发光装置与其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置，其包含半导体结构、第一电极、第二电极与延伸电极。半导体结构具有至少一侧壁。半导体结构包含发光层、第一半导体层与第二半导体层。发光层置于第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极电性连接半导体结构的第一半导体层。第一半导体层置于发光层与第一电极之间。第二电极电性连接半导体结构的第二半导体层。第二半导体层置于发光层与第二电极之间。延伸电极置于半导体结构的侧壁，且与第二电极电性连接。

Light emitting device and manufacturing method thereof

The invention discloses a light emitting device, which comprises a semiconductor structure, a first electrode, a second electrode and an extended electrode. The semiconductor structure has at least one side wall. The semiconductor structure comprises a light-emitting layer, a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. The light emitting layer is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The first electrode electrically connects the first semiconductor layer of the semiconductor structure. The first semiconductor layer is positioned between the light-emitting layer and the first electrode. A second semiconductor layer electrically connected to a semiconductor structure by a second electrode. The second semiconductor layer is positioned between the light-emitting layer and the second electrode. The extending electrode is arranged on the side wall of the semiconductor structure and is electrically connected with the second electrode.

【技术实现步骤摘要】
发光装置与其制作方法
本专利技术是有关于一种发光装置。
技术介绍
近年来，随着科技的进步与半导体产业的日益发达，电子产品例如个人数位助理(personaldigitalassistant,PDA)、行动电话(mobilephone)、智能手机(smartphone)与笔记本电脑(notebook,NB)等产品的使用越来越普遍，并朝着便利、多功能且美观的设计方向进行发展，以提供使用者更多的选择。当使用者对电子产品的需求日渐提升，在电子产品中扮演重要角色的显示屏幕/面板(displayscreen/panel)亦成为设计者关注的焦点。然而，除了让显示面板具有高亮度与低耗电等优点之外，解决显示面板中发光装置的良率与可靠度等方面的表现不够理想的缺点是现今显示面板设计欲解决的方向。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置，包含半导体结构、第一电极、第二电极与延伸电极。半导体结构具有至少一侧壁。半导体结构包含发光层、第一半导体层与第二半导体层。发光层置于第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极电性连接半导体结构的第一半导体层。第一半导体层置于发光层与第一电极之间。第二电极电性连接半导体结构的第二半导体层。第二半导体层置于发光层与第二电极之间。延伸电极置于半导体结构的侧壁，且与第二电极电性连接。在一或多个实施例中，半导体结构还具有相对的顶面与底面。半导体结构的底面与至少一侧壁之间形成一夹角，该夹角为锐角。在一或多个实施例中，半导体结构的底面的面积大于半导体结构的顶面的面积。在一或多个实施例中，第二电极突出于第二半导体层。在一或多个实施例中，半导体结构之侧壁具有至少一阶梯。在一或多个实施例中，发光装置还包含第一绝缘层，至少置于半导体结构与延伸电极之间。在一或多个实施例中，第一绝缘层的高度低于半导体结构的高度。在一或多个实施例中，半导体结构还具有顶面，绝缘层覆盖部分的顶面且毗邻第一电极。在一或多个实施例中，发光装置还包含基板与粘合层。第二电极置于基板与半导体结构之间。粘合层置于基板与第二电极之间。在一或多个实施例中，粘合层的电阻率大于108欧姆·公分。在一或多个实施例中，发光装置还包含主动元件、第一导电层与第二导电层。主动元件置于基板与粘合层之间。第一导电层置于主动元件与粘合层之间。第一导电层电性连接主动元件与半导体结构。第二导电层置于主动元件与粘合层之间，第二导电层与第一导电层相隔一间隙。第二导电层电性连接半导体结构。在一或多个实施例中，半导体结构置于第一导电层上。在一或多个实施例中，发光装置还包含第一连接层、第二绝缘层与第二连接层。第一连接层电性连接延伸电极与第二导电层。第二绝缘层覆盖部分的延伸电极与半导体结构的侧壁。第二连接层置于第二绝缘层上，且电性连接第一电极与第一导电层。在一或多个实施例中，发光装置还包含第一连接层、第二绝缘层与第二连接层。第一连接层电性连接延伸电极与第一导电层。第二绝缘层覆盖部分的延伸电极与半导体结构的侧壁。第二连接层置于第二绝缘层上，且电性连接第一电极与第二导电层。在一或多个实施例中，部分的第一连接层更置于第二绝缘层与延伸电极之间。本专利技术公开一种发光装置的制作方法，包含形成半导体结构于第一基板上。形成第一电极于半导体结构上。形成延伸电极于半导体结构的至少一侧壁上。延伸电极与第一电极彼此分离。固定第一电极于第二基板上，使得半导体结构、延伸电极与第一电极设置于第一基板与第二基板之间。分离第一基板与半导体结构。形成第二电极于半导体结构的一底面上，使得第二电极电性连接延伸电极。在一或多个实施例中，上述的方法还包含固定第二电极于第三基板上。分离第一电极与第二基板。在一或多个实施例中，上述的制作方法还包含分离第二电极与第三基板，并将半导体结构、第一电极、第二电极与延伸电极通过粘合层固定于电路板。第二电极接触粘合层。电路板包含第一导电层与第二导电层。第一导电层与第二导电层彼此分离。形成第一连接层以覆盖至少部分的延伸电极并电性连接至第一导电层。形成绝缘层以覆盖部分的第一连接层。形成第二连接层于绝缘层上，并电性连接至第一电极与第二导电层。在上述实施例中，延伸电极置于半导体结构的侧壁上，且延伸电极与第二电极电性连接，因此外部电路可连接至延伸电极上，由此提供电流至半导体结构，如此的设置可增加第二电极与外部电部的电性连接接触面积。另外，因上述实施例系以粘合层作为转置工艺的粘合媒介，因此当进行转置工艺时，可避免进行高温与高压工艺，由此改善转置工艺的良率。附图说明图1至图15是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置的制造流程剖面图。图16是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置的立体图。图17是沿图16的线段17-17的剖面图。图18为依照本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面图。图19为依照本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面图。图20为依照本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面图。图21至图27是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置的制造流程剖面图。第28图为图27的发光装置的俯视图。第29图为依照本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面图。【符号说明】10、10A、10B、10C、20、20A：发光装置110：半导体结构260、280：接合层111a：顶面270：第三基板111b：底面290：转移装置111s：侧壁300：电路板112：第一半导体层310：第四基板112’：第一半导体材料层320：第一导电层114：发光层330：第二导电层114’：发光材料层340：主动元件116：第二半导体层342：栅极116’：第二半导体材料层344：通道层118：阶梯346：源极120：第一绝缘层348：漏极122：接触开口352、354、356：介电层130、140、150：导电层402：贯穿孔134：第一电极410：粘合层140’：图案化导电层420：第一连接层144：延伸电极430：第二绝缘层154：第二电极440：第二连接层210：第一基板17-17、27-27：线段220、230、240：遮罩H1、H2、H3：高度222、412：开口θ：夹角250：第二基板具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。图1至图15是依照本专利技术的一实施例的一种发光装置10的制造流程剖面图。为了方便说明，本专利技术的各附图仅为示意以更容易了解本专利技术，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。请先参照图1。提供第一基板210。在一些实施例中，第一基板210可为导电基板、半导体基板或绝缘基板，本专利技术并不以此为限而亦可视需要使用其他种类的基板。依序形成第二半导体材料层116’、发光材料层114’与第一半导体材料层112’于第一基板210上。在本实施例中，第一半导体材料层112’为P型半导体层(例如P型氮化镓层，但不以此为限)，发光材料层114’为多重量子井发光层，而第二半导体材料层116’为N型半导体层(例如N型氮化镓层，但不以此为限)。或者，第一半导体材料层112’亦可为N型半导体层，而第二半导体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包含：一半导体结构，具有至少一侧壁，该半导体结构包含：一发光层；以及一第一半导体层与一第二半导体层，其中该发光层置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一第一电极，电性连接该半导体结构的该第一半导体层，该第一半导体层置于该发光层与该第一电极之间；一第二电极，电性连接该半导体结构的该第二半导体层，该第二半导体层置于该发光层与该第二电极之间；以及至少一延伸电极，置于该半导体结构的该至少一侧壁，且与该第二电极电性连接。

