【技术实现步骤摘要】
抑制干扰的微机电陀螺仪以及感测角速率的方法
本专利技术涉及抑制干扰的微机电陀螺仪以及感测角速率的方法。
技术介绍
如公知的,使用微机电系统(MEMS)被越来越广泛地用于各种
,并且产生令人鼓舞的结果,尤其在用于大范围应用的惯性传感器、微集成陀螺仪和机电振荡器的制造中。具体地,多种类型的MEMS陀螺仪是可用的,它们可以通过它们的复杂机电结构和操作模式来区分,但是在任何情况下都基于柯氏加速度的检测。在这种类型的MEMS陀螺仪中,质量(或质量系统)弹性地约束至衬底或定子,能够在相互垂直的驱动方向和感测方向上平移。通过控制设备,质量被设置为在驱动方向上以受控频率和振幅来振荡。当陀螺仪以角速率绕着垂直于驱动方向和感测方向的轴转动时,由于驱动方向上的运动,质量经受柯氏力并在感测方向上移动。质量在感测方向上的位移通过角速率和驱动方向上的速率来确定,并且可以被转换为电信号。例如,质量和衬底可以电容性地耦合,使得电容取决于质量相对于衬底的位置。因此,质量在感测方向上的位移可以与角速率成比例的方式进行振幅调制的电信号的形式被检测,其中载体处于驱动质量的振荡频率。解调器的使用使得可以得到调制信号,由此得到瞬时角速率。然而,在许多情况下,承载关于瞬时角速率的信息的加速信号还包含不被柯氏加速度确定的杂散分量形式的干扰。例如,传播至衬底的振动或者施加于其的外部力可以引起质量在感测方向上的位移或干扰驱动动作。这两种事件均会导致角速率的检测和改变的输出信号,尽管实际上衬底不经受任何旋转。杂散分量的抑制是常见问题,并且对于一些应用来说尤其严重,诸如汽车行业。通过示例,在沿着直线路径的 ...
【技术保护点】
一种微机电陀螺仪,包括:衬底(2;102;202;302);第一结构(11;111;211;311)、第二结构(12;112;212;312)和第三结构(10;110;210;310),弹性地耦合至所述衬底(2;102;202;302)以沿着第一轴(X)在驱动方向上可移动,所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)相对于所述第一轴(X)布置在所述第三结构(10;110;210;310)的相对侧;驱动系统(4、16a、16b、20a、20b;216a、216b、220a、220b;316a、316b、320a、320b),被配置为彼此同相地沿着所述第一轴(X)振荡所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312),并且被配置为与所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)反相地沿着所述第一轴(X)振荡所述第三结构(10;110;210;310);所述第一结构(11;111;211;311)、所述第二结构(12;112;212;312)和所述第三结构(10; ...
【技术特征摘要】
2015.12.29 IT 1020150000886501.一种微机电陀螺仪,包括:衬底(2;102;202;302);第一结构(11;111;211;311)、第二结构(12;112;212;312)和第三结构(10;110;210;310),弹性地耦合至所述衬底(2;102;202;302)以沿着第一轴(X)在驱动方向上可移动,所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)相对于所述第一轴(X)布置在所述第三结构(10;110;210;310)的相对侧;驱动系统(4、16a、16b、20a、20b;216a、216b、220a、220b;316a、316b、320a、320b),被配置为彼此同相地沿着所述第一轴(X)振荡所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312),并且被配置为与所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)反相地沿着所述第一轴(X)振荡所述第三结构(10;110;210;310);所述第一结构(11;111;211;311)、所述第二结构(12;112;212;312)和所述第三结构(10;110;210;310)设置有感测电极(17a、21a;117a、121a;217a、221a;317a、321a)的相应集合,被配置为响应于所述衬底(2;102;202;302)关于垂直于所述第一轴(X)和第二轴(Y)的第三轴(Z)的旋转而沿着垂直于所述第一轴(X)的所述第二轴(Y)在感测方向上偏移。2.根据权利要求1所述的陀螺仪,其中每个感测电极(17a、21a;117a、121a;217a、221a;317a、321a)电容性地耦合至相应的第一定子感测电极(17b、21b;117b、121b;217b、221b;317b、321b)和相应的第二定子感测电极(17c、21c;117c、121c;217c、221c;317c、321c)。3.根据权利要求2所述的陀螺仪,其中所述第一定子感测电极(17b、21b;117b、121b;217b、221b;317b、321b)和所述第二定子感测电极(17c、21c;117c、121c;217c、221c、317c、321c)被布置为,使得每个感测电极(17a、21a;117a、121a;217a、221a;317a、321a)和相应的第一定子感测电极(17b、21b;117b、121b;217b、221b;317b、321b)响应于所述第一结构(11;111;211;311)、所述第二结构(12;112;212;312)和所述第三结构(10;110;210;310)中的相应一个沿着所述第二轴(Y)在所述感测方向上或者与所述感测方向相反的位移而失衡。4.根据权利要求3所述的陀螺仪,包括读接口(23),所述读接口被配置为感测每个感测电极(17a、21a;117a、121a;217a、221a;317a、321a)与相应的第一定子感测电极(17b、21b;117b、121b;217b、221b;317b、321b)之间的电容耦合的失衡。5.根据权利要求4所述的陀螺仪,其中所述读接口(23)具有第一输入和第二输入,所述第一定子感测电极(17b、21b;117b、121b;217b、221b;317b、321b)电耦合至所述第一输入,并且所述第二定子感测电极(17c、21c;117c、121c;217c、221c;317c、321c)电耦合至所述第二输入。6.根据权利要求2至5中任一项所述的陀螺仪,其中耦合至所述第三结构(10;110;210;310)的感测电极(17a;117a;217a;317a)的所述第一定子感测电极(17b;117b;217b;317b)和所述第二定子感测电极(17c;117c;217c;317c)被配置为,使得响应于所述第三结构(10;110;210;310)沿着所述第二轴(Y)在所述感测方向上的位移,所述第三结构(10;110;210;310)的每个感测电极(17a;117a;217a;317a)与相应的第一定子感测电极(17b;117b;217b;317b)之间的第一电容增加而所述第三结构(10;110;210;310)的每个感测电极(17a;117a;217a;317a)与相应的第二定子感测电极(17c;117c;217c;317c)之间的第二电容减小;以及使得响应于所述第三结构(10;110;210;310)沿着所述第二轴(Y)与所述感测方向相反的位移,所述第一电容减小而所述第二电容增加。7.根据权利要求2至6中任一项所述的陀螺仪,其中耦合至所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)的感测电极(21a;121a;221a;321a)的所述第一定子感测电极(21b;121b;221b;321b)和所述第二定子感测电极(21c;121c;221c、321c)被布置为,使得响应于所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)沿着所述第二轴(Y)与所述感测方向相反的位移,所述第一结构(11;111;211;311)和所述第二结构(12;112;212;312)的每个感测电极(21a;121a;221a;321a)与相应的第一定子感测电极(21b、121a;221b;321b)之间的第三电容增加...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·瓦尔扎希纳,张环同,M·F·布鲁内托,G·I·安德森,E·D·斯文森,N·E·赫登斯蒂尔纳,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,意法半导体公司,意法半导体国际有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
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