一种高亮度发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及二极管领域，具体涉及一种高亮度发光二极管，包括电路板、连接于电路板的发光芯片、设置于发光芯片上的电极、连接电极和电路板的金线、罩设于发光芯片外部的封装体，还包括设置于电路板背离发光芯片一侧的散热组件；所述发光芯片包括并联连接的第一发光片和第二发光片、设置于第一发光片和第二发光片之间的隔温板；所述电路板中央开设有一通孔，所述通孔内设有导热片，所述发光芯片一端安装于通孔内且位于导热片上方；所述散热组件包括连接于电路板和导热片的散热基座、安装于散热基座上的若干个散热鳍片。本实用新型专利技术散热效果好、透光效率高、光提取效率高、发光亮度高。

High brightness LED

The utility model relates to a diode field, in particular relates to a high brightness light-emitting diode, which comprises a circuit board, circuit board connected with the light emitting chip is arranged on the light-emitting chip and the electrode connecting electrodes, and the circuit board is covered on the light-emitting chip of gold, the external package also includes a circuit board arranged in the radiating component deviate from the light emitting chip the side; the luminous chip includes a thermal insulation plate is connected in parallel with the first light and second light emitting film, set between the first light emitting sheet and the second light emitting plate; the circuit board is provided with a central through hole, the through hole is provided with heat conducting sheet, wherein the light-emitting chip is installed in the through hole and in the heat conduction sheet above; the radiating component comprises a plurality of radiating fins and the base connected to the circuit board and the conductive sheet is arranged in the radiating base. The utility model has the advantages of good heat dissipation effect, high light transmission efficiency, high light extraction efficiency and high luminous intensity.

