一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，包括叠加设置的第一电极层、发光层、电子注入层和第二电极层，所述电子注入层和所述第二电极层物理接触设置。所述电子注入层包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有机离子盐、式(Ⅱ)所示苯并咪唑类中性有机材料和式(Ⅲ)所示苯并咪唑类有机材料的二聚体中的一种或多种，这类材料使所述第二电极层和有机电子传输层界面之间的势垒降低，提高了载流子的传输能力，从而可以使电子注入层和所述第二电极层直接物理接触设置，不再需要设置绝缘缓冲层，具有提高器件效率、延长器件寿命等性能。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术属于OLED器件领域，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件包括阳极层、有机发光功能层和第二电极层；所述有机发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。由于阴极与有机电子传输层的界面之间存在着较大的电子注入势垒，为了提高电子和空穴之间的平衡性，在电子注入层和阴极之间引入绝缘缓冲层，如LiF层(0.5nm)，引入后，势垒降低，电子注入能力明显改善，驱动电压下降，发光效率提高。但是LiF蒸发温度高(620～640℃)，Li离子渗透容易导致淬灭发光，进而影响器件稳定性。诺瓦莱德公开股份有限公司在CN200710088908公开了一种杂环的自由基和双自由基，其二聚物，低聚物，聚合物，二螺化合物和多环，具体如下结构所示：(同类型，但是分子结构不重复，可以参考使用)此类化合物是N-型掺杂剂，用作注入层和阻挡层，其用作注入层时，是以N-型掺杂剂方式使用的，必须掺杂在基质材料中才能增加载流子传输速度，且这种材料需要光引发使用，工艺苛刻。
技术实现思路
本专利技术针对现有的绝缘缓冲层中的Li离子渗透导致淬灭发光的问题，提供一种有机电致发光器件，电子注入层采用的材料为苯并咪唑类有机材料，这类材料使所述阴极与有机电子传输层的界面之间势垒降低，从而可以使使电子注入层和所述第二电极层直接物理接触设置，不需要设置绝缘缓冲层，具有提高器件效率、延长器件寿命等性能。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案如下：一种有机电致发光器件，包括叠加设置的第一电极层、发光层、电子注入层和第二电极层，所述电子注入层和所述第二电极层物理接触设置；所述电子注入层包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有机离子盐、式(Ⅱ)所示苯并咪唑类中性有机材料和式(Ⅲ)所示苯并咪唑类有机材料的二聚体中的一种或多种：其中：BI具有式(Ⅳ)或式(Ⅴ)所示的结构：R1～R10相同或不同，分别独立地选自甲氧基、二甲氨基、取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的联咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的联咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基为C1-C6的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一种或多种；Ar为2-甲氧基苯、2,6-二甲氧基苯或2,4,6-三甲氧基苯；X为卤素。所述苯并咪唑的有机离子盐具有式(21)-式(26)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类中性有机材料具有式(27)-式(32)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类有机材料的二聚体具有式(33)-式(38)所示结构中的一种或多种：R1～R10相同或不同，分别独立地选自甲氧基，二甲氨基，取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的联咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的联咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基为C1-C6的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一种或多种。所述苯并咪唑的有机离子盐具有式(1-1)-式(1-15)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类中性有机材料具有式(2-1)-式(2-9)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类有机材料的二聚体具有式(3-1)-式(3-6)所示结构中的一种或多种：所述电子注入层的厚度为1-10nm。优选地，所述的发光层和所述的电子注入层之间设置有电子传输层。进一步优选地，所述的发光层和所述第一电极层之间设置有第一有机功能层。第一有机功能层为空穴注入层和/或空穴传输层。