抗反射涂料组成物及抗反射膜制造技术

本发明专利技术提供一种抗反射涂料组成物及抗反射膜，其中抗反射涂料组成物包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子；0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物；0.05重量份至20重量份的水；79重量份至99重量份的有机溶剂；以及阴离子，其中在抗反射涂料组成物中，阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm。本发明专利技术的抗反射涂料组成物可制造出具有良好折射率、良好机械强度、与载板间良好的附着力且制造成本低的抗反射膜。

Antireflective coating composition and antireflective film

The invention provides an anti reflective coating composition and antireflection film, which is composed of anti reflective coating material comprises 0.7 parts by weight to 2 parts by weight of silica particles; weight 0.1 to 1.1 parts by weight of silicate compounds; 0.05 by weight to 20 by weight of water; 79 to 99 weight weight organic solvent; and anion in anti reflection coating composition in the concentration range of anion is greater than 85.1ppm and less than 132.4ppm. The antireflective coating composition of the present invention can produce an antireflective film having good refractive index, good mechanical strength, good adhesion with the carrier plate, and low manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
抗反射涂料组成物及抗反射膜
本专利技术是涉及一种涂料组成物，尤其涉及一种抗反射涂料组成物及抗反射膜。
技术介绍
现今普遍使用的望远镜、照相机及摄影机等的镜头皆属于光学组件。一般而言，光线入射于不同介质上会发生穿透、吸收、反射等现象，而过多的光线发生反射后会互相干扰。举例而言，照相机镜头会因为反射光过多导致颜色黯淡，因而导致无法经由镜头撷取正确影像的颜色光泽。为解决前述问题，在目前现有工艺中，通过在载板(例如：玻璃、塑料等材质)上形成折射率较载板的折射率低的薄膜来形成抗反射膜以降低反射率。所述具有较低折射率的薄膜可包括由具较低折射率的氟化镁(MgF2)经真空蒸镀法而形成的单层膜结构，或是藉由压合各种不同折射率薄膜所产生的多层膜结构，其中若藉由属于真空技术的真空蒸镀法来形成多层膜结构，将需要较高的制造成本。另外，在日本早期公开专利号H5-105424中揭示一种形成低折射率薄膜的方法，此方法是使用如旋转涂布法(spincoating)或含浸法(dipping)的湿涂法(wetcoating)，在载板上涂覆含有氟化镁粒子的涂覆液来在载板上形成薄膜。然而，以此方法得到的薄膜却具有非常低的机械强度且与载板间的附着力很差的缺点。因此，开发具有良好折射率、良好机械强度、与载板间良好的附着力且制造成本低的抗反射膜是目前此领域极欲发展的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种抗反射涂料组成物，其可制造出具有良好折射率、良好机械强度、与载板间良好的附着力且制造成本低的抗反射膜。本专利技术提出一种抗反射涂料组成物，其包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有机溶剂以及阴离子，其中在所述抗反射涂料组成物中，所述阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm。在本专利技术的一实施方式中，上述的二氧化硅微粒子至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于碱性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物：Rn-Si(OR1)4-n式(I)，其中在式(I)中，R为C1～C10的经取代或非经取代的烷基、C2～C10的经取代或非经取代的烯基或C6～C10的经取代或非经取代的芳基，R1为C1～C10的经取代或非经取代的烷基，n为0～2的整数。在本专利技术的一实施方式中，上述的碱性催化剂为选自由金属氢氧化物、氨水、烷胺类、醇胺类、氯化苄基三乙基铵及氢氧化四甲基铵所组成的族群中的至少一种。在本专利技术的一实施方式中，上述的硅酸盐化合物至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于酸性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物：Rn-Si(OR1)4-n式(I)，其中在式(I)中，R为C1～C10的经取代或非经取代的烷基、C2～C10的经取代或非经取代的烯基或C6～C10的经取代或非经取代的芳基，R1为C1～C10的经取代或非经取代的烷基，n为0～2的整数。在本专利技术的一实施方式中，上述的酸性催化剂为选自由盐酸、硝酸、氢氟酸、乙酸、三氟醋酸、硫酸、磷酸、硼酸、甲酸、草酸、对甲苯磺酸及烷基磺酸所组成的族群中的至少一种。在本专利技术的一实施方式中，当n为0时，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷；当n为1时，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或苯基三甲氧基硅烷；当n为2时，上述的式(I)所示的烷氧基硅烷包括二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、二异丁基二甲氧基硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷。在本专利技术的一实施方式中，在上述的式(I)中，n为0或1。在本专利技术的一实施方式中，上述的二氧化硅微粒子与硅酸盐化合物的含量比例为5：5至7：3。在本专利技术的一实施方式中，上述阴离子为选自由氯离子、硝酸根离子、氟离子、乙酸根离子、三氟醋酸根离子、硫酸根离子、磷酸根离子、硼酸根离子、甲酸根离子、草酸根离子、对甲苯磺酸根离子及烷基磺酸根离子所组成的族群中的至少一种。本专利技术另提出一种抗反射涂料组成物，其包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有机溶剂以及阴离子，其中在所述抗反射涂料组成物中，所述阴离子的摩尔浓度范围为大于2.13mM至小于3.32mM。在本专利技术的一实施方式中，上述的二氧化硅微粒子与硅酸盐化合物的含量比例为5：5至7：3。在本专利技术的一实施方式中，上述阴离子为选自由氯离子、硝酸根离子、氟离子、乙酸根离子、三氟醋酸根离子、硫酸根离子、磷酸根离子、硼酸根离子、甲酸根离子、草酸根离子、对甲苯磺酸根离子及烷基磺酸根离子所组成的族群中的至少一种。本专利技术的抗反射膜是由上述的抗反射涂料组成物所制得。在本专利技术的一实施方式中，上述的抗反射膜的折射率为1.3至1.48。基于上述，藉由本专利技术所提出的抗反射涂料组成物包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有机溶剂以及在抗反射涂料组成物中，浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm的阴离子或是摩尔浓度范围为大于2.13mM至小于3.32mM的阴离子，使得由其所制造出的抗反射膜能够同时具有良好的折射率、机械强度、与载板间的附着力及穿透率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例说明如下。具体实施方式在本文中，由“一数值至另一数值”表示的范围，是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此，某一特定数值范围的记载，涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围，如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。在本文中，如果没有指明某一基团是否经过取代，则该基团可表示经取代或未经取代的基团。例如，“烷基”可表示经取代或未经取代的烷基。另外，对某一基团冠以“CX”描述时，表示该基团的主链有X个碳原子。为了制造出具有良好折射率、良好机械强度、与载板间附着力佳且制造成本低的抗反射膜，本专利技术提出一种抗反射涂料组成物，其可达到上述优点。以下，特举一实施方式作为本专利技术确实能够据以实施的范例。本专利技术的一实施方式提供的抗反射涂料组成物包括0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子、0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物、0.05重量份至20重量份的水、79重量份至99重量份的有机溶剂以及阴离子，其中在抗反射涂料组成物中，阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm，较佳为87ppm至120ppm，最佳为88ppm至93本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗反射涂料组成物，其特征在于，包括：0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子；0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物；0.05重量份至20重量份的水；79重量份至99重量份的有机溶剂；以及阴离子，其中在所述抗反射涂料组成物中，所述阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm。

