一种铱错合物、使用其的有机发光二极管及具碳烯结构的含氮三牙配基。此铱错合物由通式(I)所表示：
Iridium complex, organic light emitting diode using the same, and nitrogen containing three teeth group with carbon structure
An iridium complex, an organic light emitting diode using the same, and a nitrogen-containing three dental base having a carbene structure. The iridium complex is indicated by the general formula (I):
【技术实现步骤摘要】
铱错合物、使用其的有机发光二极管及具碳烯结构的含氮三牙配基
本专利技术是有关于一种适用于有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，简称OLED)的铱错合物，特别是有关于具碳烯结构的铱错合物、使用此种铱错合物的有机发光二极管，以及适合用来形成此种铱错合物的具碳烯结构的含氮三牙配基。
技术介绍
有机发光二极管元件在显示器工业上已经得到许多人的注意，特别是在平面显示器工业上，因为有机发光二极管元件能在低驱动电压下操作，又能产生高发光效率。为了发展全彩化平面显示器，开发稳定及高发光效率的具不同色光的发光材料为现今研究OLED的主要目标。目前已知三双牙配位的铱错合物有适合的放光特性，但其刚性、稳定性仍时有不足。
技术实现思路
本专利技术提供一种具碳烯结构的铱错合物，其用于OLED的发光层时可有效提升OLED的发光效率。本专利技术并提供一种使用此铱错合物的有机发光二极管。本专利技术并提供适合用来形成此种铱错合物的具碳烯结构的含氮三牙配基。本专利技术的铱错合物由通式(I)所表示：其中n为1、2、3或4；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；R2为氢、氟或-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基，m为1、2或3；R3为氢、氟、-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C6烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基，m为1、2或3；各R4独立为氢或经取代或未经取代的C1-C12烷基，或多个R4可键结而形成C3-C8含氮芳香杂环(N-heteroaromaticring)或芳香环(aromaticring)，且多个R4可相同或不同；X1、X2、X3、X4各自独立为碳或氮；Y1、Y2、Y3各自为碳或氮，但Y1、Y2及Y3中至少一者为氮，且所述Y1^Y2^Y3三牙配基为负二价。在一实施例中，Y1与Y2为氮且Y3为碳，所述铱错合物的结构由通式(I-1)表示：其中R1、R2、R3、R4、n、X1、X2、X3及X4的定义与通式(I)的相同。在一实施例中，X1、X2、X3及X4皆为碳。在一实施例中，X1、X2、X3、X4中至少有一者为氮。本专利技术的有机发光二极管包括二电极及配置于所述二电极之间的一发光层，所述发光层含有上述本专利技术的铱错合物。所述铱错合物可作为掺杂剂，掺入所述发光层的一主体材料(hostmaterial)中。本专利技术的具碳烯结构的含氮三牙配基由通式(1)表示：其中R1、R2、R3、R4、n、X1、X2、X3及X4的定义与通式(I)的相同。与先前技术的三双牙配位的铱错合物相较，本专利技术的双三牙配位的铱错合物的刚性更强、稳定性更高，故利于提高发光效率。本专利技术的铱错合物亦具有金属中心与配体之间的强配位键，其能推高金属中心dd激发态(metal-centeredddexcitedstates)的跃迁能阶，降低磷光的无辐射淬熄(non-radiativequenchingofphosphorescence)，进而使发光效率和色纯度提高。此外，本专利技术的铱错合物具有强场配体碳烯(carbene)，其与铱金属生成的键结更强，因此，生成的错合物稳定性更高。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1示出本专利技术实施例1～5所合成的具有碳烯结构的铱错合物的吸收光谱及荧光光谱；图2示出本专利技术实施例7的用以量测铱错合物的发光特性的OLED的结构。附图标记说明：200：玻璃基板；202：阳极；204：电洞传输层；206：发光层；208：电子传输层；210：阴极。具体实施方式以下将通过实施方式对本专利技术作进一步说明，但所述实施方式仅为例示说明之用，而非用以限制本专利技术的范围。