The present invention provides a switching circuit that switches the first IGBT and the second IGBT. The control circuit has a first switching element, the second and third switching elements, wherein the first switch element is configured to control the gate current of the first IGBT, the second switching element is configured to control the gate current of second IGBT, the third switching element is connected between the electrodes the first electrode and the second IGBT IGBT. Greater when the current flowing through the IGBT control, the first circuit control program implementation of the first IGBT and the second IGBT both turned on and off, when the current is second hours, control program control circuit in advance before the off timing of the second object IGBT disconnect. When the gate current is simultaneously circulated between the first IGBT and the second IGBT, the first switching element is connected to the second switching element in the state of conduction of the third switching element.
【技术实现步骤摘要】
开关电路
本专利技术涉及一种开关电路。
技术介绍
日本特开2004-112916中公开了利用多个IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极性晶体管)的开关电路。通过IGBT能够对大电流进行开关。
技术实现思路
在利用IGBT的开关电路中,在IGBT中产生的关断损耗成为问题。一直以来,已知通过减小栅极电阻从而使IGBT的开关速度变快的情况,并且已知当加快开关速度(即,减小栅极电阻)时会使关断损耗变小的情况。然而,专利技术人确认了如下内容,即,当流通于IGBT中的电流较小的情况下,上述的开关速度与关断损耗之间的关系是不成立的。即,确认了通过减小栅极电阻,在低电流时是难以减少IGBT的关断损耗的。因此,在本说明书中,提供一种减少低电流时的IGBT的关断损耗的新技术。专利技术人确认了如下内容,即,在流过IGBT的电流较小的情况下,存在IGBT的尺寸越小则关断损耗越小的关系,与此相对,当流过IGBT的电流变大时,IGBT的尺寸与关断损耗之间不存在关系。本专利技术利用该现象来减少IGBT的关断损耗。本专利技术的第一方式为一种开关电路,包括:第一IGBT;第二IGBT;配线,其插入有所述第一IGBT与所述第二IGBT的并联电路;以及控制电路,其被构成为通过对所述第一IGBT和所述第二IGBT的栅极电流进行控制从而使所述第一IGBT和所述第二IGBT进行开关,其中,所述控制电路包括:第一开关元件,其具备第一主电极和第二主电极,并且对所述第一主电极与所述第二主电极之间的电流进行控制,所述第一主电极与基准电位连接,所述第一开关元件被构成为根 ...
【技术保护点】
一种开关电路,包括:第一绝缘栅双极性晶体管(18);第二绝缘栅双极性晶体管(20);配线(13),其插入有所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管的并联电路;以及控制电路(40),其被构成为通过对所述第一绝缘栅双极性晶体管和所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制从而使所述第一绝缘栅双极性晶体管和所述第二绝缘栅双极性晶体管进行开关,其中,所述控制电路包括:第一开关元件(51),其具备第一主电极和第二主电极,并且对所述第一主电极与所述第二主电极之间的电流进行控制,所述第一主电极与基准电位连接,所述第一开关元件被构成为根据所述第二主电极的电位而对所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制;第二开关元件(52),其具备第三主电极和第四主电极,并且对所述第三主电极与所述第四主电极之间的电流进行控制,所述第三主电极与基准电位连接,所述第二开关元件被构成为能够根据所述第四主电极的电位而对所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制;以及第三开关元件(53、54),其被连接在所述第二主电极与所述第四主电极之间,所述控制电路被构成为,当流过所述配线的电流大于阈值时,在接通定时使所述 ...
【技术特征摘要】
2015.11.20 JP 2015-2278601.一种开关电路,包括:第一绝缘栅双极性晶体管(18);第二绝缘栅双极性晶体管(20);配线(13),其插入有所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管的并联电路;以及控制电路(40),其被构成为通过对所述第一绝缘栅双极性晶体管和所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制从而使所述第一绝缘栅双极性晶体管和所述第二绝缘栅双极性晶体管进行开关,其中,所述控制电路包括:第一开关元件(51),其具备第一主电极和第二主电极,并且对所述第一主电极与所述第二主电极之间的电流进行控制,所述第一主电极与基准电位连接,所述第一开关元件被构成为根据所述第二主电极的电位而对所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制;第二开关元件(52),其具备第三主电极和第四主电极,并且对所述第三主电极与所述第四主电极之间的电流进行控制,所述第三主电极与基准电位连接,所述第二开关元件被构成为能够根据所述第四主电极的电位而对所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极电流进行控制;以及第三开关元件(53、54),其被连接在所述第二主电极与所述第四主电极之间,所述控制电路被构成为,当流过所述配线的电流大于阈值时,在接通定时使所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管双方导通,在关断定时使所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管双方断开,当流过所述配线的电流小于所述阈值时,在所述接通定时使作为所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管中的一方的第一对象绝缘栅双极性晶体管导通,在所述关断定时使所述第一对象绝缘栅双极性晶体管断开,并在所述关断定时之前使作为所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管中的另一方的第二对象绝缘栅双极性晶体管断开,在使栅极电流同时流通于所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管中时,在所述第三开关元件导通的状态下使所述第一开关元件与所述第二开关元件导通,并且在使栅极电流流通于所述第一对象绝缘栅双极性晶体管中且不使栅极电流流通于所述第二对象绝缘栅双极性晶体管中时,在所述第三开关元件断开的状态下使所述第一开关元件与所述第二开关元件中的对所述第一对象绝缘栅双极性晶体管进行控制的开关元件导通。2.如权利要求1所述的开关电路,其中,所述控制电路被构成为,对所述第一绝缘栅双极性晶体管与所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极进行充电,在对所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极电位进行检测的同时对所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极进行充电,并且在对所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极电位进行检测的同时对所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极进行充电。3.如权利要求1或2所述的开关电路,其中,所述开关电路还具有:第一双极性晶体管(112),其具备与所述第二主电极连接的基极、与所述基准电...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗炯竣,利行健,安保正治,
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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