【技术特征摘要】
2016.11.03 TW 1051357551.一种发光装置，其特征在于，包含：一半导体结构，具有至少一侧壁，该半导体结构包含：一发光层；以及一第一半导体层与一第二半导体层，其中该发光层置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一第一电极，电性连接该半导体结构的该第一半导体层，该第一半导体层置于该发光层与该第一电极之间；一第二电极，电性连接该半导体结构的该第二半导体层，该第二半导体层置于该发光层与该第二电极之间；以及至少一延伸电极，置于该半导体结构的该至少一侧壁，且与该第二电极电性连接。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该半导体结构还具有相对的一顶面与一底面，该半导体结构的该底面与该至少一侧面之间形成一夹角，该夹角为锐角。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该半导体结构的该底面的面积大于该半导体结构的该顶面的面积。4.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二电极突出于该第二半导体层。5.如权利要求1所述的发光装置，其中该半导体结构之该至少一侧壁具有至少一阶梯。6.如权利要求1所述的发光装置，还包含一第一绝缘层，至少置于该半导体结构与该延伸电极之间。7.如权利要求6所述的发光装置，其中该第一绝缘层的高度低于该半导体结构的高度。8.如权利要求6所述的发光装置，其中该半导体结构还具有一顶面，该绝缘层覆盖部分的该顶面且毗邻该第一电极。9.如权利要求1所述的发光装置，还包含：一基板，该第二电极置于该基板与该半导体结构之间；以及一粘合层，置于该基板与该第二电极之间。10.如权利要求9所述的发光装置，其中该粘合层的电阻率大于108欧姆·公分。11.如权利要求9所述的发光装置，还包含：一主动元件，置于该基板与该粘合层之间；一第一导电层，置于该主动元件与该粘合层之间，该第一导电层电性连接该主动元件与该半导体结构；以及一第二导电层，置于该主动元件与该粘合层之间，该第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗典，何金原，林宗毅，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71