存储器芯片的检测方法、检测装置和检测系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种存储器芯片的检测方法、检测装置和检测系统，该检测方法包括：当存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程；如果检测到存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定存储器芯片为良品。本发明专利技术中存储器芯片与检测装置一一对应设置，量产的存储器芯片可通过各自对应的检测装置自行进行失效检测，因此检测并行度高、适用于大规模量产的存储器芯片的检测，存储器芯片在使能信号的控制下自动进行早期失效测试流程且不需要指令控制，因此检测耗时短，以及存储器芯片仅需要探针卡供电且不需要探针卡的指令控制信号，因此节省了探针卡的成本。

Memory chip detection method, detection device and detection system

The embodiment of the invention discloses a detection method and a memory chip detection device and detection system, the detecting method comprises: when a memory chip power on initialization after receiving the enable signal according to the control chip automatic early failure testing process; if the number of detected memory chip automatic early failure test process. Reaches a preset number of tests, then determine the memory chip is a good product. The memory chip and detecting device of the invention in the corresponding settings, memory chip production can be carried out automatically by detecting the failure detection device respectively, so the detection of detection of high parallelism, suitable for mass production of memory chips, memory chip automatic early failure testing process and does not need the instruction control in the control signal of the therefore, detection of short time, and the memory chip requires only the probe card and does not need the power of probe card instruction control signal, thus saving the cost of probe card.

