OLED显示基板及其制造方法、显示装置及其封装方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED显示基板的制造方法，包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料的分子式上具有偶氮苯基团，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在‑6eV至‑4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在‑3eV至‑2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层，所述最终固态缓冲层；形成发光功能层。本发明专利技术还提供一种OLED显示基板、一种显示装置的封装方法和一种显示装置。所述显示装置具有较高的良率。

OLED display substrate, manufacturing method thereof, display device and packaging method thereof

The present invention provides a method for manufacturing a substrate OLED display, comprising: providing a substrate; forming a first electrode layer; forming initial solid buffer layer on the first electrode layer, with azobenzene molecular formula of the initial solid buffer layer material, and the initial solid state buffer layer between the HOMO level of 6eV to 4.5eV, the initial solid buffer layer between the LUMO level 3eV to 2eV by ultraviolet radiation; the initial solid buffer layer, so that the initial buffer layer for liquid solid liquid buffer layer; using visible light to the liquid buffer layer, so that the liquid buffer layer for the final curing solid buffer layer, the final solid buffer layer; forming a light emitting layer. The invention also provides a OLED display base board, a packaging method of display device and a display device. The display device has a high yield.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制造方法、显示装置及其封装方法
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种OLED显示基板的制造方法、一种OLED显示基板、一种显示装置的封装方法、利用该封装方法获得的显示装置和一种包括所述OLED显示基板的显示装置。
技术介绍
OLED显示装置具有响应速度快、轻薄等优点，越来越受到使用者的欢迎。OLED显示装置包括多个发光元件，发光元件的各层均为固态，在制造时，容易产生应力或者不平整等缺陷，因此，所述显示装置可能会因此产生显示不良。因此，如何降低OLED显示装置的显示不良成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示基板的制造方法、一种OLED显示基板、一种显示装置的封装方法、利用该封装方法获得的显示装置和一种包括所述OLED显示基板的显示装置。所述制造方法制得的OLED显示基板具有较高的良率，且所述封装方法获得的显示装置具有较高的良率。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在-3eV至-2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层，所述最终固态缓冲层；形成发光功能层；形成第二电极层。优选地，形成所述初始固态缓冲层的材料包括具有以下分子式的组份：优选地，所述可见光的波长为530nm至550nm。优选地，所述紫外光的波长为360nm至400nm。作为本专利技术的第二个方面，提供一种显示装置的封装方法，其中，所述显示装置的封装方法包括：提供OLED显示基板；形成至少一层最终固态有机封装层；在最后一层所述最终固态有机封装层上设置封装盖板，其中，形成所述最终固态有机封装层的步骤包括：形成初始固态有机封装层，所述初始固态有机封装层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份；利用紫外线照射所述初始固态有机封装层，以使得所述初始固态有机封装层液化为液态封装层；利用可见光照射所述液态封装层，以获得最终固态有机封装层。优选地，形成所述初始固态有机封装层的材料包括具有以下分子式的组份：优选地，提供OLED显示基板的步骤包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在-3eV至-2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层；形成发光功能层；形成第二电极层。优选地，所述封装方法还包括在提供OLED显示基板的步骤和形成至少一层最终固态有机封装层的步骤之间进行的：在所述OLED显示基板上形成无机封装层。优选地，所述可见光的波长为530nm至550nm。优选地，所述紫外光的波长为360nm至400nm。