与现有技术相比，本专利技术的苯并咪唑类有机功能材料的优点是：(1)本专利技术有机电致发光器件中的所述电子注入层使用的是苯并咪唑类有机材料，是因为这类材料使所述阴极与有机电子传输层的界面之间势垒降低，从而可以使电子注入层和所述第二电极层直接物理接触设置，避免器件因Li离子渗透带来的淬灭发光和器件的不稳定性，具有提高器件效率和延长器件寿命等性能。(2)本专利技术采用的苯并咪唑类有机材料能够在空气中稳定存在，包括含苯并咪唑的卤素阴离子的有机盐类，中性有机分子和二聚分子等，通过真空加热后，分解产生活泼的自由基，实现N掺杂的效果。在有机分子中引入给电子的取代基，提高自由基的活泼性，使其HOMO能级高于-3.0eV。由于常用的OLED电子传输材料LUMO能级约-3.0eV，因此当电子注入层采用苯并咪唑的卤素阴离子的有机盐类，中性有机分子和二聚分子等，可增强电子注入，提高薄膜电子迁移率和载流子浓度，增加器件电流密度，提高器件效率和稳定性。与低功函数的碱金属和碱土金属盐类在大气中稳定性差，抗腐蚀能力不好，易氧化或剥离的缺点不一样，本专利技术的苯并咪唑类有机功能材料在空气中稳定存在，便于长期存储。(3)本专利技术的苯并咪唑类有机材料的蒸镀温度低，仅150℃左右，和常见电子注入材料相当，而远远低于常用的碱金属盐类或碱土金属盐类N型掺杂剂的蒸镀温度(大于600℃)，因此可以实现在有机腔室内蒸镀，降低成本。(4)另外，相比于传统使用的基于碱金属原子/碱土金属原子的n-型掺杂剂，此类低温可蒸镀的苯并咪唑类材料可以避免因金属原子渗透造成的发光淬灭现象，提高了器件效率，延长了器件寿命。(5)本专利技术的有机电致发光器降低了阴极与有机电子传输层的界面之间势垒，且由于势垒的降低导致载流子注入增加，提高了载流子的传输能力，从而可以使电子注入层和所述第二电极层直接物理接触设置，不再需要设置绝缘缓冲层，提高了器件效率，延长了器件寿命。附图说明图1为本专利技术的有机电致发光器件结构示意图；图2为对比器件1，对比器件2和器件1的电流密度-电压曲线图；图3为对比器件1，对比器件2和器件1的亮度-电压曲线图；图4为对比器件1，对比器件2和器件1的电流密度-亮度曲线图；图5为对比器件1，对比器件2和器件1的功率效率-亮度曲线图；图6为对比器件1，对比器件2和器件1～5的电流密度-亮度曲线图；图7为对比器件1，对比器件2和器件1～5的电流效率-亮度曲线图；图8为对比器件1，对比器件2和器件1～5的功率效率-亮度曲线图。具体实施方式下面将通过具体实施例对本专利技术作进一步的描述。本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本专利技术公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术的构思充分传达给本领域技术人员，本专利技术将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。如图1所示，一种有机电致发光器件，包括基板，以及在基板上叠加设置的第一电极层01(阳极)、发光层04、电子注入层06和第二电极层07(阴极)，所述电子注入层06和所述第二电极层07物理接触设置。所述第一电极层01和发光层04之间设置有第一有机功能层，所述发光层04与所述电子注入层06之间设置有电子传输层05；所述第一有机功能层为空穴注入层02和/或空穴传输层0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括叠加设置的第一电极层、发光层、电子注入层和第二电极层，其特征在于：所述电子注入层和所述第二电极层物理接触设置；所述电子注入层包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有机离子盐、式(Ⅱ)所示苯并咪唑类中性有机材料和式(Ⅲ)所示苯并咪唑类有机材料的二聚体中的一种或多种：

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括叠加设置的第一电极层、发光层、电子注入层和第二电极层，其特征在于：所述电子注入层和所述第二电极层物理接触设置；所述电子注入层包括式(Ⅰ)所示苯并咪唑的有机离子盐、式(Ⅱ)所示苯并咪唑类中性有机材料和式(Ⅲ)所示苯并咪唑类有机材料的二聚体中的一种或多种：其中：BI具有式(Ⅳ)或式(Ⅴ)所示的结构：R1～R10相同或不同，分别独立地选自甲氧基、二甲氨基、取代或未取代的吲哚并咔唑基，取代或未取代的咔唑基，取代或未取代的联咔唑基，取代或未取代的三苯胺基，取代或未取代的吩噁嗪基；所述取代的吲哚并咔唑基，取代的咔唑基，取代的联咔唑基，取代的三苯胺基，取代的吩噁嗪基中的取代基为C1-C6的烷基、甲氧基、二甲氨基、乙氧基和苯基中的一种或多种；Ar为2-甲氧基苯、2,6-二甲氧基苯或2,4,6-三甲氧基苯；X为卤素。2.根据权利要求1所述有机电致发光器件，其特征在于，所述苯并咪唑的有机离子盐具有式(21)-式(26)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类中性有机材料具有式(27)-式(32)所示结构中的一种或多种，所述苯并咪唑类有机材料的二聚体具有式(33)-式(38)所示结构中的一种或多种：R1～R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：段炼，宾正杨，刘嵩，赵菲，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，清华大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32