【技术实现步骤摘要】
电源中的电流感测
本申请涉及开关电源,更具体地涉及电源中的电流感测。
技术介绍
常规的开关电源通常包括用于监视递送到相应负载的电流量的方式。可以出于任何数量的原因,比如遥测、负载线控制、电流消耗跟踪,来监视递送的电流量,以提高转换效率等。已经使用若干方法来测量由相应电源向负载递送的电流。例如,可以实现霍尔效应传感器来测量磁场并计算相应的电流。不幸的是,霍尔效应传感器是昂贵的,并且不能被集成到相应的半导体器件中。其他常规设计包括在电源的电流源路径中添加相应的电阻器。电压监视电路测量经过所添加的电阻器的电流,以识别多少电流被递送到相应的负载。这种方法是不希望的,因为添加的电阻器消耗了没有对负载供电的功率。另一种方法称为DCR(DC电阻)。该方法包括利用电流流过的相应电感器的电阻来计算递送到相应负载的电流量。这种方法是不希望的,因为它不能被集成在半导体器件中;它需要对相应的增益电路进行调整;它需要温度补偿等等。另外的方法包括电流镜像技术和测量电源中的相应同步场效应晶体管上的电压。这两种方法都是不希望的。例如,电流镜像需要复杂的电路和高带宽放大器电路。测量同步场效应晶体管的相应漏极-源极之间的电压的常规方法需要复杂且高度鲁棒的电路,因为在开关节点(控制开关、同步开关和电感器的结节点)处的电压易受通过开关循环的瞬态电压的影响。
技术实现思路
本文的实施例包括可操作用于计算电源电路的输出电流的新颖电路。在一个实施例中,新颖电路相对于常规电流感测电路来说是紧凑的,并且提供了使用低电压晶体管来测量由电源相位提供给负载的电流的更精确的方式。本文所描述的电路的全部或一部分可以以任 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:输入,所述输入可操作用于接收表示由电源向负载递送的电流的输入电压;输入电压电路,所述输入电压电路可操作用于接收所述输入电压;和采样电路,所述采样电路耦合到所述输入电压电路以接收所述输入电压,所述输入电压电路可控地传送所述输入电压以保护所述采样电路免受损坏,所述采样电路利用由所述输入电压电路传送的所述输入电压来存储代表所述电流的采样电压。
【技术特征摘要】
2015.12.18 US 14/974,4231.一种装置,包括:输入,所述输入可操作用于接收表示由电源向负载递送的电流的输入电压;输入电压电路,所述输入电压电路可操作用于接收所述输入电压;和采样电路,所述采样电路耦合到所述输入电压电路以接收所述输入电压,所述输入电压电路可控地传送所述输入电压以保护所述采样电路免受损坏,所述采样电路利用由所述输入电压电路传送的所述输入电压来存储代表所述电流的采样电压。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述采样电路包括采样开关,所述采样开关可操作用于选择性地将所述输入电压电路耦合到所述采样电路中的电容器电路,所述采样开关的激活将从所述输入电压电路接收的所述输入电压电耦合到所述采样电路中的所述电容器电路。3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述输入电压电路包括多个开关以可控地将所述输入电压传送到所述采样电路,所述多个开关包括第一开关和第二开关的串联连接,所述输入电压通过所述第一开关和第二开关的串联连接被可控地传送到所述采样电路。4.根据权利要求3所述的装置,还包括:第一控制资源,所述第一控制资源可操作用于在时间窗口期间选择性地激活所述第一开关和所述第二开关,以提供从所述输入到所述采样电路的导电路径,所述导电路径将在所述输入处接收的所述输入电压传送到所述采样电路;以及其中所述第一控制资源可操作用于在所述时间窗口之外选择性地去激活所述第一开关和所述第二开关,以防止所接收的所述输入电压通过所述输入电压电路被传送到所述采样电路。5.根据权利要求4所述的装置,还包括:第二控制电路,所述第二控制电路可操作用于在所述导电路径将所述输入电压从所述输入传送到所述采样电路的所述电容器电路的所述时间窗口的一部分期间选择性地将所述采样开关激活到导通状态,所述第二控制电路可操作用于在所述时间窗口期间选择性地将所述采样开关去激活至关断状态。6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输入电压电路可操作用于防止在所述输入电压的幅度大于第一阈值的第一条件期间将所述输入电压传送到所述采样电路;以及其中,所述输入电压电路还可操作用于防止在所述输入电压的幅度低于第二阈值的第二条件期间将所述输入电压传送到所述采样电路。7.根据权利要求1所述的装置,还包括:电荷放大器电路,所述电荷放大器电路可操作用于放大所存储的代表所述电流的所述采样电压。8.根据权利要求7所述的装置,其中,所存储的所述采样电压是差分电压,所述电荷放大器电路将所存储的所述差分电压转换成表示由所述电源向所述负载递送的所述电流的输出差分电压。9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输入电压表示场效应晶体管的漏极节点和源极节点之间的电压,所述电流通过所述场效应晶体管被提供给所述负载,所述场效应晶体管的RDSON值表示所述电流通过的场效应晶体管的电阻值,所述装置还包括:处理电路,所述处理电路可操作用于利用所述场效应晶体管的所述RDSON值和所存储的所述采样电压来导出指示由所述电源向所述负载递送的所述电流的值。10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电源是开关电源;和其中所述输入电压表示在所述开关电源的同步开关上的电压,所述输入电压电路防止大于阈值的瞬态电压被传送到所述采样电路,所述采样电路当被暴露给高于所述阈值的所述瞬变电压时易受损坏。11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输入电压电路包括承受大于阈值的输入电压幅度的第一组开关电路;以及其中所述采样和保持电路包括第二组开关电路,所述第二组开关电路易受大于所述第一阈值的输入电压幅度的损坏,所述第一组开关电路被控制以防止大于所述阈值的所述输入电压幅度传送到采样电路中的第二开关电路。12.根据权利要求1所述的装置,还包括:开关控制电路,所述开关控制电路可操作用于同时激活所述输入电压电路中的第一开关电路和所述采样电路中的第二开关电路,以在至所述采样电路中的电容器电路的导电路径上传送所述输入电压。13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述开关控制电路可操作用于在所述输入电压的幅度处于不会导致所述采样电路损坏的电压范围内的窗口期间同时激活所述第一开关电路和所述第二开关电路。14.根据权利要求1所述的装置,其中,所述采样电路包括电容器电路,所述电容器电路用于存储从所述输入电压电路传送的所述输入电压;以及其中,所述电容器电路被制造为边缘式电容器电路。15.根据权利要求1所述的装置,其中,所述采样电路包括电容器电路,所述电容器电路用于存储从所述输入电压电路传送的所述输入电压的采样;以及其中,所述电容器电路被制造在半导体芯片上。16.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输入电压电路包括开关电路,所述开关电路用于在第一时间窗口期间将所接收的所述输入电压传送到所述采样电路中的采样开关,所述采样开关在第二时间窗口中被...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·D·波尔赫姆斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技美国公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。