【技术实现步骤摘要】
存储器芯片的检测方法、检测装置和检测系统
本专利技术实施例涉及存储器技术，尤其涉及存储器芯片的检测方法、检测装置和检测系统。
技术介绍
存储器芯片的制造工艺复杂、工序繁多，在制造过程中可能导致存储器芯片产生缺陷，且存储器芯片的缺陷种类多样。部分有缺陷的存储器芯片在初始使用时其性能正常，但经过一段时间的使用后，其缺陷往往会被激发，导致存储器失效。该类存储器芯片在出厂检测时为良品、无法被筛除，在投入市场经过客户一段时间的使用，存储器会发生早期失效的状况，对客户造成影响。为了解决存储器早期失效的问题，现有技术中通常在出厂前通过探针卡对存储器芯片进行运行检测。其中，探针卡可对晶圆上的存储器芯片进行运行检测。具体过程为：探针卡的探针分别与存储器芯片的引脚一一对应连接，以通过接口发相应的指令向存储器芯片施加激励进行运行检测。该检测方法耗时短，但若同时检测多个存储器芯片时，则探针卡需设置很多根探针与每一个存储器芯片的引脚一一对应连接，造成探针卡成本高，相应使得检测成本高。现有技术中，还可对封装后的存储器芯片进行运行检测，存储器芯片封装后形成封装片，其面积较大使得PCB上无法放置多个封装片，因此测试时仅能同时对少量封装片进行同时检测。该检测方法的缺陷在于，检测并行度较差、耗时长，无法对大规模量产的芯片进行检测。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种存储器芯片的检测方法、检测装置和检测系统，以解决现有技术中检测成本高、并行度差、耗时长的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种存储器芯片的检测方法，包括：当所述存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程；如果检测到所述存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片为良品。进一步地，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程之前，还包括：通过探针卡的电源探针和接地探针分别向所述存储器芯片的电源引脚和接地引脚施加激励，以对所述存储器芯片进行上电初始化。进一步地，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程包括：当所述存储器芯片上电初始化后，从寄存器获取所述使能信号；当检测到所述使能信号为高电平时，控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程。进一步地，还包括：如果检测到所述存储器芯片停止早期失效测试流程且其进行的早期失效测试流程的次数未达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片早期失效。进一步地，所述存储器芯片的一次早期失效测试流程包括：依次对所述存储器芯片进行编程操作和擦除操作。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种存储器芯片的检测装置，包括：使能控制模块，用于当所述存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程；良品芯片判断模块，用于如果检测到所述存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片为良品。进一步地，还包括：探针上电模块，用于在根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程之前，通过探针卡的电源探针和接地探针分别向所述存储器芯片的电源引脚和接地引脚施加激励，以对所述存储器芯片进行上电初始化。进一步地，所述使能控制模块包括：信号获取单元，用于当所述存储器芯片上电初始化后，从寄存器获取所述使能信号；使能控制单元，用于当检测到所述使能信号为高电平时，控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程。进一步地，还包括：失效芯片判断模块，用于如果检测到所述存储器芯片停止早期失效测试流程且其进行的早期失效测试流程的次数未达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片早期失效。进一步地，所述存储器芯片的一次早期失效测试流程包括：依次对所述存储器芯片进行编程操作和擦除操作。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种存储器芯片的检测系统，包括：探针卡和存储器，其中所述存储器中配置有寄存器、存储器芯片、以及如第二方面所述的存储器芯片检测装置。本专利技术实施例中，检测装置通过使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程，并在计数到自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数时，判定存储器芯片为良品。与现有技术相比，存储器芯片与检测装置一一对应设置，量产的存储器芯片可通过各自对应的检测装置自行进行失效测试，因此检测并行度高、适用于大规模量产的存储器芯片的检测；存储器芯片在使能信号的控制下自动进行早期失效测试流程且不需要指令控制，因此检测耗时短；以及，存储器芯片仅需要探针卡供电且不需要探针卡的指令控制信号，因此节省了探针卡的成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的存储器芯片的检测方法的流程图；图2是本专利技术实施例二提供的存储器芯片的检测方法的流程图；图3是本专利技术实施例三提供的存储器芯片的检测装置的示意图；图4是本专利技术实施例四提供的存储器芯片的检测系统的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本专利技术实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本专利技术的技术方案，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例一提供的存储器芯片的检测方法的流程图。本实施例的技术方案适用于出厂前检测存储器芯片以防止其早期失效的情况，该方法可以由存储器芯片检测装置来执行，并配置在存储器中应用。本实施例提供的一种存储器芯片的检测方法，具体包括如下步骤：S110、当存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程。如上所述，检测装置获取使能信号，并通过该使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程，即存储器芯片在使能信号的控制下自动执行早期失效测试流程，则存储器芯片执行完一次早期失效测试流程后会自动再次执行早期失效测试流程。在此该使能信号分为有效的使能信号和无效的使能信号，有效的使能信号可控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程，无效的工作信号控制存储器芯片停止早期失效测试流程。本领域技术人员可以理解，当存储器芯片进行出厂检测时，可根据有效的使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程，则存储器芯片自动执行多次早期失效测试流程以检测是否会出现早期失效；当对存储器芯片检测完成后可设置使能信号无效，则控制存储器芯片停止自动早期失效测试流程，那么当客户应用存储器时，存储器芯片不会自动进行早期失效测试流程。上述操作中，在存储器芯片上电初始化后，有效的使能信号控制存储器芯片自动进行早期失效测试流程，与现有技术相比，存储器芯片不需要根据接口接收的指令执行相应操作，而是仅需要上电初始化后，即在使能信号的控制下自动执行多次早期失效测试流程。S120、如果检测到存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定存储器芯片为良品。如上所述，存储器芯片在使能信号的控制下自动执行早期失效测试流程后，检测装置计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器芯片的检测方法，其特征在于，包括：当所述存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程；如果检测到所述存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片为良品。

【技术特征摘要】
1.一种存储器芯片的检测方法，其特征在于，包括：当所述存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程；如果检测到所述存储器芯片自动进行的早期失效测试流程的次数达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片为良品。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程之前，还包括：通过探针卡的电源探针和接地探针分别向所述存储器芯片的电源引脚和接地引脚施加激励，以对所述存储器芯片进行上电初始化。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，根据接收的使能信号控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程包括：当所述存储器芯片上电初始化后，从寄存器获取所述使能信号；当检测到所述使能信号为高电平时，控制所述存储器芯片自动进行早期失效测试流程。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，还包括：如果检测到所述存储器芯片停止早期失效测试流程且其进行的早期失效测试流程的次数未达到预设测试次数，则判定所述存储器芯片早期失效。5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述存储器芯片的一次早期失效测试流程包括：依次对所述存储器芯片进行编程操作和擦除操作。6.一种存储器芯片的检测装置，其特征在于，包括：使能控制模块，用于当所述存储器芯片上电初始化后，根据接收的使能信号控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，卜尔龙，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11