像素开关晶体管相连的所述栅线和所述数据线，其中所述栅线与所述像素电极的距离小于所述数据线与所述像素电极之间的距离。3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志轩，王凤国，史大为，武新国，刘弘，李峰，王子峰，杨璐，徐海峰，王文涛，姚磊，闫雷，李元博，高敏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11