一种PECVD镀膜承载器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PECVD镀膜承载器；其包括用于承载硅片的载框，载框设置有用于遮盖硅片的背电极的掩膜条，掩膜条的两端分别固定在载框的两侧，掩膜条为镂空结构，掩膜条在与背电极相对应的位置设置为实心部，掩膜条在其他位置设置为空心部；本实用新型专利技术的PECVD镀膜承载器，通过设置掩膜条，保证其他区域正常镀膜而背电极不被镀膜，使得银浆与硅片有良好的接触，提升了开压和效率。

A PECVD coating carrier

The utility model discloses a PECVD coating carrier; the carrier for carrying the box includes a silicon wafer, loading frame arranged for back electrode covering silicon mask, the mask ends are respectively fixed on both sides of the loading frame, the mask is a hollow structure, a mask is set to a solid part in corresponding with the back electrode position, the mask is set to a hollow part in other positions; the utility model of PECVD coating carrier, by setting the mask, ensure that other regions of the normal coating and the back electrode is coated with silicon, the silver paste has good contact, enhance the pressure and efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD镀膜承载器
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种PECVD镀膜承载器。
技术介绍
PECVD是太阳能电池片等离子体化学沉积镀膜工艺的简称，在太阳能电池的生产过程中，对硅片镀膜是提高太阳能电池吸收效率的关键技术，根据硅片的光电转换发电原理，光线照射到硅片上会产生反射，硅片的光学损失会使太阳能电池的输出低于理想值，硅片镀膜技术是提高太阳能电池吸收效率的成熟技术，已在太阳能电池工业化生产中得到广泛应用，通过PECVD能在硅片表面形成一层减反射膜。现有技术中，PECVD镀膜时，将待镀膜的硅片平放在硅片承载器上，并由四个托钩水平托起，其镀膜是在硅片的正面镀膜，若要进一步提升电池效率，可以减少电池片的透过光，增强钝化效果，需要在背面镀膜，背电极位置镀膜后会存在接触不良，即使激光打孔仍会有空洞，导致开压和效率较低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PECVD镀膜承载器，其可保证背电极不被镀膜，使得银浆与硅片有良好的接触，提升了开压和效率。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种PECVD镀膜承载器，包括用于承载硅片的载框，载框设置有用于遮盖硅片的背电极的掩膜条，掩膜条的两端分别固定在载框的两侧，掩膜条为镂空结构，掩膜条在与背电极相对应的位置设置为实心部，掩膜条在其他位置设置为空心部。其中，掩膜条通过螺钉与载框固定连接，载框设置有与螺钉相配合的安装孔。其中，安装孔为腰型孔。其中，掩膜条为石墨条。其中，硅片设置有多条分段式的背电极，每条背电极均对应设置有一个掩膜条，与一个硅片相对应的多个掩膜条通过固定件与载框固定连接。其中，固定件、掩膜条和载框一起通过螺钉固定连接。其中，固定件为石墨片。其中，载框的两侧均设置有用于承载硅片的挂钩。本技术的有益效果：一种PECVD镀膜承载器，包括用于承载硅片的载框，载框设置有用于遮盖硅片的背电极的掩膜条，掩膜条的两端分别固定在载框的两侧，掩膜条为镂空结构，掩膜条在与背电极相对应的位置设置为实心部，掩膜条在其他位置设置为空心部。本技术的PECVD镀膜承载器，通过设置掩膜条，保证其他区域正常镀膜而背电极不被镀膜，使得银浆与硅片有良好的接触，提升了开压和效率。附图说明图1是本技术的硅片的结构示意图。图2是本技术的硅片与掩膜条镀膜前的结构示意图。图3是本技术的硅片与掩膜条镀膜后的结构示意图。图4是本技术的载框上的一个硅片单元的结构示意图。图5是本技术的PECVD镀膜承载器的结构示意图(5×10载框)。附图标记如下：1-载框；2-掩膜条；21-实心部；22-空心部；3-固定件；10-硅片；101-背电极。具体实施方式下面结合图1至图5并通过具体实施例来进一步说明本技术的技术方案。如图1至图5所示，一种PECVD镀膜承载器，包括用于承载硅片10的载框1，载框1设置有用于遮盖硅片10的背电极101的掩膜条2，掩膜条2的两端分别固定在载框1的两侧，掩膜条2为镂空结构，掩膜条2在与背电极101相对应的位置设置为实心部21，掩膜条2在其他位置设置为空心部22。本技术的PECVD镀膜承载器，通过设置掩膜条2，保证其他区域正常镀膜而背电极101不被镀膜，使得银浆与硅片10有良好的接触，提升了开压和效率。本实施例中，掩膜条2通过螺钉与载框1固定连接，载框1设置有与螺钉相配合的安装孔(未图示)。优选地，安装孔为腰型孔，掩膜条2为石墨条。安装孔为腰型孔，使得掩膜条2可根据背电极101的位置，来相对载框1作相应调整。本实施例中，硅片10设置有多条分段式的背电极101，每条背电极101均对应设置有一个掩膜条2，与一个硅片10相对应的多个掩膜条2通过固定件3与载框1固定连接。优选地，固定件3、掩膜条2和载框1一起通过螺钉固定连接，固定件3为石墨片。本实施例中，载框1的两侧均设置有用于承载硅片10的挂钩(未图示)。本实施例中，如图5所示，载框1上承载有5×10个硅片10，即载框1上设置有5行10列的硅片10，载框1在相邻的两个硅片10之间设置有用于隔开相邻的两个硅片10的框架，每行硅片10的同一行的背电极101通过一个掩膜条2固定，掩膜条2的两端分别固定在载框1的两侧，且与框架固定连接。以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD镀膜承载器，包括用于承载硅片(10)的载框(1)，其特征在于，所述载框(1)设置有用于遮盖所述硅片(10)的背电极(101)的掩膜条(2)，所述掩膜条(2)的两端分别固定在所述载框(1)的两侧，所述掩膜条(2)为镂空结构，所述掩膜条(2)在与所述背电极(101)相对应的位置设置为实心部(21)，所述掩膜条(2)在其他位置设置为空心部(22)。

【技术特征摘要】
1.一种PECVD镀膜承载器，包括用于承载硅片(10)的载框(1)，其特征在于，所述载框(1)设置有用于遮盖所述硅片(10)的背电极(101)的掩膜条(2)，所述掩膜条(2)的两端分别固定在所述载框(1)的两侧，所述掩膜条(2)为镂空结构，所述掩膜条(2)在与所述背电极(101)相对应的位置设置为实心部(21)，所述掩膜条(2)在其他位置设置为空心部(22)。2.根据权利要求1所述的PECVD镀膜承载器，其特征在于，所述掩膜条(2)通过螺钉与所述载框(1)固定连接，所述载框(1)设置有与所述螺钉相配合的安装孔。3.根据权利要求2所述的PECVD镀膜承载器，其特征在于，所述安装孔为腰型孔。4.根据权利要求1所述的PECVD镀膜承...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈波涛，党继东，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32