【技术特征摘要】
2015.12.29 TW 1041443271.一种抗反射涂料组成物，其特征在于，包括：0.7重量份至2重量份的二氧化硅微粒子；0.1重量份至1.1重量份的硅酸盐化合物；0.05重量份至20重量份的水；79重量份至99重量份的有机溶剂；以及阴离子，其中在所述抗反射涂料组成物中，所述阴离子的浓度范围为大于85.1ppm至小于132.4ppm。2.根据权利要求1所述的抗反射涂料组成物，其特征在于，所述二氧化硅微粒子至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于碱性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物：Rn-Si(OR1)4-n式(I)，其中在式(I)中，R为C1～C10的经取代或非经取代的烷基、C2～C10的经取代或非经取代的烯基或C6～C10的经取代或非经取代的芳基，R1为C1～C10的经取代或非经取代的烷基，n为0～2的整数。3.根据权利要求2所述的抗反射涂料组成物，其特征在于，所述碱性催化剂为选自由金属氢氧化物、氨水、烷胺类、醇胺类、氯化苄基三乙基铵及氢氧化四甲基铵所组成的族群中的至少一种。4.根据权利要求1所述的抗反射涂料组成物，其特征在于，所述硅酸盐化合物至少包括由式(I)所示的烷氧基硅烷于酸性催化剂存在下经水解缩合反应而得的化合物：Rn-Si(OR1)4-n式(I)，其中在式(I)中，R为C1～C10的经取代或非经取代的烷基、C2～C10的经取代或非经取代的烯基或C6～C10的经取代或非经取代的芳基，R1为C1～C10的经取代或非经取代的烷基，n为0～2的整数。5.根据权利要求4所述的抗反射涂料组成物，其特征在于，所述酸性催化剂为选自由盐酸、硝酸、氢氟酸、乙酸、三氟醋酸、硫酸、磷酸、硼酸、甲酸、乙酸、草酸、对甲苯磺酸及烷基磺酸所组成的族群中的至少一种。6.根据权利要求2或4所述的抗反射涂料组成物，其特征在于，当n为0时，式(I)所示的烷氧基硅烷包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷；当n为1时，式(I)所示的烷氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：高怡惠，黄昱豪，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71