作为本专利技术的第三个方面，提供一种OLED显示基板，所述OLED显示基板包括衬底基板、第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层设置在所述衬底基板上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上，且所述发光功能层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，其中，所述OLED显示基板还包括设置在所述发光功能层和所述第一电极层之间的最终固态缓冲层，所述最终固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述最终固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在-3eV至-2eV之间。优选地，所述最终固态缓冲层的材料包括具有以下分子式的组份：作为本专利技术的第四个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括OLED显示基板和封装盖板，其特征在于，所述OLED显示基板为本专利技术所提供的上述OLED显示基板。优选地，所述显示装置还包括无机封装层、封装盖板和至少一层最终固态有机封装层，所述无机封装层设置在所述OLED显示基板上，所有所述最终固态有机封装层均设置在所述无机封装层和所述封装盖板之间，制成所述最终固态有机封装层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份。作为本专利技术的第五个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括OLED显示基板和封装盖板，其中，所述显示装置还包括至少一层最终固态有机封装层，所有所述最终固态有机封装层设置在所述OLED显示基板和所述封装盖板之间，制成所述最终固态有机封装层的材料的分子式上具有偶氮苯基团。优选地，所述显示装置还包括设置在所述最终固态有机封装层和所述OLED显示基板之间的无机封装层。在本专利技术所提供的OLED显示基板的制造方法中，由于所述初始固态缓冲层的材料的分子式上具有偶氮苯基团，而偶氮苯基团具有热力学稳定的反式和亚稳定的顺式两种异构体。在紫外光的照射下，偶氮苯基团发生从顺式转变为反式的状态。即，由液态转换为固态。液态缓冲层在第一电极材料层的表面流动，可以包覆第一电极材料层表面的凸起、颗粒等，并填充第一电极材料层表面的裂缝、凹坑等结构。相当于对第一电极材料层进行了平坦化处理。利用可见光照射所述液态缓冲层，在特定波长的可见光照射下，热力学亚稳定的顺式结构又能够转变为反式结构，从而形成所述最终固态缓冲层。图形化处理后，可以获得所述第一电极层。每个第一电极都包括由所述第一电极材料层制成的部分以及由所述最终固态缓冲层制成的部分。由于第一电极材料层经过平坦化处理，因此，后续形成的发光功能层形成在平坦表面上，不容易出现云纹(mura)缺陷、短路等缺陷，从而提高了显示装置的良率。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术所提供的OLED显示基板的制造方法的流程图；图2是本专利技术所提供的封装方法的流程图；图3是本专利技术所提供的OLED显示基板的示意图；图4是本专利技术所提供的显示装置的一种结构示意图；图5是本专利技术所提供的显示装置的另一种结构示意图。附图标记说明310、510：衬底基板320、520：第一电极层330：最终固态缓冲层340、530：发光功能层350、540：第二电极层360、550：无机封装层370、560：最终固态有机封装层380、570：封装盖板具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种OLED显示基板的制造方法，其中，如图1所示，所述制造方法包括：在步骤S110中，提供衬底基板；在步骤S120中，形成第一电极层；在步骤S130中，在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在‑6eV至‑4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在‑3eV至‑2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层，所述最终固态缓冲层；形成发光功能层；形成第二电极层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在-3eV至-2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层，所述最终固态缓冲层；形成发光功能层；形成第二电极层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述初始固态缓冲层的材料包括具有以下分子式的组份：3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述可见光的波长为530nm至550nm。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述紫外光的波长为360nm至400nm。5.一种显示装置的封装方法，其特征在于，所述显示装置的封装方法包括：提供OLED显示基板；形成至少一层最终固态有机封装层；在最后一层所述最终固态有机封装层上设置封装盖板，其中，形成所述最终固态有机封装层的步骤包括：形成初始固态有机封装层，所述初始固态有机封装层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份；利用紫外线照射所述初始固态有机封装层，以使得所述初始固态有机封装层液化为液态封装层；利用可见光照射所述液态封装层，以获得最终固态有机封装层。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，形成所述初始固态有机封装层的材料包括具有以下分子式的组份：7.根据权利要求5或6所述的封装方法，其特征在于，提供OLED显示基板的步骤包括：提供衬底基板；形成第一电极层；在第一电极层上形成初始固态缓冲层，所述初始固态缓冲层的材料包括分子式上具有偶氮苯基团的组份，且所述初始固态缓冲层的HOMO能级在-6eV至-4.5eV之间，所述初始固态缓冲层的LUMO能级在-3eV至-2eV之间；利用紫外线照射所述初始固态缓冲层，以使得所述初始固态缓冲层液化为液态缓冲层；利用可见光照射所述液态缓冲层，以使得所述液态缓冲层固化为最终固态缓冲层；形成发光功能层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：高昕伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11