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度发光二极管
本技术涉及二极管领域，特别涉及一种高亮度发光二极管。
技术介绍
随着科技的迅速发展，发光二极管(LED)作为新一代照明光源，由于其具有体积小、寿命长、显色性好、节能高效和绿色环保的诸多优势，正在逐步取代传统光源。目前发光二极管在汽车内外灯光、显示器背光、室外景观照明，便携式系统闪光灯、投影仪光源、广告灯箱、电筒、交通灯等领域都有广泛应用。发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。随着发光二极管的逐步普及，其缺陷也日益引起人们的重视，其中最大的缺陷是发光亮度低，无法适应功率型LED的需求。产生这一现象主要有以下几方面原因，首先，发光二极管工作过程中产生大量的热量，造成二极管内部温度升高，影响二极管芯片的发光强度，同时导致环氧树脂封装材料变黄、脆裂，影响透光效率，造成发光亮度较低。其次，由于制备发光二极管的半导体材料与空气的折射率差值大，导致光的出射角度小且界面反射率高，这样，有源区发出的光只有一部分被提取出来，其余的光则会被反射回半导体材料内部，经过多次反射后被吸收，从而造成光提取效率不高的问题，致使发光二极管的外量子效率低，进一步造成发光亮度低。第三，
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种散热效果好、透光效率高、光提取效率高、发光亮度高的高亮度发光二极管。本技术所采用的技术方案是：一种高亮度发光二极管，包括电路板、连接于电路板的发光芯片、设置于发光芯片上的电极、连接电极和电路板的金线、罩设于发光芯片外部的封装体，还包括设置于电路板背离发光芯片一侧的散热组件；所述发光芯片包括并联连接的第一发光片和第二发光片、设置于第一发光片和第二发光片之间的隔温板；所述电路板中央开设有一通孔，所述通孔内设有导热片，所述发光芯片一端安装于通孔内且位于导热片上方；所述散热组件包括连接于电路板和导热片的散热基座、安装于散热基座上的若干个散热鳍片。对上述技术方案的进一步改进为，所述封装体从内到外依次包括基材层、第一高折射率单体膜层、第一低折射率单体膜层、第二高折射率单体膜层、第二低折射率单体膜层。对上述技术方案的进一步改进为，所述第一高折射率单体膜层和第二高折射率单体膜层均为一氧化硅膜层，所述第一低折射率单体膜层和第二低折射率单体膜层均为氟化镁单体膜层。对上述技术方案的进一步改进为，所述散热组件还包括设置于散热鳍片长度方向的若干个散热翅片。对上述技术方案的进一步改进为，位于散热基座中间的散热鳍片的两侧均设有散热翅片，且两侧的散热翅片依次交错倾斜向外排列在散热鳍片两侧；位于散热基座两边的散热鳍片均一侧设有散热翅片。对上述技术方案的进一步改进为，所述散热翅片与散热鳍片呈锐角设置本技术的有益效果为：1、一方面，本技术的发光芯片包括两个并联连接的第一发光片和第二发光片，发光功率大，发光强度大，能显著提高本技术的发光亮度。第二方面，在第一发光片和第二发光片之间设有隔温板，通过隔温板防止第一发光片和第二发光片之间的热量传递而造成交叉影响，有利于降低第一发光片和第二发光片的温度，从而保持第一发光片和第二发光片的发光强度，进一步有利于提高本技术的发光亮度。第三方面，发光芯片通过导热片之间与散热组件连接，发光芯片工作过程中产生的热量直接通过导热片传导至散热组件，再经过散热组件辐射至外部，散热效率高，便于降低发光芯片的温度，防止发光芯片由于温度过高而造成发光效率低，进一步有利于提高本技术的发光亮度。第四方面，散热组件包括连接于电路板和导热片的散热基座、安装于散热基座上的若干个散热鳍片，通过散热鳍片增加散热面积，加快热量辐射，散热效率高，进一步有利于提高本技术的发光亮度。2、封装体从内到外依次包括基材层、第一高折射率单体膜层、第一低折射率单体膜层、第二高折射率单体膜层、第二低折射率单体膜层。设有多个增透膜层，形成复合增透膜，由于采用高折射率-低折射率-高折射率-低折射率交替的形式，能对宽波带和窄波带的光源都具有很明显的消反射作用，减少光的发射，提高光的透射率，防止发光芯片发出的光经封装体后部分反射回来，进一步有利于提高本技术的发光亮度。3、第一高折射率单体膜层和第二高折射率单体膜层均为一氧化硅膜层，所述第一低折射率单体膜层和第二低折射率单体膜层均为氟化镁单体膜层。一氧化硅膜层相较于环氧树脂，其耐热性能好，能防止封装体由于内部温度升高而变黄、脆裂，保证良好的透光率，进一步有利于提高本技术的发光亮度。同时，一氧化硅的折射率高，氟化镁的折射率低，通过这两种组合，更好的起到消反射作用，降低反射率，提高光的透过率，进一步有利于提高本技术的发光亮度。4、散热组件还包括设置于散热鳍片长度方向的若干个散热翅片，散热翅片的设置，增加了散热组件的表面积，提高了散热效率，防止发光二极管内部温度过高，进一步有利于提高本技术的发光亮度。5、位于散热基座中间的散热鳍片的两侧均设有散热翅片，且两侧的散热翅片依次交错倾斜向外排列在散热鳍片两侧，相邻散热翅片之间有一定的间隙；位于散热基座两边的散热鳍片均一侧设有散热翅片。散热翅片交错倾斜向外排列在散热鳍片两侧，便于空气横向流动，横向流动的空气与纵向和垂直方向空气的相遇增加层流流动的流动性与紊乱性，从而干扰与破坏层流流动，提高换热系数，从而提高散热效率，进一步有利于提高本技术的发光亮度。6、散热翅片与散热鳍片呈锐角设置，更便于增加空气的横向流动，从而提高换热系数，提高散热效率，进一步有利于提高本技术的发光亮度。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的发光芯片的结构示意图；图3为本技术的封装体的结构示意图；图4为本技术的散热组件的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本技术作进一步的说明。如图1所示，为本技术的结构示意图。一种高亮度发光二极管100，包括电路板110、连接于电路板110的发光芯片120、设置于发光芯片120上的电极130、连接电极130和电路板110的金线140、罩设于发光芯片120外部的封装体150，还包括设置于电路板110背离发光芯片120一侧的散热组件160。如图2所示，为本技术的发光芯片的结构示意图。发光芯片120包括并联连接的第一发光片121和第二发光片122、设置于第一发光片121和第二发光片122之间的隔温板123。电路板110中央开设有一通孔111，所述通孔111内设有导热片112，所述发光芯片120一端安装于通孔111内且位于导热片112上方。如图3所示，为本技术的封装体的结构示意图。封装体150从内到外依次包括基材层151、第一高折射率单体膜层152、第一低折射率单体膜层153、第二高折射率单体膜层154、第二低折射率单体膜层155。设有多个增透膜层，形成复合增透膜，由于采用高折射率-低折射率-高折射率-低折射率交替的形式，能对宽波带和窄波带的光源都具有很明显的消反射作用，减少光的发射，提高光的透射率，防止发光芯片120发出的光经封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度发光二极管，其特征在于：包括电路板、连接于电路板的发光芯片、设置于发光芯片上的电极、连接电极和电路板的金线、罩设于发光芯片外部的封装体，还包括设置于电路板背离发光芯片一侧的散热组件；所述发光芯片包括并联连接的第一发光片和第二发光片、设置于第一发光片和第二发光片之间的隔温板；所述电路板中央开设有一通孔，所述通孔内设有导热片，所述发光芯片一端安装于通孔内且位于导热片上方；所述散热组件包括连接于电路板和导热片的散热基座、安装于散热基座上的若干个散热鳍片。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度发光二极管，其特征在于：包括电路板、连接于电路板的发光芯片、设置于发光芯片上的电极、连接电极和电路板的金线、罩设于发光芯片外部的封装体，还包括设置于电路板背离发光芯片一侧的散热组件；所述发光芯片包括并联连接的第一发光片和第二发光片、设置于第一发光片和第二发光片之间的隔温板；所述电路板中央开设有一通孔，所述通孔内设有导热片，所述发光芯片一端安装于通孔内且位于导热片上方；所述散热组件包括连接于电路板和导热片的散热基座、安装于散热基座上的若干个散热鳍片。2.根据权利要求1所述的一种高亮度发光二极管，其特征在于：所述封装体从内到外依次包括基材层、第一高折射率单体膜层、第一低折射率单体膜层、第二高折射率单体膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王焕东，陈红英，王威，王焕忠，李娟，王鸿宇，王海宇，
申请(专利权)人：东莞市慧芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44