[具碳烯结构的铱错合物的结构]本专利技术的具碳烯结构的铱错合物的结构由通式(I)表示：其中n为1、2、3或4；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；R2为氢、氟或-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基，m为1、2或3；R3为氢、氟、-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C6烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基，m为1、2或3；各R4独立为氢或经取代或未经取代的C1-C12烷基，或多个R4可键结而形成C3-C8含氮芳香杂环或芳香环，且多个R4可相同或不同；X1、X2、X3、X4各自独立为碳或氮；Y1、Y2、Y3各自为碳或氮，但Y1、Y2及Y3中至少一者为氮，且所述Y1^Y2^Y3三牙配基为负二价。上述芳香环可包括芳香烃环(aromatichydrocarbonring)或芳香杂环(aromaticheterocyclicring)。芳香环或芳香杂环的特定实例包括苯环(benzenering)、吡啶环(pyridinering)、吡嗪环(pyrazinering)、嘧啶环(pyrimidinering)、哒嗪环(pyridazinering)、三嗪环(triazinering)、吡咯环(pyrrolering)、呋喃环(furanring)、噻吩环(thiophenering)、硒吩环(selenophenering)、碲吩环(tellurophenering)、咪唑环(imidazolering)、噻唑环(thiazolering)、硒唑环(selenazolering)、碲唑环(tellurazolering)、噻二唑环(thiadiazolering)、恶二唑环(oxadiazolering)以及吡唑环(pyrazolering)。在一实施例中，多个R4可键结以形成经取代或未经取代的苯环或经取代或未经取代的吡啶环。通式(I)中右半部的配基即是本专利技术的具碳烯结构的含氮三牙配基，由以下通式(1)表示：其中R1、R2、R3、R4、n、X1、X2、X3及X4的定义与通式(I)的相同。另外，Y1^Y2^Y3三牙配基上例如也有至少一个拉电子基。Y1^Y2^Y3三牙配基可选用先前技术已知者。本专利技术的铱错合物的最高已占轨域(HOMO)主要是以Y1^Y2^Y3三牙配基来调整，最低未占轨域(LUMO)主要是以本专利技术的通式(1)所示的具碳烯结构的含氮三牙配基来调整。当Y1与Y2为氮且Y3为碳时，上述铱错合物的结构由通式(I-1)表示：其中R1、R2、R3、R4、n、X1、X2、X3及X4的定义与通式(I)的相同。R2为氢、氟或-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基，m为1、2或3；R3为氢、氟、-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C6烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基，m为1、2或3；且n为1、2、3或4。当R3为C1-C6烷基、氟或-CmF2m+1(m为1～3的整数)且X1、X2、X3、X4皆为碳时，符合通式(I-1)的铱错合物的一些实际例子为：由式(I-1-1)、(I-1-2)、(I-1-3)、(I-1-4)、(I-1-5)、(I-1-6)…(I-1-24)所表示的铱错合物，后文将其简称为化合物(I-1-1)、(I-1-2)…(I-1-24)。此种简称方式亦套用于下文中以其他化学结构式表达的铱错合物本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铱错合物，由通式(I)所表示：
【技术特征摘要】
2016.04.14 US 15/099,290;2015.12.31 CN 201511027931.一种铱错合物，由通式(I)所表示：其中n为1、2、3或4；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；R2为氢、氟或-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基，m为1、2或3；R3为氢、氟、-CmF2m+1、经取代或未经取代的C1-C6烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基，m为1、2或3；各R4独立为氢或经取代或未经取代的C1-C12烷基，或多个R4可键结而形成C3-C8含氮芳香杂环或芳香环，且多个R4可相同或不同；X1、X2、X3、X4各自独立为碳或氮；Y1、Y2、Y3各自为碳或氮，但Y1、Y2及Y3中至少一者为氮，且所述Y1^Y2^Y3三牙配基为负二价。2.根据权利要求1所述的铱错合物，其中所述Y1^Y2^Y3三牙配基上也有至少一个拉电子基。3.根据权利要求1所述的铱错合物，其中Y1与Y2为氮且Y3为碳，且其结构由通式(I-1)表示：其中R1、R2、R3、R4、n、X1、X2、X3及X4的定义与通式(I)的相同。4.根据权利要求1所述的铱错合物，其中X1、X2...
【专利技术属性】
技术研发人员：季昀，林骏，
申请(专利权)人：季昀，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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