开关元件、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

一种开关元件、阵列基板以及显示装置。该开关元件，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管；设置于所述第一薄膜晶体管上的第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一电极和第二电极，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管共用所述第一电极和第二电极。该开关元件将两个薄膜晶体管上下并联设置，在增加开关元件开态电流的同时降低其占用面积，且两薄膜晶体管设计为共用源漏电极层，简化了开关元件的制备工艺，降低成本。

Switch element, array substrate, and display device

A switching element, an array substrate, and a display device. The switching element includes: a substrate; a first thin film transistor is arranged on the substrate on the substrate; the second thin film transistor is arranged on the first thin film transistor wherein the first thin film transistor comprises a first electrode and a second electrode, the first thin film transistor and the second transistor shared the first electrode and the second electrode. The switching element two on thin film transistors arranged in parallel, while increasing the switch on state current and reduce the occupied area, and the two thin film transistor design is a common source drain electrode layer, simplifies the preparation process of switching elements, reduce the cost.

【技术实现步骤摘要】
开关元件、阵列基板以及显示装置
本技术的实施例涉及一种开关元件、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，当前消费者对产品分辨率的要求越来越高，具有高分辨率的产品逐渐成为市场的主流，而高分辨率意味着对设备中每一行像素的充电时间要缩短，对应的开关元件(例如薄膜晶体管)需要增大开态电流，以在更短的时间内对像素电极完成充放电。在阵列基板的结构设计方面，最直接的增加开关元件开态电流的方法，就是增大开关元件的W/L(宽长比)。例如可以通过增大单个开关元件的尺寸，或者使用多个开关元件并联以实现更大的W/L。然而，在通过这些方式增大W/L的情况下，每个像素区域中用于显示的面积被挤占，导致像素区域开口率降低。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供了一种开关元件、阵列基板以及显示装置以解决以上问题。该开关元件通过将两个薄膜晶体管上下并联地设置在一起，在开态情况下其整体的电流通量增大，并且上下设置可以降低开关元件的占用空间，同时两个薄膜晶体管的源漏极共用，降低了开关元件的制备工艺流程，降低成本。本公开至少一实施例提供一种开关元件，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管；设置于所述第一薄膜晶体管上的第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一电极和所述第二电极，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管共用所述第一电极和所述第二电极。例如，在本公开实施例提供的开关元件中，所述第一薄膜晶体管还包括在所述衬底基板上设置的位于所述衬底基板上的第一栅极、第一栅绝缘层和第一有源层；所述第二薄膜晶体管还包括在所述第一薄膜晶体管上设置的第二有源层、第二栅绝缘层和第二栅极。例如，在本公开实施例提供的开关元件中，所述第一栅极设置在所述衬底基板上，所述第一栅绝缘层设置在所述第一栅极上，所述第一有源层设置在所述第一栅绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一有源层上；所述第二有源层设置在所述第一电极和所述第二电极上，所述第二栅绝缘层设置在所述第二有源层上，所述第二栅极设置在所述第二栅绝缘层上。例如，本公开实施例提供的开关元件还可以包括：设置在所述第一电极和所述第二电极和所述第一有源层之间的第一欧姆接触层；设置在所述第一电极和所述第二电极和所述第二有源层之间的第二欧姆接触层；例如，本公开实施例提供的开关元件还可以包括：设置于所述第一有源层和所述第二有源层之间的第一绝缘层。例如，在本公开实施例提供的开关元件中，所述第一栅极与所述第二栅极彼此电连接。例如，在本公开实施例提供的开关元件中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管相对于所述第一电极和所述第二电极对称设置。例如，在本公开实施例提供的开关元件中，所述第一薄膜晶体管包括公共栅极，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用所述公共栅极，并且所述第一薄膜晶体管还包括第一栅绝缘层和第一有源层，所述第一栅绝缘层位于所述第一有源层和所述公共栅极之间；所述第二薄膜晶体管还包括第二栅绝缘层和第二有源层，所述第二栅绝缘层位于所述第二有源层和所述公共栅极之间。