阵列基板及其制造方法和有机发光显示器技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器，其中，所述阵列基板的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜；去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜，以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层；以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。在本发明专利技术提供的阵列基板及其制造方法和有机发光显示器中，通过在第二金属层周围增设第三绝缘层，有效降低因金属坡度角大而导致上层金属与下层金属之间短路的风险，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法和有机发光显示器
本专利技术涉及平板显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器。
技术介绍
近年来，随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用，人们对电子产品的依赖性与日俱增，更带来各种显示技术及显示装置的蓬勃发展。平板显示装置具有完全平面化、轻、薄、省电等特点，因此得到了广泛的应用。其中，有机发光显示器是一种利用有机发光二极管(英文全称OrganicLightingEmittingDiode，简称OLED)显示图像的平板显示装置，是一种主动发光的显示器，其显示方式与传统的薄膜晶体管液晶显示器(英文全称ThinFilmTransistorliquidcrystaldisplay，简称TFT-LCD)显示方式不同，无需背光灯，而且，具有对比度高、响应速度快、视角广、轻薄等诸多优点。因此，有机发光显示器被誉为可以取代薄膜晶体管液晶显示器的新一代的显示器。有机发光显示器的阵列基板通常包括薄膜晶体管阵列、有机发光器件以及连接所述薄膜晶体管阵列和有机发光器件的金属布线。为了满足市场对像素分辨率(PPI)的要求，制作金属布线时一般需要做3层甚至更多层金属，以降低同层金属短路的风险。然而，在实际的制造过程中发现，由于金属层的膜层往往较厚、金属坡度角较大，导致下层金属层上面的各个膜层在所述下层金属层的台阶处出现裂纹，暴露出所述下层金属层。因此，在形成上层金属层时，所述上层金属层与所述下层金属层之间容易短路，使得产品的良率降低。基此，如何解决现有的有机发光显示器由于金属布线的上下层金属之间容易短路，导致良率下降的问题，成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器，以解决现有的有机发光显示器由于金属布线的不同层金属之间容易短路，导致良率下降的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜；去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜，以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层；以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。可选的，在所述的阵列基板的制造方法中，所述第三绝缘层采用的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任意一种或其任意组合。可选的，在所述的阵列基板的制造方法中，在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层之前，还包括：在所述衬底上依次形成缓冲层和有源层。可选的，在所述的阵列基板的制造方法中，在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层之后，还包括：在所述第三金属层和第四绝缘层上形成平坦化层。可选的，在所述的阵列基板的制造方法中，在所述第三金属层和第四绝缘层上形成平坦化层之后，还包括：在所述平坦化层上形成阳极。可选的，在所述的阵列基板的制造方法中，在所述平坦化层上形成阳极之后，还包括：在所述阳极上形成隔离柱层。相应的，本专利技术还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底和依次形成于所述衬底上的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第四绝缘层和第三金属层；其中，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一金属层与第二金属层之间，所述第四绝缘层位于所述第二金属层与第三金属层之间。可选的，在所述的阵列基板中，所述第三绝缘层采用的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任意一种或其任意组合。可选的，在所述的阵列基板中，还包括：缓冲层和有源层；所述缓冲层设置于所述有源层与所述衬底之间。相应的，本专利技术还提供了一种有机发光显示器，所述有机发光显示器包括如上所述的阵列基板。在本专利技术提供的阵列基板及其制造方法和有机发光显示器中，通过在第二金属层周围增设第三绝缘层，有效降低因金属坡度角较大而导致上层金属与下层金属之间短路的风险，提高了产品良率。附图说明图1是本专利技术实施例一的阵列基板的制造方法的流程图；图2至图12是本专利技术实施例一的阵列基板的制造方法中各步骤的结构示意图；图13是本专利技术实施例二的阵列基板的结构示意图；图14是本专利技术实施例三的阵列基板的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种阵列基板及其制造方法和有机发光显示器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。【实施例一】请参考图1，其为本专利技术实施例一的阵列基板的制造方法的流程图。如图1所示，所述阵列基板的制造方法包括：步骤一：提供一衬底；步骤二：在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；步骤三：在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜；步骤四：去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜，以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层；步骤五：在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。下面结合图2～12对本专利技术的阵列基板的制作方法进行详细说明。首先，如图2所示，提供一衬底100，所述衬底100可以为透明硬质基板(例如透明玻璃基板)或透明柔性基板(例如透明塑料基板)。所述衬底的形状可为平面、曲面或其他不规则形状。应理解的是，所述衬底的材质以及形状在此不做限制。接着，如图3所示，在所述衬底100上形成缓冲层180。所述缓冲层180的材质为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，例如可以为二氧化硅(SiO2)。然后，如图4所示，在所述缓冲层180上形成有源层190。形成有源层的具体过程包括：采用化学气相沉积(CVD)工艺在所述衬底100上形成一非晶硅层(a-Si)；对所述非晶硅层采用准分子激光退火(ELA)、固相晶化(SPC)或金属诱导结晶(MIC)等工艺方法，将其转化成多晶硅层(P-Si)；再进行光刻工艺，图形化多晶硅层以形成开关晶体管和驱动晶体管的有源层。之后，如图5所示，在所述有源层190上形成第一绝缘层110，此处，所述第一绝缘层110作为栅极绝缘层。所述栅绝缘层采用的材料例如为氧化物、氮化物或氧氮化合物。此后，如图6所示，在所述第一绝缘层110上形成第一金属层120。可采用溅射或蒸发工艺在第一绝缘层110上形成第一金属层，并进行光刻工艺以图形化所述第一金属层。所述第一金属层例如是形成扫描线、存储电容的下极板、电源线、驱动晶体管的栅极以及开关晶体管的栅极。所述第一金属层可以采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金的单层膜，也可以采用由多层金属薄膜构成的复合薄膜。形成第一金属层120之后，如图7所示，在所述第一金属层120和第一绝缘层110上形成第二绝缘层130。所述第二绝缘层130作为电容绝缘层，所述电容绝缘层采用的材料例如为氧化物、氮化物或氧氮化合物。形成第二绝缘层130之后，如图8所示，在所述第二绝缘层130上形成第二金属层140。可采用溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜；去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜，以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层；以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；在所述第二金属层以及未被所述第二金属层覆盖的第二绝缘层上形成一绝缘膜；去除所述第二金属层的顶面以及部分侧壁上的绝缘膜，以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的两侧并覆盖所述第二绝缘层；以及在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第三绝缘层采用的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任意一种或其任意组合。3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述衬底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层之前，还包括：在所述衬底上依次形成缓冲层和有源层。4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二金属层和第三绝缘层上依次形成第四绝缘层和第三金属层之后，还包括：在所述第三金属层和第四绝缘层上形成平坦化层。5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈航，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32