本公开至少一实施例还提供一种阵列基板，包括多个子像素单元，其中，每个所述子像素单元包括至少一条栅线、数据线、像素电极和上述任一开关元件，所述至少一条栅线与所述开关元件的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管电连接，所述数据线与所述第一电极电连接，所述像素电极与所述第二电极电连接。例如，本公开实施例提供的阵列基板，还包括位于不同层上的第一栅线和第二栅线，其中，所述第一栅线与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管电连接。例如，在本公开实施例提供的阵列基板中，所述第一栅线和所述第二栅线彼此电连接。例如，在本公开实施例提供的阵列基板中，所述第一栅线和所述第二栅线在所述阵列基板的周边区域中通过过孔彼此电连接。例如，在本公开实施例提供的阵列基板中，每个所述子像素单元还包括公共电极，所述公共电极设置为在工作中与所述像素电极配合形成工作电场。本公开的至少一实施例提供了一种显示装置，其包括上述任一的阵列基板。例如，该显示装置为液晶显示装置、有机发光二极管显示装置或电子纸显示装置。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。图1为一种当前的像素设计结构局部示意图；图2为图1所示A区域中的开关元件结构示意图；图3为本公开一实施例提供的一种开关元件结构示意图；图4为本公开一实施例提供的另一种开关元件结构示意图；图5为本公开一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；附图标记：1-栅线；2-数据线；3-有源层；4-欧姆接触层；5-绝缘层；200-衬底基板；211-第一栅极；212-第二栅极；221第一栅绝缘层；222-第二栅绝缘层；231-第一电极；232-第二电极；241-第一有源层；242-第二有源层；251-第一绝缘层；252-第二绝缘层；261-第一欧姆接触层；262-第二欧姆接触层；271-像素电极；272-公共电极；301-缓冲层；302-第三绝缘层；303-公共栅极；304-遮光层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。提高设备分辨率需要缩短对设备中每一行像素的充电时间，即增加其开关元件的开态电流。增加像素单元中的开关元件的开态电流方法中最直接的就是增加开关元件的宽长(W/L)比，当前增加开关元件的宽长比的方法有多种，例如增大单个开关元件的尺寸、使用多个开关元件并联等，但是以上方法会降低像素区域中用于显示的面积，即导致像素区域的开口率降低。图1为一种当前的像素设计结构局部示意图。如图1所示，由栅线1和数据线2限定出子像素区域(即像素单元所在区域)，区域A处为开关元件所在，通过将例如两个开关元件(薄膜晶体管)并联设置，在栅线1和数据线2控制下的开关元件为开态时，通过开关元件进入像素电极271中的开态电流增加，例如，与只设置一个开关元件相比，如图1所示的额外并联另一个完全相同的开关元件，其开态电流增加至原来的两倍。但是上述并联(沿像素平面水平并联)情况下的开关元件会额外占用像素区域的空间，降低该像素区域开口率。图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关元件，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管；设置于所述第一薄膜晶体管上的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一电极和第二电极，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管共用所述第一电极和所述第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种开关元件，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管；设置于所述第一薄膜晶体管上的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一电极和第二电极，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管共用所述第一电极和所述第二电极。2.根据权利要求1所述的开关元件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括在所述衬底基板上设置的位于所述衬底基板上的第一栅极、第一栅绝缘层和第一有源层；所述第二薄膜晶体管还包括在所述第一薄膜晶体管上设置的第二有源层、第二栅绝缘层和第二栅极。3.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于，所述第一栅极设置在所述衬底基板上，所述第一栅绝缘层设置在所述第一栅极上，所述第一有源层设置在所述第一栅绝缘层上，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一有源层上；所述第二有源层设置在所述第一电极和所述第二电极上，所述第二栅绝缘层设置在所述第二有源层上，所述第二栅极设置在所述第二栅绝缘层上。4.根据权利要求3所述的开关元件，其特征在于，还包括：设置在所述第一电极和所述第二电极和所述第一有源层之间的第一欧姆接触层；设置在所述第一电极和所述第二电极和所述第二有源层之间的第二欧姆接触层。5.根据权利要求3或4所述的开关元件，其特征在于，还包括：设置于所述第一有源层和所述第二有源层之间的第一绝缘层。6.根据权利要求3所述的开关元件，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极彼此电连接。7.根据权利要求2所述的开关元件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管相对于所述第一电极和所述第二电极对称设置。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖力勍，李红敏，王迎，王栋，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34